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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI1467DH-T1-GE3	0.6700	RFQ	9993	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1467	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.7A (TC)	1.8V, 4.5V	90mohm @ 2a, 4.5v	1V @ 250µA	13.5 nc @ 4.5 v	± 8V	561 pf @ 10 v	-	1.5W (TA), 2.78W (TC)
sir584dp-t1-Re3	1.5700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	24.7A (TA), 100A (TC)	7.5V, 10V	3.9mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 v	± 20V	2800 pf @ 40 v	-	5W (TA), 83.3W (TC)
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SI1070X-T1-E3	-	RFQ	1268	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1070	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	1.2A (TA)	2.5V, 4.5V	99mohm @ 1.2a, 4.5v	1.55V @ 250µA	8.3 NC @ 5 v	± 12V	385 pf @ 15 v	-	236MW (TA)
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IRFZ24	-	RFQ	4331	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFZ24	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFZ24	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	17A (TC)	10V	100mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	60W (TC)
SI7236DP-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7236	MOSFET (금속 (()	46W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	60a		5.2mohm @ 20.7a, 4.5v	1.5V @ 250µA	105nc @ 10V		4000pf @ 10V	-
irfr9014ntrl	-	RFQ	3645	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9014	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	5.1A (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SUM110N05-06L-E3	-	RFQ	2085	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SUM110	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	55 v	110A (TC)		6MOHM @ 30A, 10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 v		3300 pf @ 25 v	-
IRF840LCSTRR	-	RFQ	7368	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF840	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
irfl214tr	-	RFQ	8398	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IRFL214	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	250 v	790MA (TC)	10V	2ohm @ 470ma, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SI7464DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	8218	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7464	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	1.8A (TA)	6V, 10V	240mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.8W (TA)
IRF740AL	-	RFQ	3007	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF740	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF740AL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
irfbf20strl	-	RFQ	1014	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBF20	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	900 v	1.7A (TC)	10V	8ohm @ 1a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	490 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 54W (TC)
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SI4544DY-T1-GE3	-	RFQ	1086	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4544	MOSFET (금속 (()	2.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 공통 p 채널, 공통 배수		30V	-		35mohm @ 6.5a, 10V	1V @ 250µA (Min)	35NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SI7980DP-T1-GE3	1.0500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7980	MOSFET (금속 (()	19.8W, 21.9W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		20V	8a		22mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	27NC @ 10V		1010pf @ 10v	-
SI7336ADP-T1-E3	1.8000	RFQ	17	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7336	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	30A (TA)	4.5V, 10V	3MOHM @ 25A, 10V	3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	5600 pf @ 15 v	-	5.4W (TA)
SI7407DN-T1-GE3	-	RFQ	8751	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7407	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	9.9A (TA)	1.8V, 4.5V	12mohm @ 15.6a, 4.5v	1V @ 400µA	59 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
SQ4401EY-T1_GE3	2.9300	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4401	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	40 v	17.3A (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 10.5a, 10V	2.5V @ 250µA	115 NC @ 10 v	± 20V	4250 pf @ 20 v	-	7.14W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²