SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 4.4659
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 32.4A (TC) 10V 105mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 30V 4040 pf @ 100 v - 313W (TC)
SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir188LDP-T1-RE3 1.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR188LDP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.8A (TA), 93.6A (TC) 4.5V, 10V 3.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
IRL520PBF Vishay Siliconix irl520pbf 1.4600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL520PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 9953 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI3129DV-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 3.8A (TA), 5.4A (TC) 4.5V, 10V 82.7mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 805 pf @ 40 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SI2342DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2342DS-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2342DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 6A (TA), 6A (TC) 1.2V, 4.5V 17mohm @ 7.2a, 4.5v 800MV @ 250µA 15.8 nc @ 4.5 v ± 5V 1070 pf @ 4 v - 1.3W (TA), 2.5W (TC)
SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5944DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5944 MOSFET (금속 (() 10W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 112mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 6.6NC @ 10V 210pf @ 20V 논리 논리 게이트
IRFI730GPBF Vishay Siliconix IRFI730GPBF 2.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI730 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI730GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.7A (TC) 10V 1ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
SQJ433EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ433EP-T1_BE3 1.4100
RFQ
ECAD 3015 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SQJ433EP-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 4877 pf @ 15 v - 83W (TC)
SI5938DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5938DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5938 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 6A 39mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 16nc @ 8v 520pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1467DH-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1467 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TC) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 8V 561 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
IRFR430APBF Vishay Siliconix IRFR430APBF 1.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRF614STRRPBF Vishay Siliconix IRF614STRRPBF 1.0272
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRLD120 Vishay Siliconix irld120 -
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irld120 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 4V, 5V 270mohm @ 780ma, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRF9620STRL Vishay Siliconix IRF9620STR -
RFQ
ECAD 3041 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3W (TA), 40W (TC)
IRFR214TRR Vishay Siliconix irfr214trr -
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI3481DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3481DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7240 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3481 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
IRL620STRL Vishay Siliconix irl620strl -
RFQ
ECAD 4869 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA907 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TC) 57mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 23NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SQ4401CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4401CEY-T1_GE3 1.2300
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-sq4401cey-t1_ge3ct 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 17.3A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 20 v - 7.14W (TC)
IRFIBC30GPBF Vishay Siliconix irfibc30gpbf 2.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc30gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.5A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 35W (TC)
SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4917cey-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4917 MOSFET (금속 (() 5W (TC) 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 8A (TC) 48mohm @ 4.3a, 10V 2.5V @ 250µA 65NC @ 10V 1910pf @ 30v -
SI2343DS-T1 Vishay Siliconix SI2343DS-T1 -
RFQ
ECAD 6118 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2343 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 53mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 750MW (TA)
SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4058DY-T1-GE3 0.6200
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4058 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 10.3A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 50 v - 5.6W (TC)
SUD35N05-26L-E3 Vishay Siliconix SUD35N05-26L-E3 -
RFQ
ECAD 6918 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD35 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 20MOHM @ 20A, 10V 1V @ 250µA (Min) 13 nc @ 5 v ± 20V 885 pf @ 25 v - 7.5W (TA), 50W (TC)
SIA444DJT-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA444DJT-T4-GE3 -
RFQ
ECAD 1183 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA444 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.4a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 560 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIHP15N60E-E3 Vishay Siliconix SIHP15N60E-E3 1.5582
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP15 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP15N60EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 100 v - 180W (TC)
IRF9620STRR Vishay Siliconix IRF9620STRR -
RFQ
ECAD 3324 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3W (TA), 40W (TC)
IRLR014PBF Vishay Siliconix IRLR014PBF 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4447DY-T1-GE3 0.8300
RFQ
ECAD 440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4447 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 3.3A (TA) 15V, 10V 72mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 16V 805 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
IRFZ44PBF Vishay Siliconix IRFZ44PBF 2.0400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ44PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고