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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | SI1553CDL-T1-GE3 | 0.5000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (금속 (() | 340MW | SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 700ma, 500ma | 390mohm @ 700ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.8NC @ 10V | 38pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
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| SI7358ADP-T1-E3 | - | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7358 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 23a, 10V | 3V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4650 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA) | ||||
| SI4154DY-T1-GE3 | 1.4900 | | 9625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4154 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 4230 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
| IRFI620G | - | | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI620 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI620G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 4.1A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||
 | SISC06DN-T1-GE3 | 0.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISC06 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 27.6A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 15a, 10V | 2.1V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2455 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 46.3W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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