RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SQ3418AEEV-T1_GE3	0.3929	RFQ	2137	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3418	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	8a	4.5V, 10V	35mohm @ 6a, 10V	2.5V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 v	± 20V	528 pf @ 25 v	-	5W (TC)
irfr420trlpbf	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR420	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	2.4A (TC)	10V	3ohm @ 1.4a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI7784DP-T1-GE3	-	RFQ	8744	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7784	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1600 pf @ 15 v	-	5W (TA), 27.7W (TC)
irfiz44g	-	RFQ	8638	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	irfiz44	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irfiz44g	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	30A (TC)	10V	28mohm @ 18a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 25 v	-	48W (TC)
Siz920DT-T1-GE3	-	RFQ	6771	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz920	MOSFET (금속 (()	39W, 100W	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 교량)		30V	40a		7.1mohm @ 18.9a, 10V	2.5V @ 250µA	35NC @ 10V		1260pf @ 15V	-
SI7236DP-T1-GE3	-	RFQ	3838	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7236	MOSFET (금속 (()	46W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	60a		5.2mohm @ 20.7a, 4.5v	1.5V @ 250µA	105nc @ 10V		4000pf @ 10V	-
SI5441BDC-T1-GE3	1.1800	RFQ	6324	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5441	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.4A (TA)	2.5V, 4.5V	45mohm @ 4.4a, 4.5v	1.4V @ 250µA	22 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.3W (TA)
irl520L	-	RFQ	7430	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRL520	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL520L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	9.2A (TC)	4V, 5V	270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 v	± 10V	490 pf @ 25 v	-	60W (TC)
sqa470cejw-t1_ge3	0.4200	RFQ	6	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	2.25A (TC)	2.5V, 4.5V	65mohm @ 3a, 4.5v	1.3V @ 250µA	6 NC @ 4.5 v	± 12V	440 pf @ 20 v	-	13.6W (TC)
SI3483DDV-T1-BE3	0.5500	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	6.4A (TA), 8A (TC)	4.5V, 10V	31.2MOHM @ 5A, 10V	2.2V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	+16V, -20V	580 pf @ 15 v	-	2W (TA), 3W (TC)
2N7002-T1-GE3	0.4100	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		TO-236	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
SI7390DP-T1-GE3	1.2191	RFQ	2476	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7390	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SIHA18N60E-GE3	3.1700	RFQ	2565	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드		1 (무제한)		742-SIHA18N60E-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	18A (TC)	10V	202mohm @ 9a, 10V	4V @ 250µA	92 NC @ 10 v	± 30V	1640 pf @ 100 v	-	34W (TC)
SI2335DS-T1-E3	-	RFQ	8189	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2335	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	12 v	3.2A (TA)	1.8V, 4.5V	51mohm @ 4a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	15 nc @ 4.5 v	± 8V	1225 pf @ 6 v	-	750MW (TA)
SIHD3N50D-GE3	0.9200	RFQ	2399	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SIHD3	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	3A (TC)	10V	3.2ohm @ 2.5a, 10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 30V	175 pf @ 100 v	-	69W (TC)
SIA436DJ-T4-GE3	0.2467	RFQ	2153	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA436	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sia436dj-t4-ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	12A (TC)	1.2V, 4.5V	9.4mohm @ 15.7a, 4.5v	800MV @ 250µA	25.2 NC @ 5 v	± 5V	1508 pf @ 4 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
IRFU9020	-	RFQ	9928	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU9	MOSFET (금속 (()		TO-251AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFU9020	귀 99	8541.29.0095	75		p 채널	50 v	9.9A (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	490 pf @ 25 v	-	42W (TC)
IRFI624G	-	RFQ	8475	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI624	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFI624G	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	250 v	3.4A (TC)	10V	1.1ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	30W (TC)
SIRC10DP-T1-GE3	0.8700	RFQ	5369	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIRC10	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	+20V, -16V	1873 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	43W (TC)
SI1307EDL-T1-E3	-	RFQ	9881	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1307	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	12 v	850MA (TA)	1.8V, 4.5V	290mohm @ 1a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	5 nc @ 4.5 v	± 8V		-	290MW (TA)
SI7820DN-T1-E3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7820	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	1.7A (TA)	6V, 10V	240mohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
U441	-	RFQ	7261	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	To-71-6	U441		500MW	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		2 n 채널 (채널)								3pf @ 10V			25 v	6 ma @ 10 v	1 v @ 1 na
SQJ740EP-T1_GE3	1.9200	RFQ	50	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼		MOSFET (금속 (()	93W (TC)	PowerPak® SO-8L 듀얼 BWL	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000	2 n 채널		40V	123A (TC)		3.4mohm @ 7a, 10V	3.5V @ 250µA	56NC @ 10V		3143pf @ 25v	기준
SI4864DY-T1-GE3	4.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4864	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	17A (TA)	2.5V, 4.5V	3.5mohm @ 25a, 4.5v	2V @ 250µA	70 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.6W (TA)
IRF510SPBF	1.4900	RFQ	34	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF510	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF510SPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	5.6A (TC)	10V	540mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	180 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
sqs423enw-t1_ge3	-	RFQ	6729	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8W	SQS423	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqs423enw-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	16A (TC)	4.5V, 10V	21mohm @ 12a, 10V	2.5V @ 250µA	26 NC @ 4.5 v	± 20V	1975 pf @ 15 v	-	62.5W (TC)
SUM90220E-GE3	2.7200	RFQ	9349	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SUM90220	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	64A (TC)	7.5V, 10V	21.6mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 100 v	-	230W (TC)
IRF510PBF-BE3	1.1200	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF510	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irf510pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	5.6A (TC)		540mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	180 pf @ 25 v	-	43W (TC)
IRFR120TRPBF-BE3	1.5800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR120	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	7.7A (TC)	10V	270mohm @ 4.6a, 10V	4V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
IRF540	-	RFQ	9448	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF540	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	100 v	28A (TC)	10V	77mohm @ 17a, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 25 v	-	150W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²