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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 370ma | 1.2ohm @ 350ma, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 1.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI7617DN-T1-GE3 | 0.8800 | | 241 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7617 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 12.3mohm @ 13.9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQ4410EY-T1_BE3 | 1.5200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4410 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sq4410ey-t1_be3ct | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 20V | 2385 pf @ 25 v | - | 5W (TC) | |||||
 | SI1431DH-T1-GE3 | - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1431 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.7A (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10V | 3V @ 100µa | 4 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 950MW (TA) | |||||
 | SQD100N02_3M5L4GE3 | 0.6209 | | 5786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD100 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqd100n02_3m5l4ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 10 v | - | 83W (TC) | ||||
 | IRF9Z24PBF | 1.9400 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9Z24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 11A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||
 | SI7852DP-T1-GE3 | 2.9500 | | 795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 7.6A (TA) | 6V, 10V | 16.5mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 41 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| SI1970DH-T1-E3 | - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1970 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.2a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 3.8nc @ 10V | 95pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0.8900 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9435 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 4.1A (TA) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5.7a, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.3W (TA) | ||||||
 | SUM70030E-GE3 | 3.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum70030 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 2.88mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 214 NC @ 10 v | ± 20V | 10870 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||
 | SQ3419EV-T1_BE3 | 0.6900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3419 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 6.9A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.3 NC @ 4.5 v | ± 20V | 990 pf @ 20 v | - | 5W (TC) | ||||||
 | SI1302DL-T1-E3 | 0.4400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI1302 | MOSFET (금속 (() | SC-70-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 600MA (TA) | 4.5V, 10V | 480mohm @ 600ma, 10V | 3V @ 250µA | 1.4 NC @ 10 v | ± 20V | - | 280MW (TA) | |||||
 | 2N6660-E3 | - | | 7399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N6660 | MOSFET (금속 (() | TO-205AD (TO-39) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 60 v | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SIHP21N60EF-GE3 | 4.0000 | | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP21 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2266-SIHP21N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 v | ± 30V | 2030 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | ||||
 | IRFBC40AS | - | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC40AS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 1036 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
| irf620strl | - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | ||||
| SI4176DY-T1-E3 | - | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4176 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.3a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SIHD14N60E-BE3 | 2.3000 | | 9863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD14 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHD14N60E-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 1205 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | |||||
| SUP70090E-GE3 | 3.0600 | | 56 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SUP70090 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 7.5V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||
 | SI5908DC-T1-GE3 | 1.3900 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5908 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SIHA15N80AE-GE3 | 2.6000 | | 7348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA15 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHA15N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 350mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1093 pf @ 100 v | - | 33W (TC) | ||||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 85.9A (TA), 350.8A (TC) | 4.5V, 10V | 0.47mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | +16V, -12V | 8960 pf @ 15 v | - | 6.25W (TA), 104.1W (TC) | |||||
| SI4654DY-T1-GE3 | - | | 7223 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4654 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 28.6A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 16V | 3770 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5.9W (TC) | ||||
| irlz14strr | - | | 2581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SI7483ADP-T1-E3 | - | | 7925 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7483 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 24a, 10V | 3V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SI3443DDV-T1-GE3 | 0.4300 | | 6970 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA), 5.3A (TC) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 30 nc @ 8 v | ± 12V | 970 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||
 | IRFD9123PBF | - | | 3308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9123 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 1A (TA) | 600mohm @ 600ma, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | 390 pf @ 25 v | - | - | ||||||
| sir864dp-t1-ge3 | - | | 8959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir864 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 2460 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SIA437DJ-T1-GE3 | 0.6900 | | 2425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA437 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 29.7A (TC) | 1.5V, 4.5V | 14.5mohm @ 8a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 90 NC @ 8 v | ± 8V | 2340 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| IRF9Z30 | - | | 2157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9Z30 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 50 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 9.3a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | 74W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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