전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQD40020E_GE3 | 1.6500 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD40020 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2.33MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 8000 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||
![]() | IRF614STRRPBF | 1.0272 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF614 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||
![]() | SI1071X-T1-GE3 | - | ![]() | 6637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1071 | MOSFET (금속 (() | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 960MA (TA) | 2.5V, 10V | 167mohm @ 960ma, 10V | 1.45V @ 250µA | 13.3 NC @ 10 v | ± 12V | 315 pf @ 15 v | - | 236MW (TA) | ||||
![]() | IRFL210PBF | - | ![]() | 1779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL210 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 200 v | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | SI8424CDB-T1-E1 | 0.6200 | ![]() | 4923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, WLCSP | SI8424 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 6.3A (TA) | 1.2V, 4.5V | 20mohm @ 2a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 5V | 2340 pf @ 4 v | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
irl520pbf | 1.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL520 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | *IRL520PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 9.2A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 5.5a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||
![]() | SUM110N04-03P-E3 | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 110A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
![]() | SIE816DF-T1-GE3 | - | ![]() | 8680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE816 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 60A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10V | 4.4V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 30 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | SI6975DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6975 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 4.3A | 27mohm @ 5.1a, 4.5v | 450MV @ 5MA (Min) | 30NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI4804CDY-T1-E3 | - | ![]() | 3564 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4804 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8a | 22mohm @ 7.5a, 10V | 2.4V @ 250µA | 23NC @ 10V | 865pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SQD97N06-6M3L_GE3 | 1.6600 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD97 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 97A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 6060 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
![]() | SIHF9620S-GE3 | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHF9620S-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||
![]() | SUM75N06-09L-E3 | - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum75 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 9.3mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | 2400 pf @ 25 v | - | ||||||||
![]() | irld120 | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | irld120 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irld120 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1.3A (TA) | 4V, 5V | 270mohm @ 780ma, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
![]() | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG33 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 32.4A (TC) | 10V | 105mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250µA | 173 NC @ 10 v | ± 30V | 4040 pf @ 100 v | - | 313W (TC) | |||||
![]() | SIA444DJT-T4-GE3 | - | ![]() | 1183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA444 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 7.4a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 560 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
![]() | IRLR014PBF | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | sq4917cey-t1_ge3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4917 | MOSFET (금속 (() | 5W (TC) | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 60V | 8A (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 65NC @ 10V | 1910pf @ 30v | - | ||||||||
![]() | SI4447DY-T1-GE3 | 0.8300 | ![]() | 440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4447 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 3.3A (TA) | 15V, 10V | 72mohm @ 4.5a, 15V | 2.2V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 16V | 805 pf @ 20 v | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | irfibc30gpbf | 2.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFIBC30 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | *irfibc30gpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2.5A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||
![]() | SI5938DU-T1-E3 | - | ![]() | 5930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 | SI5938 | MOSFET (금속 (() | 8.3W | PowerPak® Chipfet Dual | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6A | 39mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 16nc @ 8v | 520pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SQJ433EP-T1_BE3 | 1.4100 | ![]() | 3015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SQJ433EP-T1_BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 4877 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | ||||||
![]() | SI3129DV-T1-GE3 | 0.6800 | ![]() | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 80 v | 3.8A (TA), 5.4A (TC) | 4.5V, 10V | 82.7mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 805 pf @ 40 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
![]() | IRF9620STR | - | ![]() | 3041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||
![]() | Sir188LDP-T1-RE3 | 1.5700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIR188LDP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 25.8A (TA), 93.6A (TC) | 4.5V, 10V | 3.75mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
![]() | SI1467DH-T1-GE3 | 0.6700 | ![]() | 9993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1467 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.7A (TC) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 2a, 4.5v | 1V @ 250µA | 13.5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 561 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
![]() | SQM110P06-8M9L_GE3 | 3.2300 | ![]() | 8396 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7450 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||
![]() | IRF740ASTLPBF | 3.0900 | ![]() | 9742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1030 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | sqs401en-t1_ge3 | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SQS401 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1875 pf @ 20 v | - | 62.5W (TC) | |||||
![]() | SIHP15N60E-E3 | 1.5582 | ![]() | 7050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP15 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | SIHP15N60EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 100 v | - | 180W (TC) |
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