SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR320TRLPBF Vishay Siliconix irfr320trlpbf 1.7700
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 42W (TC)
SQJ148EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ148EP-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 8962 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ148 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 15A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - 45W (TC)
SI1034X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1034X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4463 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1034 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 180ma 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7302DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7302DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7302 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 220 v 8.4A (TC) 4.5V, 10V 320mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 645 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4485DY-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4485 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 5.9a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix IRLIZ34GPBF 2.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irliz34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 20A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 12a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRFR430ATRLPBF Vishay Siliconix irfr430atrlpbf 0.8718
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFR224TRL Vishay Siliconix irfr224trl -
RFQ
ECAD 2585 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR224 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF730APBF Vishay Siliconix IRF730APBF 1.9200
RFQ
ECAD 1963 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF730APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI4946BEY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3 1.4800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4946 MOSFET (금속 (() 3.7W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.5A 41mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 840pf @ 30V 논리 논리 게이트
SI1553DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1553 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 660ma, 410ma 385mohm @ 660ma, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 1.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQA470EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA470EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 8742 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA470 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.25A (TC) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 440 pf @ 20 v - 13.6W (TC)
SIHA12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHA12N50E-GE3 1.8700
RFQ
ECAD 950 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA12N50E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 10.5A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 886 pf @ 100 v - 32W (TC)
IRFL210 Vishay Siliconix IRFL210 -
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL210 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFL210 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 200 v 960MA (TC) 10V 1.5ohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4858DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4858DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4858 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 5.25mohm @ 20a, 10V 1V @ 250µA (Min) 40 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4430BDY-T1-GE3 1.8500
RFQ
ECAD 9321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4430 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI7421DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7421DN-T1-GE3 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7421 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 9.8a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4398 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 19A (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5620 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
IRFD320PBF Vishay Siliconix IRFD320PBF 1.8600
RFQ
ECAD 469 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD320 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD320PBF 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 400 v 490MA (TA) 10V 1.8ohm @ 210ma, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7852DP-T1-E3 2.5000
RFQ
ECAD 7609 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7852 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 7.6A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA (Min) 41 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFI9520GPBF Vishay Siliconix IRFI9520GPBF 2.5000
RFQ
ECAD 7933 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9520GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 5.2A (TC) 10V 600mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 37W (TC)
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 0.8080
RFQ
ECAD 2938 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40061EL_GE3 1.6500
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40061 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 14500 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIA915DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3 -
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA915 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 6.5W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.7A (TA), 4.5A (TC) 87mohm @ 2.9a, 10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V -
SQJ415EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_BE3 1.0000
RFQ
ECAD 1990 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj415ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 45W (TC)
SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-E3 1.6600
RFQ
ECAD 5455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7216 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
SIRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS4301DP-T1-GE3 3.4700
RFQ
ECAD 7455 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs4301 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 53.7A (TA), 227A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 255 NC @ 4.5 v ± 20V 19750 pf @ 15 v - 7.4W (TA), 132W (TC)
SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4101 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 25.7A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 203 NC @ 10 v ± 20V 8190 pf @ 15 v - 6W (TC)
SUP75P05-08-E3 Vishay Siliconix SUP75P05-08-E3 -
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 225 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 250W (TC)
IRF530STRR Vishay Siliconix IRF530STRR -
RFQ
ECAD 7918 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고