SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR836DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir836dp-t1-ge3 0.8300
RFQ
ECAD 3788 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir836 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 21A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 20 v - 3.9W (TA), 15.6W (TC)
IRFR020TRL Vishay Siliconix irfr020trl -
RFQ
ECAD 6218 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHF23N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF23N60E-GE3 1.7972
RFQ
ECAD 9785 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF23 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 30V 2418 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRFBE30SPBF Vishay Siliconix IRFBE30SPBF 3.2000
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBE30SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHD240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHD240N60E-GE3 2.5500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD240 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 783 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2399DS-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 4257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2399 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 10V 34mohm @ 5.1a, 10V 1.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 12V 835 pf @ 10 v - 2.5W (TC)
IRFP460LC Vishay Siliconix IRFP460LC -
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFP460LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRF9540PBF Vishay Siliconix IRF9540PBF 2.1500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9540PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3 1.3000
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW 다운로드 1 (무제한) 742-SQS140ENW-T1_GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 214A (TC) 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3111 pf @ 25 v - 197W (TC)
SIR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir870ADP-T1-RE3 2.2600
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir870 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2866 pf @ 50 v - 104W (TC)
IRFBC30STRLPBF Vishay Siliconix IRFBC30STRLPBF 2.9100
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4228DY-T1-GE3 0.8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4228 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 18mohm @ 7a, 10V 1.4V @ 250µA 25NC @ 10V 790pf @ 12.5v 논리 논리 게이트
IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix IRFBF20STRLPBF 2.4700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
SQC40016E_DFFR Vishay Siliconix SQC40016E_DFFR 2.1000
RFQ
ECAD 9527 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 - - - SQC40016 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQC40016E_DFFR 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
SIDR626LEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626LEP-T1-RE3 3.4000
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 48.7A (TA), 218A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
IRLI620G Vishay Siliconix irli620g -
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli620 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irli620g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 4A (TC) 4V, 5V 800mohm @ 2.4a, 5V 2V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRFDC20PBF Vishay Siliconix IRFDC20PBF 2.2600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFDC20 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFDC20PBF 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 600 v 320MA (TA) 10V 4.4ohm @ 190ma, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFR9214TR Vishay Siliconix irfr9214tr -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4136DY-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4136 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 46A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
IRFI9540GPBF Vishay Siliconix IRFI9540GPBF 3.6100
RFQ
ECAD 541 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9540 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9540GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 11A (TC) 10V 200mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFU120 Vishay Siliconix IRFU120 -
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU1 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIS414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 2.5V, 4.5V 16mohm @ 10a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 12V 795 pf @ 15 v - 3.4W (TA), 31W (TC)
SIHB33N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB33N60E-GE3 6.1800
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB33N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 99mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3508 pf @ 100 v - 278W (TC)
SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_BE3 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TC) 1.5V, 4.5V 240mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 2.5 NC @ 4.5 v ± 8V 330 pf @ 25 v - 3W (TC)
SQJQ186ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ186ER-T1_GE3 2.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 SQJQ186 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 329A (TC) 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 20V 10552 pf @ 25 v - 600W (TC)
SIE806DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE806DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8509 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE806 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIHH20N50E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH20N50E-T1-GE3 4.8500
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH20 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 147mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2063 pf @ 100 v - 174W (TC)
IRFR214TRRPBF Vishay Siliconix irfr214trrpbf 0.6159
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SUM90142E-GE3 Vishay Siliconix SUM90142E-GE3 3.2700
RFQ
ECAD 8011 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90142 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 90A (TC) 7.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 3120 pf @ 100 v - 375W (TC)
IRFR020TRPBF Vishay Siliconix IRFR020TRPBF 1.6800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고