SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1972DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1972DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1972 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 1.3a 225mohm @ 1.3a, 10V 2.8V @ 250µA 2.8NC @ 10V 75pf @ 15V -
SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 0.9800
RFQ
ECAD 8853 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8W 듀얼 SQS966 MOSFET (금속 (() 27.8W (TC) PowerPak® 1212-8W 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TC) 36mohm @ 1.25a, 10V 2.5V @ 250µA 8.8nc @ 10V 572pf @ 25v -
SUD23N06-31L-E3 Vishay Siliconix SUD23N06-31L-E3 -
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 23A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3W (TA), 100W (TC)
SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8457dB-T1-E1 0.6000
RFQ
ECAD 8268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8457 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 93 NC @ 8 v ± 8V 2900 pf @ 6 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9014PBF-BE3 0.6468
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr9014pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira28bdp-t1-ge3 0.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira28 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 38A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 14 nc @ 10 v +20V, -16V 582 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
TP0202K-T1-GE3 Vishay Siliconix TP0202K-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0202 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 385MA (TA) 4.5V, 10V 1.4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 31 pf @ 15 v - 350MW (TA)
SIR330DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir330dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 8799 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir330 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.7W (TC)
SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6983 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.6a 24mohm @ 5.4a, 4.5v 1V @ 400µA 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir418dp-t1-ge3 1.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 20 v - 39W (TC)
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ910 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj910aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 7mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 39NC @ 10V 1869pf @ 15V -
SI4940DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4940DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4940 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 4.2A 36mohm @ 5.7a, 10V 1V @ 250µA (Min) 14NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3585CDV-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3585 MOSFET (금속 (() 1.4W, 1.3W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.9a, 2.1a 58mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.8nc @ 10V 150pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQ7415AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ7415AEN-T1_BE3 -
RFQ
ECAD 9246 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1385 pf @ 25 v - 53W (TC)
SQ4840EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4840EY-T1_BE3 3.3100
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 20.7A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 20 v - 7.1W (TC)
SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5517DU-T1-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5517 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 6A 39mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 16nc @ 8v 520pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQJA64EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja64ep-t1_be3 0.7300
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqja64ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 32mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 45W (TC)
SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix SQD50P08-25L_GE3 2.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 80 v 50A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 137 NC @ 10 v ± 20V 5350 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI4966DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7920 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4966 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V - 25mohm @ 7.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 50NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4214 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8.5A 19.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22NC @ 10V 660pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-BE3 0.4500
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 300MW (TA), 420MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1902CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1A (TA), 1.1A (TC) 235mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V -
SUM110N03-04P-E3 Vishay Siliconix SUM110N03-04P-E3 -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 110A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
SQD50P04-13L_GE3 Vishay Siliconix SQD50P04-13L_GE3 2.9100
RFQ
ECAD 466 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3590 pf @ 20 v - 3W (TA), 136W (TC)
SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2323CDS-T1-GE3 0.7500
RFQ
ECAD 6436 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.6a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1090 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
IRFBF20STRR Vishay Siliconix IRFBF20STRR -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
SI3476DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3476DV-T1-BE3 0.4700
RFQ
ECAD 2625 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3476DV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 3.5A (TA), 4.6A (TC) 4.5V, 10V 93mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 195 pf @ 40 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60ALE-GE3 5.9500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB30 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 120mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2565 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB4316EDK-T1-GE3 0.4300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA), 6A (TC) 2.5V, 10V 57mohm @ 4a, 10V 1.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V - 1.9W (TA), 10W (TC)
SUP90N06-6M0P-E3 Vishay Siliconix sup90n06-6m0p-e3 3.1400
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 6MOHM @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 272W (TC)
SIR584DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir584dp-t1-Re3 1.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 24.7A (TA), 100A (TC) 7.5V, 10V 3.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 40 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고