SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFBG30 Vishay Siliconix IRFBG30 -
RFQ
ECAD 3844 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBG30 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1000 v 3.1A (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 25 v - 125W (TC)
SUP70N03-09BP-E3 Vishay Siliconix SUP70N03-09BP-E3 -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup70 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 19 NC @ 5 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 93W (TC)
SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir698dp-t1-ge3 1.3100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir698 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.5A (TC) 6V, 10V 195mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 23W (TC)
IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix irfr9120trlpbf 1.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR420PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR420PBF-BE3 0.7513
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr420pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFD9220PBF Vishay Siliconix IRFD9220PBF 2.7600
RFQ
ECAD 2009 년 년 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9220 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 200 v 560MA (TA) 10V 1.5ohm @ 340ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7328DN-T1-E3 0.9923
RFQ
ECAD 8663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7328 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18.9a, 10V 1.5V @ 250µA 31.5 nc @ 4.5 v ± 12V 2610 pf @ 15 v - 3.78W (TA), 52W (TC)
IRFBF20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBF20PBF-BE3 2.4100
RFQ
ECAD 975 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBF20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbf20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 1.7A (TC) 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 54W (TC)
SI7726DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3 0.3822
RFQ
ECAD 8983 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7726 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1765 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6993 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.6a 31mohm @ 4.7a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF830PBF Vishay Siliconix IRF830PBF 1.5800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
SQM40022E_GE3 Vishay Siliconix SQM40022E_GE3 1.7500
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40022 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 150A (TC) 10V 1.63mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 9200 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8818 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3586 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.9a, 2.1a 60mohm @ 3.4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix SUM40N10-30-E3 -
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 40A (TC) 6V, 10V 30mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 107W (TC)
SUD50N02-06P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N02-06P-GE3 -
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 활동적인 SUD50 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000
SQJ162EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj162ep-t1_ge3 1.3200
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 60 v 166A (TC) 10V 5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 3930 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-E3 0.6200
RFQ
ECAD 8418 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5513 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4A, 3.7A 55mohm @ 4.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 5V 285pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6473DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6473 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.2A (TA) 1.8V, 4.5V 12.5mohm @ 9.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 70 nc @ 5 v ± 8V - 1.08W (TA)
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7911 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.2A 51mohm @ 5.7a, 4.5v 1V @ 250µA 15NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIA462DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T4-GE3 -
RFQ
ECAD 6987 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRF9630S Vishay Siliconix IRF9630S -
RFQ
ECAD 4438 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9630S 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SUM90220E-GE3 Vishay Siliconix SUM90220E-GE3 2.7200
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90220 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 64A (TC) 7.5V, 10V 21.6mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 100 v - 230W (TC)
IRF840PBF Vishay Siliconix IRF840PBF 1.9400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7658ADP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7658 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4590 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir188DP-T1-RE3 1.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sir188 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 60A (TC) 7.5V, 10V 3.85mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRF530L Vishay Siliconix IRF530L -
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF530 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF530L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - -
SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7216 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
IRF740LCSTRL Vishay Siliconix IRF740LCSTRL -
RFQ
ECAD 6703 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
SI3481DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3481DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3481 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQSA80ENW-T1_GE3 1.1100
RFQ
ECAD 516 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQSA80 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 18A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1358 pf @ 40 v - 62.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고