SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SUM47N10-24L-E3 Vishay Siliconix SUM47N10-24L-E3 -
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum47 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 136W (TC)
IRFPF30 Vishay Siliconix IRFPF30 -
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPF30 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPF30 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI1013X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1013X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1013 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 350MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
IRFP9140 Vishay Siliconix IRFP9140 -
RFQ
ECAD 6074 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP9140 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP9140 귀 99 8541.29.0095 25 p 채널 100 v 21A (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 180W (TC)
SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1022R-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1022 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 330ma (TA) 4.5V, 10V 1.25ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 250MW (TA)
SI7236DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7236DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5143 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7236 MOSFET (금속 (() 46W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 60a 5.2mohm @ 20.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 105nc @ 10V 4000pf @ 10V -
SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA938DJT-T1-GE3 0.6700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA938 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.8W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sia938djt-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A (TA), 4.5A (TC) 21.5mohm @ 5a, 10V 1.5V @ 250µA 11.5NC @ 10V 425pf @ 10V -
SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS184DN-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS184 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 17.4A (TA), 65.3A (TC) 7.5V, 10V 5.8mohm @ 10a, 10V 3.4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1490 pf @ 30 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4153DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4153DY-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.3A (TA), 19.3A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 25V 3600 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.6W (TC)
SI1300BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1300BDL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1300 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 400MA (TC) 2.5V, 4.5V 850mohm @ 250ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.84 nc @ 4.5 v ± 8V 35 pf @ 10 v - 190MW (TA), 200MW (TC)
SQJA46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja46ep-t1_ge3 1.1500
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA46 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 10V 3MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir640DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir640 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 4930 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix siha11n80e-ge3 3.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA11 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 34W (TC)
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz916 MOSFET (금속 (() 22.7W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16a, 40a 6.4mohm @ 19a, 10V 2.4V @ 250µA 26NC @ 10V 1208pf @ 15V -
SQ3989EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3989EV-T1_BE3 0.6000
RFQ
ECAD 8623 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3989 MOSFET (금속 (() 1.67W (TC) 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3989ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.5A (TC) 155mohm @ 400ma, 10V 1.5V @ 250µA 11.1NC @ 10V - -
2N4393-E3 Vishay Siliconix 2N4393-E3 -
RFQ
ECAD 1646 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4393 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 14pf @ 20V 40 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4936 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.9A 35mohm @ 5.9a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 530pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIDR104AEP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR104AEP-T1-RE3 3.0500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 21.1A (TA), 90.5A (TC) 7.5V, 10V 6.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 50 v - 6.5W (TA), 120W (TC)
SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS64DN-T1-GE3 1.3800
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS64 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 68 NC @ 10 v +20V, -16V 3420 pf @ 15 v - 57W (TC)
SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-E3 1.6600
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 19A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.4a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 6W (TC)
SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA929DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA929 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.5A (TC) 64mohm @ 3a, 10V 1.1V @ 250µA 21NC @ 10V 575pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIDR390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR390DP-T1-GE3 2.4900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR390 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 69.9A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.8mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 153 NC @ 10 v +20V, -16V 10180 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
IRFZ10 Vishay Siliconix IRFZ10 -
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ10 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 25 v - 157W (TC)
SUD50N02-04P-E3 Vishay Siliconix SUD50N02-04P-E3 -
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 20V 5000 pf @ 10 v - 8.3W (TA), 136W (TC)
IRFD9020 Vishay Siliconix IRFD9020 -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9020 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9020 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 1µa 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3407DV-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3407 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 12V 1670 pf @ 10 v - 4.2W (TC)
TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix TN2404K-T1-E3 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TN2404 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 240 v 200MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 2V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 360MW (TA)
SI4116DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4116DY-T1-E3 1.2500
RFQ
ECAD 3658 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4116 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 18A (TC) 2.5V, 10V 8.6mohm @ 10a, 10V 1.4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 12V 1925 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680ADP-T1-RE3 2.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir680 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30.7A (TA), 125A (TC) 7.5V, 10V 2.88mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 20V 4415 pf @ 40 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고