전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI5415EDU-T1-GE3 | - | ![]() | 4391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5415 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® Chipfet 싱글 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 9.8mohm @ 10a, 4.5v | 1V @ 250µA | 120 nc @ 8 v | ± 8V | 4300 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
![]() | IRF9620STRR | - | ![]() | 3324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
![]() | SI1069X-T1-GE3 | - | ![]() | 1073 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1069 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 940MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 184mohm @ 940ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 6.86 NC @ 5 v | ± 12V | 308 pf @ 10 v | - | 236MW (TA) | ||||
![]() | SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3440 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 1.2A (TA) | 6V, 10V | 375mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
![]() | SQ4435EY-T1_BE3 | 1.4400 | ![]() | 8199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4435 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sq4435ey-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 2170 pf @ 15 v | - | 6.8W (TC) | |||||
![]() | SI8800EDB-T2-E1 | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8800 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2A (TA) | 1.5V, 4.5V | 80mohm @ 1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8.3 NC @ 8 v | ± 8V | - | 500MW (TA) | |||||
![]() | SIHFBE30S-GE3 | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHFBE30S-GE3DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 4.1A (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||
![]() | sihu3n50d-ge3 | 0.3532 | ![]() | 7013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | sihu3 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 175 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | |||||
![]() | SI7113ADN-T1-GE3 | 0.6600 | ![]() | 4156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7113 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 10.8A (TC) | 4.5V, 10V | 132mohm @ 3.8a, 10V | 2.6V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 20V | 515 pf @ 50 v | - | 27.8W (TC) | |||||
![]() | SI5948DU-T1-GE3 | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® Chipfet Dual | SI5948 | MOSFET (금속 (() | 7W | PowerPak® Chipfet Dual | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 6A (TC) | 82mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 2.6NC @ 4.5V | 165pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SI1433DH-T1-E3 | - | ![]() | 3152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1433 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.9A (TA) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.2a, 10V | 3V @ 100µa | 5 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 950MW (TA) | |||||
![]() | IRF710SPBF | 1.6000 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF710 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | *IRF710SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
![]() | SI3473DV-T1-GE3 | - | ![]() | 2506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5.9A (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 7.9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | IRFR310 | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR310 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR310 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 400 v | 1.7A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
![]() | SI3909DV-T1-GE3 | - | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3909 | MOSFET (금속 (() | 1.15W | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | - | 200mohm @ 1.8a, 4.5v | 500MV @ 250µA (최소) | 4NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
IRFZ24 | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ24 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ24 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||
![]() | irfsl9n60atrl | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFSL9 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 9.2A (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | |||||
![]() | irfr214trr | - | ![]() | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 2.2A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI3456BDV-T1-GE3 | - | ![]() | 2013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | SIA907EDJT-T1-GE3 | 0.5500 | ![]() | 785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA907 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.5A (TC) | 57mohm @ 3.6a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 23NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SI7905DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7905 | MOSFET (금속 (() | 20.8W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 40V | 6A | 60mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 30NC @ 10V | 880pf @ 20V | - | |||||||
![]() | irl620strl | - | ![]() | 4869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | ± 10V | 360 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
![]() | irl520L | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRL520 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL520L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 9.2A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 5.5a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||
![]() | SI2335DS-T1-E3 | - | ![]() | 8189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2335 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 3.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 51mohm @ 4a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 15 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1225 pf @ 6 v | - | 750MW (TA) | ||||
![]() | SIHA240N60E-GE3 | 2.9600 | ![]() | 9526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHA240 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 240mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 783 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | |||||
![]() | 2N7002-T1-GE3 | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | TO-236 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 200MW (TA) | |||||
![]() | sqa470cejw-t1_ge3 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.25A (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 440 pf @ 20 v | - | 13.6W (TC) | ||||||
![]() | SI7390DP-T1-GE3 | 1.2191 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7390 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
![]() | SIHA18N60E-GE3 | 3.1700 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHA18N60E-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 202mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 92 NC @ 10 v | ± 30V | 1640 pf @ 100 v | - | 34W (TC) | ||||||
![]() | SI9945BDY-T1-GE3 | 0.8800 | ![]() | 4976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9945 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.3A | 58mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 665pf @ 15V | 논리 논리 게이트 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고