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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
IRFBG20PBF-BE3	1.8300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFBG20	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-irfbg20pbf-be3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	1000 v	1.4A (TC)	10V	11ohm @ 840ma, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	500 pf @ 25 v	-	54W (TC)
SI5442DU-T1-GE3	0.6300	RFQ	9052	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5442	MOSFET (금속 (()		PowerPak® Chipfet 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	25A (TC)	1.8V, 4.5V	10mohm @ 8a, 4.5v	900MV @ 250µA	45 NC @ 8 v	± 8V	1700 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
IRFP244PBF	5.3100	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP244	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFP244PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	250 v	15A (TC)	10V	280mohm @ 9a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	150W (TC)
sqa407cejw-t1_ge3	0.5700	RFQ	6843	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	PowerPak® SC-70-6		MOSFET (금속 (()		PowerPak®SC-70W-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	9A (TC)	2.5V, 4.5V	25mohm @ 4.5a, 4.5v	1.3V @ 250µA	24 nc @ 4.5 v	± 12V	2100 pf @ 10 v	-	13.6W (TC)
IRF520S	-	RFQ	6941	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF520	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF520	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	9.2A (TC)	10V	270mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
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SIA477EDJT-T1-GE3	0.4800	RFQ	7823	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA477	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	12A (TC)	1.8V, 4.5V	13mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 8V	3050 pf @ 6 v	-	19W (TC)
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SI1903DL-T1-GE3	-	RFQ	5939	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1903	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	410ma		995mohm @ 410ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.8NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
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sqjb60ep-t1_be3	1.3100	RFQ	7339	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB60	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭	다운로드		1 (무제한)		742-sqjb60ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	30A (TC)		12MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	30NC @ 10V		1600pf @ 25V	-
IRLZ24LPBF	1.6400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRLZ24	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRLZ24LPBF	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	17A (TC)	4V, 5V	100mohm @ 10a, 5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 v	± 10V	870 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
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sqj476ep-t1_ge3	0.9400	RFQ	2630	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ476	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	23A (TC)	4.5V, 10V	38mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	45W (TC)
SI7448DP-T1-GE3	-	RFQ	2402	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7448	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	13.4A (TA)	2.5V, 4.5V	6.5mohm @ 22a, 4.5v	1.5V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.9W (TA)
SI1033X-T1-GE3	-	RFQ	9858	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1033	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	145ma		8ohm @ 150ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7172DP-T1-GE3	2.8200	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7172	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	25A (TC)	6V, 10V	70mohm @ 5.9a, 10V	4V @ 250µA	77 NC @ 10 v	± 20V	2250 pf @ 100 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
IRF540STRR	-	RFQ	8233	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF540	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	28A (TC)	10V	77mohm @ 17a, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 150W (TC)
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irfr214trl	-	RFQ	8939	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR214	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	250 v	2.2A (TC)	10V	2ohm @ 1.3a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI3447BDV-T1-E3	-	RFQ	9859	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3447	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	4.5A (TA)	1.8V, 4.5V	40mohm @ 6a, 4.5v	1V @ 250µA	14 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.1W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²