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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SQR40N10-25_GE3	2.3900	RFQ	4340	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭)	SQR40	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK) 리버스 리드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	40A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 40a, 10V	2.5V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	3380 pf @ 25 v	-	136W (TC)
IRFZ14STRLPBF	0.9500	RFQ	9473	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ14	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	10A (TC)	10V	200mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
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irl520strl	-	RFQ	1494	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRL520	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	9.2A (TC)	4V, 5V	270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 v	± 10V	490 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
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SIA411DJ-T1-GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA411	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	1.5V, 4.5V	30mohm @ 5.9a, 4.5v	1V @ 250µA	38 NC @ 8 v	± 8V	1200 pf @ 10 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SI1551DL-T1-E3	-	RFQ	5875	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1551	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	290ma, 410ma		1.9ohm @ 290ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRFD320	-	RFQ	6210	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD320	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFD320	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	400 v	490MA (TA)	10V	1.8ohm @ 210ma, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	410 pf @ 25 v	-	1W (TA)
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sqj403beep-t1_ge3	1.6000	RFQ	7688	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ403	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 v	± 20V		-	68W (TC)
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SI5433BDC-T1-GE3	-	RFQ	1923	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5433	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.8A (TA)	1.8V, 4.5V	37mohm @ 4.8a, 4.5v	1V @ 250µA	22 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.3W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²