SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4816DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4816 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.3A, 7.7A 22mohm @ 6.3a, 10V 2V @ 250µA 12NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SQJ415EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj415ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 45W (TC)
SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7820DN-T1-E3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7820 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.7A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK055N60EF-T1GE3 9.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn SIHK055 MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 58mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 3667 pf @ 100 v - 236W (TC)
SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5855CDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5855 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TC) 1.8V, 4.5V 144mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8 NC @ 5 v ± 8V 276 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA), 2.8W (TC)
SI7358ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7358ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7358 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 4650 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SI4409DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4409DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4409 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 150 v 1.3A (TC) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 332 pf @ 50 v - 2.2W (TA), 4.6W (TC)
SI9434BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9434BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9434 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 40mohm @ 6.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SIHP28N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP28N65E-GE3 2.8195
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP28 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 112mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 3405 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI4946BEY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3 1.4800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4946 MOSFET (금속 (() 3.7W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.5A 41mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 840pf @ 30V 논리 논리 게이트
SI8469DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8469dB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8469 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 4.6A (TA) 4.5V 64mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 5V 900 pf @ 4 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4823 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 108mohm @ 3.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 660 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.7W (TA), 2.8W (TC)
SQS482EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS482EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqs482en-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1865 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix IRLIZ34GPBF 2.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irliz34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 20A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 12a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 42W (TC)
SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir638adp-t1-Re3 1.8000
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir638 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.88mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 165 NC @ 10 v +20V, -16V 9100 pf @ 100 v - 104W (TC)
SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja34ep-t1_ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA34 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIA411DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA411 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5.9a, 4.5v 1V @ 250µA 38 NC @ 8 v ± 8V 1200 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIHA12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHA12N50E-GE3 1.8700
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA12N50E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 10.5A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 886 pf @ 100 v - 32W (TC)
IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ20PBF-BE3 1.9000
RFQ
 ECAD 657 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfz20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 15A (TC) 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF510PBF-BE3 1.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf510pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 43W (TC)
SIE806DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE806DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE806 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIRS4600DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRS4600dp-T1-RE3 3.7500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 58A (TA), 334A (TC) 7.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 162 NC @ 10 v ± 20V 7655 pf @ 30 v - 7.4W (TA), 240W (TC)
SIJH5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH5100E-T1-GE3 6.0000
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 28A (TA), 277A (TC) 7.5V, 10V 1.89mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 128 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 50 v - 3.3W (TA), 333W (TC)
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 0806 SIUD412 MOSFET (금속 (() PowerPak® 0806 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 500MA (TC) 1.2V, 4.5V 340mohm @ 500ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.71 NC @ 4.5 v ± 5V 21 pf @ 6 v - 1.25W (TA)
SI4814BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4814 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10a, 10.5a 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 8V 1275 pf @ 6 v - 1.2W (TA), 1.7W (TC)
SI4831BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4831BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4831 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6.6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 625 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.3W (TC)
SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1539EH-T1_GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1539 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 850MA (TC) 280mohm @ 1a, 10v, 940mohm @ 500ma, 10v 2.6V @ 250µA 1.4nc @ 4.5v, 1.6nc @ 4.5v 48pf @ 15V, 50pf @ 15V -
SQ4064EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4064EY-T1_BE3 1.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4064 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 19.8mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 2096 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7844DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7844 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.4a 22mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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