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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI4483ADY-T1-GE3	1.2100	RFQ	7322	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4483	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	19.2A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 10a, 10V	2.6V @ 250µA	135 NC @ 10 v	± 25V	3900 pf @ 15 v	-	2.9W (TA), 5.9W (TC)
SI7119DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7119	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	3.8A (TC)	6V, 10V	1a, 1a, 10v 1.05ohm	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	666 pf @ 50 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SISH112DN-T1-GE3	1.4900	RFQ	8296	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH	SISH112	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	11.3A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 17.8a, 10V	1.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 12V	2610 pf @ 15 v	-	1.5W (TC)
IRFBC30AST	-	RFQ	2952	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC30	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	3.6A (TC)	10V	2.2ohm @ 2.2a, 10V	4.5V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 30V	510 pf @ 25 v	-	74W (TC)
SI5403DC-T1-GE3	1.0400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5403	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	6A (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 7.2a, 10V	3V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	1340 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 6.3W (TC)
SQM200N04-1M7L_GE3	3.3700	RFQ	3819	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	SQM200	MOSFET (금속 (()		TO-263-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	200a (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	291 NC @ 10 v	± 20V	11168 pf @ 20 v	-	375W (TC)
SUD50NP04-77P-T4E3	-	RFQ	9003	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD	SUD50	MOSFET (금속 (()	10.8W, 24W	TO-252-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	n 공통 p 채널, 공통 배수		40V	8a		37mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		640pf @ 20V	-
Sir814DP-T1-GE3	-	RFQ	9411	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir814	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.1MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 20 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SI2377EDS-T1-BE3	0.5200	RFQ	8759	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SI2377EDS-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.7A (TA), 4.4A (TC)	1.5V, 4.5V	61mohm @ 3.2a, 4.5v	1V @ 250µA	21 NC @ 8 v	± 8V		-	1.25W (TA), 1.8W (TC)
IRF740SPBF	2.8000	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF740	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF740SPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI4910DY-T1-E3	-	RFQ	3885	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4910	MOSFET (금속 (()	3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	7.6a		27mohm @ 6a, 10V	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-
sir401dp-t1-ge3	0.9700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir401	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	50A (TC)	2.5V, 10V	3.2mohm @ 15a, 10V	1.5V @ 250µA	310 nc @ 10 v	± 12V	9080 pf @ 10 v	-	5W (TA), 39W (TC)
2N6661JTXL02	-	RFQ	8572	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N6661	MOSFET (금속 (()		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20		n 채널	90 v	860MA (TC)	5V, 10V	4ohm @ 1a, 10V	2V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	725MW (TA), 6.25W (TC)
IRFR024	-	RFQ	8624	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR024	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SIS990DN-T1-GE3	0.9200	RFQ	7977	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SIS990	MOSFET (금속 (()	25W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	12.1a		85mohm @ 8a, 10V	4V @ 250µA	8NC @ 10V		250pf @ 50V	-
SI7617DN-T1-GE3	0.8800	RFQ	241	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7617	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	12.3mohm @ 13.9a, 10V	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 v	± 25V	1800 pf @ 15 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI1023X-T1-GE3	0.4400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1023	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	370ma		1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
irfr310trpbf	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	400 v	1.7A (TC)	10V	3.6ohm @ 1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SQ4410EY-T1_BE3	1.5200	RFQ	4	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4410	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)		742-sq4410ey-t1_be3ct	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 20V	2385 pf @ 25 v	-	5W (TC)
SI4925BDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	1623	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4925	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	5.3A		25mohm @ 7.1a, 10V	3V @ 250µA	50NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SIA813DJ-T1-GE3	-	RFQ	7261	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA813	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.5A (TC)	1.8V, 4.5V	94mohm @ 2.8a, 4.5v	1V @ 250µA	13 nc @ 8 v	± 8V	355 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.9W (TA), 6.5W (TC)
SISS65DN-T1-GE3	0.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS65	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	25.9A (TA), 94A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	138 NC @ 10 v	± 20V	4930 pf @ 15 v	-	5.1W (TA), 65.8W (TC)
SI1431DH-T1-GE3	-	RFQ	8912	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1431	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	1.7A (TA)	4.5V, 10V	200mohm @ 2a, 10V	3V @ 100µa	4 NC @ 4.5 v	± 20V		-	950MW (TA)
SQD100N02_3M5L4GE3	0.6209	RFQ	5786	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD100	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqd100n02_3m5l4ge3tr	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	100A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 10 v	-	83W (TC)
SI7852DP-T1-GE3	2.9500	RFQ	795	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7852	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	7.6A (TA)	6V, 10V	16.5mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA (Min)	41 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6924	MOSFET (금속 (()	1W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		28V	4.1a		33mohm @ 4.6a, 4.5v	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4913DY-T1-GE3	-	RFQ	3943	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4913	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		20V	7.1A		15mohm @ 9.4a, 4.5v	1V @ 500µA	65NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI9435BDY-T1-E3	0.8900	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9435	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	4.1A (TA)	4.5V, 10V	42mohm @ 5.7a, 10V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V		-	1.3W (TA)
IRF9Z24PBF	1.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	60 v	11A (TC)	10V	280mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	60W (TC)
SI1970DH-T1-E3	-	RFQ	7066	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1970	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	1.3a		225mohm @ 1.2a, 4.5v	1.6V @ 250µA	3.8nc @ 10V		95pf @ 15V	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²