SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5415EDU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4391 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5415 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 25A (TC) 1.8V, 4.5V 9.8mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 120 nc @ 8 v ± 8V 4300 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
IRF9620STRR Vishay Siliconix IRF9620STRR -
RFQ
ECAD 3324 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3W (TA), 40W (TC)
SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1069X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1069 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 940MA (TA) 2.5V, 4.5V 184mohm @ 940ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 6.86 NC @ 5 v ± 12V 308 pf @ 10 v - 236MW (TA)
SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 1.5200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3440 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.2A (TA) 6V, 10V 375mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SQ4435EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_BE3 1.4400
RFQ
ECAD 8199 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-sq4435ey-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 15 v - 6.8W (TC)
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8800 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 80mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 8.3 NC @ 8 v ± 8V - 500MW (TA)
SIHFBE30S-GE3 Vishay Siliconix SIHFBE30S-GE3 1.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFBE30S-GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix sihu3n50d-ge3 0.3532
RFQ
ECAD 7013 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu3 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7113ADN-T1-GE3 0.6600
RFQ
ECAD 4156 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7113 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 10.8A (TC) 4.5V, 10V 132mohm @ 3.8a, 10V 2.6V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 515 pf @ 50 v - 27.8W (TC)
SI5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5948DU-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® Chipfet Dual SI5948 MOSFET (금속 (() 7W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TC) 82mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 2.6NC @ 4.5V 165pf @ 20V -
SI1433DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1433DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3152 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1433 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.2a, 10V 3V @ 100µa 5 nc @ 4.5 v ± 20V - 950MW (TA)
IRF710SPBF Vishay Siliconix IRF710SPBF 1.6000
RFQ
ECAD 1793 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF710 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) *IRF710SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
SI3473DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
IRFR310 Vishay Siliconix IRFR310 -
RFQ
ECAD 3591 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR310 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI3909DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3909DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3909 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V - 200mohm @ 1.8a, 4.5v 500MV @ 250µA (최소) 4NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFZ24 Vishay Siliconix IRFZ24 -
RFQ
ECAD 4331 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ24 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFSL9N60ATRL Vishay Siliconix irfsl9n60atrl -
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL9 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFR214TRR Vishay Siliconix irfr214trr -
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI3456BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3456BDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.1W (TA)
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA907 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TC) 57mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 23NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7905 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 40V 6A 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 880pf @ 20V -
IRL620STRL Vishay Siliconix irl620strl -
RFQ
ECAD 4869 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRL520L Vishay Siliconix irl520L -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRL520 MOSFET (금속 (() TO-262-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL520L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI2335DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2335DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8189 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2335 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 51mohm @ 4a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 15 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 750MW (TA)
SIHA240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA240N60E-GE3 2.9600
RFQ
ECAD 9526 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA240 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 783 pf @ 100 v - 31W (TC)
2N7002-T1-GE3 Vishay Siliconix 2N7002-T1-GE3 0.4100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TA)
SQA470CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa470cejw-t1_ge3 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.25A (TC) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 440 pf @ 20 v - 13.6W (TC)
SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7390DP-T1-GE3 1.2191
RFQ
ECAD 2476 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7390 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SIHA18N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA18N60E-GE3 3.1700
RFQ
ECAD 2565 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA18N60E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 202mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9945BDY-T1-GE3 0.8800
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9945 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5.3A 58mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고