SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF840PBF Vishay Siliconix IRF840PBF 1.9400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF840PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRL540L Vishay Siliconix irl540L -
RFQ
ECAD 1540 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRL540 MOSFET (금속 (() TO-262-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL540L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V - 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - -
SI4196DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4196DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4196 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 22 nc @ 8 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 2W (TA), 4.6W (TC)
SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS890ADN-T1-GE3 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS890 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.6A (TA), 24.7A (TC) 25.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1330 pf @ 50 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
IRF744L Vishay Siliconix IRF744L -
RFQ
ECAD 9534 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF744 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) *IRF744L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 8.8A (TC) 10V 630mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - -
SI4421DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4421DY-T1-E3 2.1000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4421 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 8.75mohm @ 14a, 4.5v 800MV @ 850µA 125 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
IRF620S Vishay Siliconix IRF620S -
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF620S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2318AES-T1_GE3 0.6000
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2318 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 7.9a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 555 pf @ 10 v - 3W (TC)
SISS94DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS94DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 7062 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS94 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.4A (TA), 19.5A (TC) 7.5V, 10V 75mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 100 v - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SQS482EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS482EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
ECAD 7825 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqs482en-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1865 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRFZ24PBF Vishay Siliconix IRFZ24PBF 1.6400
RFQ
ECAD 662 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ24PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI4925BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-GE3 1.7000
RFQ
ECAD 1623 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4925 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 5.3A 25mohm @ 7.1a, 10V 3V @ 250µA 50NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI2327DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2327DS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2327 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 200 v 380MA (TA) 6V, 10V 2.35ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 750MW (TA)
SI5401DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5401DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3490 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5401 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.2A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SI1410EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1410EDH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4328 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1410 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.9A (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 3.7a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V - 1W (TA)
SQM110P04-04L-GE3 Vishay Siliconix SQM110P04-04L-GE3 -
RFQ
ECAD 4477 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM110P MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 13980 pf @ 20 v - 375W (TC)
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 0.4800
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SQ1912 MOSFET (금속 (() 1.5W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 800MA (TC) 280mohm @ 1.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.15NC @ 4.5V 75pf @ 10V -
SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir4602LDP-T1-RE3 0.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15.2A (TA), 52.1A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1185 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 43W (TC)
SIHS90N65E-E3 Vishay Siliconix SIHS90N65E-E3 -
RFQ
ECAD 8588 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHS90 MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 87A (TC) 10V 29mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 591 NC @ 10 v ± 30V 11826 PF @ 100 v - 625W (TC)
SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N65E-GE3 8.0800
RFQ
ECAD 5833 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 47A (TC) 10V 72mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 273 NC @ 10 v ± 30V 5682 pf @ 100 v - 417W (TC)
IRFR220PBF Vishay Siliconix IRFR220PBF 0.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF620STRR Vishay Siliconix irf620strr -
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
SI4418DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4418DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1838 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4418 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 2.3A (TA) 6V, 10V 130mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7216 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
SI1405DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1405DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9382 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1405 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TA) 1.8V, 4.5V 125mohm @ 1.8a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 7 NC @ 4.5 v ± 8V - 568MW (TA)
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF02DN-T1-GE3 1.5600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SCD SISF02 MOSFET (금속 (() 5.2W (TA), 69.4W (TC) PowerPak® 1212-8SCD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 25V 30.5A (TA), 60A (TC) 3.5mohm @ 7a, 10V 2.3V @ 250µA 56NC @ 10V 2650pf @ 10V -
SIHG20N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHG20N50E-GE3 3.2800
RFQ
ECAD 4650 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG20 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja92ep-t1_ge3 1.1900
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA92 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 57A (TC) 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7844DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6195 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7844 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.4a 22mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFBC20STRLPBF Vishay Siliconix irfbc20strlpbf 2.9100
RFQ
ECAD 358 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고