SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR472ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir472adp-t1-ge3 0.6400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir472 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1040 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 14.7W (TC)
SI4567DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4567DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4567 MOSFET (금속 (() 2.75W, 2.95W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 5a, 4.4a 60mohm @ 4.1a, 10V 2.2V @ 250µA 12NC @ 10V 355pf @ 20V -
SUD23N06-31-BE3 Vishay Siliconix SUD23N06-31-BE3 0.9700
RFQ
 ECAD 5071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SUD23N06-31-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 9.1A (TA), 21.4A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 5.7W (TA), 31.25W (TC)
SI2324DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2324DS-T1-BE3 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2324 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI2324DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TA), 2.3A (TC) 4.5V, 10V 234mohm @ 1.5a, 10V 2.8V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI2338DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2338DS-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2338DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.5A (TA), 6A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 424 pf @ 15 v - 1.3W (TA), 2.5W (TC)
SQJ402EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ402EP-T1_BE3 1.5700
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj402ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 32A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10.7a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2286 pf @ 25 v - 83W (TC)
SQJA84EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja84ep-t1_be3 1.2100
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqja84ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 46A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 55W (TC)
SIR406DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir406dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir406 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2083 pf @ 10 v - 5W (TA), 48W (TC)
SUM90N08-7M6P-E3 Vishay Siliconix SUM90N08-7M6P-E3 -
RFQ
 ECAD 1249 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.6mohm @ 30a, 10V 4.8V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3528 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5102dp-t1-Re3 3.0500
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 742-SIR5102DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 27A (TA), 110A (TC) 7.5V, 10V 4.1MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2850 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7174DP-T1-GE3 3.1700
RFQ
 ECAD 710 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7174 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 60A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2770 pf @ 40 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI1403CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1403CDL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4141 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1403 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.1A (TC) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 12V 281 pf @ 10 v - 600MW (TA), 900MW (TC)
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3127 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.5A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 89mohm @ 1.5a, 4.5v 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 833 pf @ 20 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SI7455DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7455DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9000 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7455 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 28A (TC) 6V, 10V 25mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5160 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 83.3W (TC)
SIHFR024-GE3 Vishay Siliconix SIHFR024-GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHD14N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60E-GE3 2.3000
RFQ
 ECAD 915 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD14 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-GE3 0.9000
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 10V 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
IRFR1N60APBF-BE3 Vishay Siliconix irfr1n60apbf-be3 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-IRFR1N60APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFD9024 Vishay Siliconix IRFD9024 -
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9024 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9024 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-E3 1.6000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4463 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 9.8A (TA) 2.5V, 10V 11mohm @ 13.7a, 10V 1.4V @ 250µA 56 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7454CDP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 22A (TC) 4.5V, 10V 30.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 580 pf @ 50 v - 4.1W (TA), 29.7W (TC)
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-GE3 2.7500
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
SQR100N04-3M8R_GE3 Vishay Siliconix SQR100N04-3M8R_GE3 0.6791
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - SQR100 - - - ROHS3 준수 1 (무제한) 742-sqr100n0n0n0n04-3m8r_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 - - - - - - - -
2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2N7002K-T1-GE3 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 350MW (TA)
2N7002E Vishay Siliconix 2N7002E -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 340ma 4.5V, 10V 5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 21 pf @ 5 v - 350MW (TA)
SI2303CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-E3 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TC) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 155 pf @ 15 v - 2.3W (TC)
SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG180N60E-GE3 3.7500
RFQ
 ECAD 329 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG180 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRF644L Vishay Siliconix IRF644L -
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF644 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - -
SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1011 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 480MA (TA) 1.2V, 4.5V 640mohm @ 400ma, 4.5v 800MV @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 5V 62 pf @ 6 v - 190MW (TA)
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TC) 1.5V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 8V 1275 pf @ 6 v - 1.2W (TA), 1.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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