전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | irfr320trlpbf | 1.7700 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR320 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||||
![]() | SQJ148EP-T1_GE3 | 0.6900 | ![]() | 8962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ148 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||
![]() | SI1034X-T1-E3 | - | ![]() | 4463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 180ma | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 0.75NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI7302DN-T1-E3 | - | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7302 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 220 v | 8.4A (TC) | 4.5V, 10V | 320mohm @ 2.3a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 645 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SI4485DY-T1-GE3 | 0.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4485 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 6A (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5.9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 590 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
![]() | IRLIZ34GPBF | 2.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irliz34 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irliz34gpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 12a, 5V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 10V | 1600 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
![]() | irfr430atrlpbf | 0.8718 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR430 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 490 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||
![]() | irfr224trl | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 3.8A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
IRF730APBF | 1.9200 | ![]() | 1963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF730 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF730APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 600 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
![]() | SI4946BEY-T1-E3 | 1.4800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4946 | MOSFET (금속 (() | 3.7W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 6.5A | 41mohm @ 5.3a, 10V | 3V @ 250µA | 25NC @ 10V | 840pf @ 30V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SI1553DL-T1-E3 | - | ![]() | 4161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (금속 (() | 270MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 660ma, 410ma | 385mohm @ 660ma, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 1.2NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SQA470EJ-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 8742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SQA470 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.25A (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 440 pf @ 20 v | - | 13.6W (TC) | |||||
![]() | SIHA12N50E-GE3 | 1.8700 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHA12N50E-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 10.5A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 886 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | ||||||
![]() | IRFL210 | - | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL210 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFL210 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 200 v | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
![]() | SI4858DY-T1-E3 | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4858 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 5.25mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 40 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||
![]() | SI4430BDY-T1-GE3 | 1.8500 | ![]() | 9321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4430 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||||
![]() | SI7421DN-T1-GE3 | 1.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7421 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.4A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 9.8a, 10V | 3V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | SI4398DY-T1-E3 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4398 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 19A (TA) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 5620 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | ||||
![]() | IRFD320PBF | 1.8600 | ![]() | 469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD320 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD320PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 400 v | 490MA (TA) | 10V | 1.8ohm @ 210ma, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 410 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||
![]() | SI7852DP-T1-E3 | 2.5000 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 7.6A (TA) | 6V, 10V | 16.5mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 41 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | IRFI9520GPBF | 2.5000 | ![]() | 7933 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI9520 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI9520GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 5.2A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||||
![]() | SIHD7N60ET4-GE3 | 0.8080 | ![]() | 2938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD7 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||||
![]() | SQD40061EL_GE3 | 1.6500 | ![]() | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD40061 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 280 nc @ 10 v | ± 20V | 14500 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||
![]() | SIA915DJ-T4-GE3 | - | ![]() | 4122 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA915 | MOSFET (금속 (() | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 3.7A (TA), 4.5A (TC) | 87mohm @ 2.9a, 10V | 2.2V @ 250µA | 9NC @ 10V | 275pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SQJ415EP-T1_BE3 | 1.0000 | ![]() | 1990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj415ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||
![]() | SI7216DN-T1-E3 | 1.6600 | ![]() | 5455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7216 | MOSFET (금속 (() | 20.8W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 6A | 32mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 19NC @ 10V | 670pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SIRS4301DP-T1-GE3 | 3.4700 | ![]() | 7455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | Sirs4301 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 53.7A (TA), 227A (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 255 NC @ 4.5 v | ± 20V | 19750 pf @ 15 v | - | 7.4W (TA), 132W (TC) | |||||
![]() | SI4101DY-T1-GE3 | 0.9100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4101 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 25.7A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 203 NC @ 10 v | ± 20V | 8190 pf @ 15 v | - | 6W (TC) | |||||
SUP75P05-08-E3 | - | ![]() | 2982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | p 채널 | 55 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 8500 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 250W (TC) | ||||||
![]() | IRF530STRR | - | ![]() | 7918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF530 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고