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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 저항 -rds (on) |
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![]() | SUM47N10-24L-E3 | - | ![]() | 7940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum47 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 47A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 40a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 136W (TC) | ||||||||
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![]() | Sir640DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir640 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 4930 pf @ 20 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||
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![]() | 2N4393-E3 | - | ![]() | 1646 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4393 | 1.8 w | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 200 | n 채널 | 14pf @ 20V | 40 v | 5 ma @ 20 v | 500 MV @ 1 NA | 100 옴 | |||||||||||||
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![]() | SUD50N02-04P-E3 | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 20V | 5000 pf @ 10 v | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
![]() | IRFD9020 | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9020 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD9020 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.6A (TA) | 10V | 280mohm @ 960ma, 10V | 4V @ 1µa | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||||||
![]() | SI3407DV-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3407 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8A (TC) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 7.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 12V | 1670 pf @ 10 v | - | 4.2W (TC) | |||||||||
![]() | TN2404K-T1-E3 | 0.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 240 v | 200MA (TA) | 2.5V, 10V | 4ohm @ 300ma, 10V | 2V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | - | 360MW (TA) | |||||||||
![]() | SI4116DY-T1-E3 | 1.2500 | ![]() | 3658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4116 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 18A (TC) | 2.5V, 10V | 8.6mohm @ 10a, 10V | 1.4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 12V | 1925 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||||||
![]() | sir680ADP-T1-RE3 | 2.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir680 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 30.7A (TA), 125A (TC) | 7.5V, 10V | 2.88mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | ± 20V | 4415 pf @ 40 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) |
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