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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1972DH-T1-E3 | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1972 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.3a, 10V | 2.8V @ 250µA | 2.8NC @ 10V | 75pf @ 15V | - | ||||||
![]() | SQS966ENW-T1_GE3 | 0.9800 | ![]() | 8853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® 1212-8W 듀얼 | SQS966 | MOSFET (금속 (() | 27.8W (TC) | PowerPak® 1212-8W 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 6A (TC) | 36mohm @ 1.25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.8nc @ 10V | 572pf @ 25v | - | |||||||
![]() | SUD23N06-31L-E3 | - | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD23 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||
![]() | SI8457dB-T1-E1 | 0.6000 | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA | SI8457 | MOSFET (금속 (() | 4 (® ® (1.6x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 6.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 93 NC @ 8 v | ± 8V | 2900 pf @ 6 v | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
![]() | IRFR9014PBF-BE3 | 0.6468 | ![]() | 5929 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 742-irfr9014pbf-be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 5.1A (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
![]() | sira28bdp-t1-ge3 | 0.5700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira28 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 38A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | +20V, -16V | 582 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 17W (TC) | |||||
![]() | TP0202K-T1-GE3 | - | ![]() | 2224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0202 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 385MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.4ohm @ 500ma, 10V | 3V @ 250µA | 1 nc @ 10 v | ± 20V | 31 pf @ 15 v | - | 350MW (TA) | ||||
![]() | sir330dp-t1-ge3 | - | ![]() | 8799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir330 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | ||||
![]() | SI6983DQ-T1-E3 | - | ![]() | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6983 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.6a | 24mohm @ 5.4a, 4.5v | 1V @ 400µA | 30NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | sir418dp-t1-ge3 | 1.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir418 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 2410 pf @ 20 v | - | 39W (TC) | |||||
![]() | SQJ910AEP-T2_GE3 | 0.5433 | ![]() | 7378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ910 | MOSFET (금속 (() | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqj910aep-t2_ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 30A (TC) | 7mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 39NC @ 10V | 1869pf @ 15V | - | ||||||
![]() | SI4940DY-T1-E3 | - | ![]() | 5892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4940 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 4.2A | 36mohm @ 5.7a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 14NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI3585CDV-T1-GE3 | 0.5500 | ![]() | 3868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3585 | MOSFET (금속 (() | 1.4W, 1.3W | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 3.9a, 2.1a | 58mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 4.8nc @ 10V | 150pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SQ7415AEN-T1_BE3 | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SQ7415 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1385 pf @ 25 v | - | 53W (TC) | |||||||
![]() | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4840 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 20.7A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 2440 pf @ 20 v | - | 7.1W (TC) | ||||||
![]() | SI5517DU-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 | SI5517 | MOSFET (금속 (() | 8.3W | PowerPak® Chipfet Dual | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 6A | 39mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 16nc @ 8v | 520pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | sqja64ep-t1_be3 | 0.7300 | ![]() | 7773 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqja64ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 15A (TC) | 10V | 32mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||
![]() | SQD50P08-25L_GE3 | 2.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 80 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 10.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 137 NC @ 10 v | ± 20V | 5350 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
![]() | SI4966DY-T1-E3 | - | ![]() | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4966 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | - | 25mohm @ 7.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 50NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SI4214DDY-T1-GE3 | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4214 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8.5A | 19.5mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22NC @ 10V | 660pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI1902CDL-T1-BE3 | 0.4500 | ![]() | 8039 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (금속 (() | 300MW (TA), 420MW (TC) | SC-70-6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-SI1902CDL-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1A (TA), 1.1A (TC) | 235mohm @ 1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 3NC @ 10V | 62pf @ 10V | - | ||||||
![]() | SUM110N03-04P-E3 | - | ![]() | 5275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 20V | 5100 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||
![]() | SQD50P04-13L_GE3 | 2.9100 | ![]() | 466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 17a, 10V | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3590 pf @ 20 v | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
![]() | SI2323CDS-T1-GE3 | 0.7500 | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1090 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
![]() | IRFBF20STRR | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBF20 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 1.7A (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
![]() | SI3476DV-T1-BE3 | 0.4700 | ![]() | 2625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI3476DV-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 3.5A (TA), 4.6A (TC) | 4.5V, 10V | 93mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 20V | 195 pf @ 40 v | - | 2W (TA), 3.6W (TC) | ||||||
![]() | SIHB30N60ALE-GE3 | 5.9500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 엘자 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB30 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 28A (TC) | 10V | 120mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 2565 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SIB4316EDK-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TA), 6A (TC) | 2.5V, 10V | 57mohm @ 4a, 10V | 1.4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 12V | - | 1.9W (TA), 10W (TC) | |||||||
sup90n06-6m0p-e3 | 3.1400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup90 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 4.5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 30 v | - | 3.75W (TA), 272W (TC) | ||||||
![]() | sir584dp-t1-Re3 | 1.5700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 24.7A (TA), 100A (TC) | 7.5V, 10V | 3.9mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 83.3W (TC) |
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