SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5403DC-T1-GE3 1.0400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5403 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.2a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1340 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 6.3W (TC)
SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7104DN-T1-GE3 1.0490
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7104 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.7mohm @ 26.1a, 4.5v 1.8V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 12V 2800 pf @ 6 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 1.1600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18.4A (TA), 65A (TC) 7.4mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1915 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4686DY-T1-GE3 1.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet®, WFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4686 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18.2A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1220 pf @ 15 v - 3W (TA), 5.2W (TC)
SIHP17N80E-BE3 Vishay Siliconix SIHP17N80E-BE3 4.8400
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1 (무제한) 742-SIHP17N80E-BE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2408 pf @ 100 v - 208W (TC)
TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix TN2404K-T1-E3 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TN2404 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 240 v 200MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 2V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 360MW (TA)
SI1410EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1410EDH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4328 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1410 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.9A (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 3.7a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V - 1W (TA)
IRF540 Vishay Siliconix IRF540 -
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 150W (TC)
SUV85N10-10-E3 Vishay Siliconix SUV85N10-10-E3 -
RFQ
ECAD 1250 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUV85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 85A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6550 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 250W (TC)
IRF7822TRR Vishay Siliconix IRF7822TRR -
RFQ
ECAD 8912 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7822 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V 6.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 12V 5500 pf @ 16 v - 3.1W (TA)
SIDR220EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR220EP-T1-RE3 3.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 92.8A (TA), 415A (TC) 4.5V, 10V 0.58mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 10850 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 415W (TC)
SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 1.0100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2337 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 2.2A (TC) 6V, 10V 270mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 40 v - 760MW (TA), 2.5W (TC)
IRF644NSTRL Vishay Siliconix irf644nstrl -
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 150W (TC)
SUM10250E-GE3 Vishay Siliconix sum10250e-ge3 2.8900
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum10250 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 63.5A (TC) 7.5V, 10V 31mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V 3002 pf @ 125 v - 375W (TC)
SIHD3N50DT4-GE3 Vishay Siliconix SIHD3N50DT4-GE3 0.3563
RFQ
ECAD 8362 0.00000000 Vishay Siliconix 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
IRFRC20TR Vishay Siliconix irfrc20tr -
RFQ
ECAD 2891 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHP12N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP12N65E-GE3 2.3700
RFQ
ECAD 2051 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 1224 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI4880DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4880DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8371 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4880 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13a, 10V 1.8V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 25V - 2.5W (TA)
SI1307EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1307EDL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1307 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 290mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5 nc @ 4.5 v ± 8V - 290MW (TA)
SIS454DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS454DN-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS454 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 35A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8457dB-T1-E1 0.6000
RFQ
ECAD 8268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8457 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 93 NC @ 8 v ± 8V 2900 pf @ 6 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SI7448DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7448DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2402 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7448 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.4A (TA) 2.5V, 4.5V 6.5mohm @ 22a, 4.5v 1.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.9W (TA)
IRFB13N50APBF Vishay Siliconix IRFB13N50APBF 3.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB13 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 450mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7172DP-T1-GE3 2.8200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7172 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 25A (TC) 6V, 10V 70mohm @ 5.9a, 10V 4V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 100 v - 5.4W (TA), 96W (TC)
SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix SUD70090E-GE3 1.5800
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD70090 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 50A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 50 v - 125W (TC)
SQJ202EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj202ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ202 MOSFET (금속 (() 27W, 48W PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 20A, 60A 6.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 22NC @ 10V 975pf @ 6v -
IRF9620STRL Vishay Siliconix IRF9620STR -
RFQ
ECAD 3041 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3W (TA), 40W (TC)
SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA950 MOSFET (금속 (() 7W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 190V 950ma 3.8ohm @ 360ma, 4.5v 1.4V @ 250µA 4.5NC @ 10V 90pf @ 100v 논리 논리 게이트
SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja92ep-t1_ge3 1.1900
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA92 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 57A (TC) 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH105N60EF-T1GE3 6.8600
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHH15N60EF-T1GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 105mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2099 PF @ 100 v - 174W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고