SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3464 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 1065 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SI4823DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4823 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 108mohm @ 3.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 660 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.7W (TA), 2.8W (TC)
SI4850EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4850EY-T1-GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4850 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V - 1.7W (TA)
SIDR220DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR220DP-T1-GE3 2.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR220 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 87.7A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 200 nc @ 10 v +16V, -12V 1085 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SQD50P08-28-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD50P08-28-T4_GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50p08-28-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 80 v 48A (TC) 10V 28mohm @ 12.5a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6035 pf @ 25 v - 136W (TC)
SIHF520STRR-GE3 Vishay Siliconix SIHF520St-GE3 0.5608
RFQ
 ECAD 5659 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHF520ST-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ910 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj910aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 7mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 39NC @ 10V 1869pf @ 15V -
SQJ431EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj431ep-t2_ge3 0.9356
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ431 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj431ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 12A (TC) 6V, 10V 213mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 25 v - 83W (TC)
SIHFU9220-GE3 Vishay Siliconix SIHFU9220-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SIHFU9220 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQC40016E_DFFR Vishay Siliconix SQC40016E_DFFR 2.1000
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 - - - SQC40016 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQC40016E_DFFR 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
SQD30N05-20L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD30N05-20L_T4GE3 0.4851
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD30 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1175 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQD40N10-25-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD40N10-25-T4_GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd40n10-25-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3380 pf @ 25 v - 136W (TC)
SIS472BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS472BDN-T1-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS472 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15.3A (TA), 38.3A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SIHLZ34S-GE3 Vishay Siliconix SIHLZ34S-GE3 0.6631
RFQ
 ECAD 2012 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHLZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHLZ34S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SQJ456EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ456EP-T2_GE3 1.1340
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj456ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 32A (TC) 6V, 10V 26mohm @ 9.3a, 10V 3.5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 3342 pf @ 25 v - 83W (TC)
SQJ460AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ460AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj460aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 58A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 10.7a, 10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 2654 pf @ 30 v - 68W (TC)
SQJA46EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqja46ep-t2_ge3 0.5627
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA46 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqja46ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 10V 3MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS108DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS108 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 6.7A (TA), 16A (TC) 7.5V, 10V 34mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 545 pf @ 40 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS61DN-T1-GE3 0.9900
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS61 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 30.9A (TA), 111.9A (TC) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 15a, 4.5v 900MV @ 250µA 231 NC @ 10 v ± 8V 8740 pf @ 10 v - 5W (TA), 65.8W (TC)
SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ174EP-T1_GE3 1.8800
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj174ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 293A (TC) 10V 2.9mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 6111 pf @ 25 v - 500W (TC)
SIHP5N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP5N80AE-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP5N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.4A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 321 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SQJQ112E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 3.6600
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 296A (TC) 10V 2.53MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 272 NC @ 10 v ± 20V 15945 pf @ 25 v - 600W (TC)
SIR574DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR574DP-T1-RE3 1.6500
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR574DP-T1-RE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 12.1A (TA), 48.1A (TC) 7.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 75 v - 5W (TA), 78W (TC)
SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR104AEP-T1-RE3 3.0500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 21.1A (TA), 90.5A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 6.5W (TA), 120W (TC)
SIHA15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHA15N80AEF-GE3 2.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA15N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 350mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1128 pf @ 100 v - 33W (TC)
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG026N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 95A (TC) 10V 26mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 7926 pf @ 100 v - 521W (TC)
SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3 1.3000
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW 다운로드 1 (무제한) 742-SQS140ENW-T1_GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 214A (TC) 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3111 pf @ 25 v - 197W (TC)
SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626LEP-T1-RE3 3.4000
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 48.7A (TA), 218A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir188LDP-T1-RE3 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR188LDP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.8A (TA), 93.6A (TC) 4.5V, 10V 3.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SQJ180EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ180EP-T1_GE3 1.9300
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj180ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 248A (TC) 10V 3MOHM @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 117 NC @ 10 v ± 20V 6645 pf @ 25 v - 500W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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