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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRL510SPBF	0.7072	RFQ	4109	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRL510	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	100 v	5.6A (TC)	4V, 5V	540mohm @ 3.4a, 5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 v	± 10V	250 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
SIHA21N65EF-GE3	4.7200	RFQ	3706	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드		1 (무제한)		742-SIHA21N65EF-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	21A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	106 NC @ 10 v	± 30V	2322 pf @ 100 v	-	35W (TC)
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sq3495ev-t1_ge3	0.6900	RFQ	18	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3495	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		742-sq3495ev-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	8A (TC)	2.5V, 10V	21mohm @ 5a, 4.5v	1.4V @ 250µA	41 NC @ 4.5 v	± 12V	3950 pf @ 20 v	-	5W (TC)
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SI7748DP-T1-GE3	-	RFQ	8478	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7748	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 15a, 10V	2.7v @ 1ma	92 NC @ 10 v	± 20V	3770 pf @ 15 v	-	4.8W (TA), 56W (TC)
sir826dp-t1-re3	0.9999	RFQ	3488	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir826	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10V	2.8V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	2900 pf @ 40 v	-	104W (TC)
SI7942DP-T1-GE3	2.9100	RFQ	4729	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7942	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	3.8a		49mohm @ 5.9a, 10V	4V @ 250µA	24NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
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Siz270DT-T1-GE3	1.4100	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz270	MOSFET (금속 (()	4.3W (TA), 33W (TC)	8-PowerPair® (3.3x3.3)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	7.1A (TA), 19.5A (TC), 6.9A (TA), 19.1A (TC)		37.7mohm @ 7a, 10v, 39.4mohm @ 7a, 10v	2.4V @ 250µA	27NC @ 10V		860pf @ 50v, 845pf @ 50v	-
SI7998DP-T1-GE3	1.5900	RFQ	9071	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7998	MOSFET (금속 (()	22W, 40W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	25A, 30A		9.3mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1100pf @ 15V	논리 논리 게이트
IRFSL9N60APBF	2.8600	RFQ	217	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRFSL9	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		*IRFSL9N60APBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	9.2A (TC)	10V	750mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 v	± 30V	1400 pf @ 25 v	-	170W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²