SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2323DS-T1 Vishay Siliconix SI2323DS-T1 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir164ADP-T1-GE3 1.0700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir164 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35.9A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ174EP-T1_GE3 1.8800
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj174ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 293A (TC) 10V 2.9mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6111 pf @ 25 v - 500W (TC)
TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix TP0610K-T1-E3 0.5000
RFQ
ECAD 830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0610 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 185MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1.7 NC @ 15 v ± 20V 23 pf @ 25 v - 350MW (TA)
SI2338DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2338DS-T1-BE3 0.5300
RFQ
ECAD 9847 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2338DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.5A (TA), 6A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 424 pf @ 15 v - 1.3W (TA), 2.5W (TC)
IRF740PBF Vishay Siliconix IRF740PBF 2.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF740PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFZ34L Vishay Siliconix IRFZ34L -
RFQ
ECAD 7988 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFZ34 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ34L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRFPS43N50KPBF Vishay Siliconix IRFPS43N50KPBF -
RFQ
ECAD 2505 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA IRFPS43 MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPS43N50KPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 47A (TC) 10V 90mohm @ 28a, 10V 5V @ 250µA 350 NC @ 10 v ± 30V 8310 pf @ 25 v - 540W (TC)
SI9936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9936BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3861 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9936 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFR9010TRL Vishay Siliconix irfr9010trl -
RFQ
ECAD 9296 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 50 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
SIRA72DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira72dp-t1-ge3 1.2000
RFQ
ECAD 2377 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira72 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v +20V, -16V 3240 pf @ 20 v - 56.8W (TC)
SQM120N06-06_GE3 Vishay Siliconix SQM120N06-06_GE3 2.9400
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 6MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6495 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRF720L Vishay Siliconix IRF720L -
RFQ
ECAD 8420 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF720 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF720L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7872 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 6.4a 22mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
IRFP350LC Vishay Siliconix IRFP350LC -
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP350LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 400 v 16A (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFU9310PBF Vishay Siliconix IRFU9310PBF 1.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9310 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9310pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRLU024PBF Vishay Siliconix irlu024pbf 1.7000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu024 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irlu024pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHB24N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3 3.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB24N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 21A (TC) 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 30V 1836 PF @ 100 v - 208W (TC)
SI7214DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7214DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7214 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.6a 40mohm @ 6.4a, 10V 3V @ 250µA 6.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIHU3N50DA-GE3 Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3 0.3532
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB sihu3 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 177 pf @ 100 v - 69W (TC)
IRLU120PBF Vishay Siliconix irlu120pbf -
RFQ
ECAD 8753 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irlu120pbf 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4442DY-T1-E3 3.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4442 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 2.5V, 10V 4.5mohm @ 22a, 10V 1.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.6W (TA)
2N4859JTX02 Vishay Siliconix 2N4859JTX02 -
RFQ
ECAD 3226 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4859 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
IRFP22N50A Vishay Siliconix IRFP22N50A -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP22N50A 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3450 pf @ 25 v - 277W (TC)
SI7802DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7802DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3425 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7802 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 1.24A (TA) 6V, 10V 435mohm @ 1.95a, 10V 3.6V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHFRC20TR-GE3 Vishay Siliconix SIHFRC20TR-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-sihfrc20tr-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-BE3 0.4300
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1539 MOSFET (금속 (() 290MW (TA), 340MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1539CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 700ma (TA), 700ma (TC), 400MA (TA), 500MA (TC) 388mohm @ 600ma, 10v, 890mohm @ 400ma, 10v 2.5V @ 250µA 1.5NC @ 10V, 3NC @ 10V 28pf @ 15v, 34pf @ 15v -
IRFR310TRPBF Vishay Siliconix irfr310trpbf 1.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQA401CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa401cejw-t1_ge3 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.75A (TC) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2.4a, 4.5v 1.3V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SQJ180EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ180EP-T1_GE3 1.9300
RFQ
ECAD 5507 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj180ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 248A (TC) 10V 3MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 117 NC @ 10 v ± 20V 6645 pf @ 25 v - 500W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고