SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4913DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4913 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 7.1A 15mohm @ 9.4a, 4.5v 1V @ 500µA 65NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
VQ2001P Vishay Siliconix vq2001p -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - VQ2001 MOSFET (금속 (() 2W - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 4 p 채널 30V 600ma 2ohm @ 1a, 12v 4.5V @ 1mA - 150pf @ 15V -
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs482enw-t1_ge3 0.9200
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS482 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1865 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3429 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 8V 4085 pf @ 50 v - 4.2W (TC)
SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 2.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR668DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23.2A (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SUM110N04-05H-E3 Vishay Siliconix SUM110N04-05H-E3 -
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 5.3MOHM @ 30A, 10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6700 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SUM70090E-GE3 Vishay Siliconix SUM70090E-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 1264 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum70090 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 50A (TC) 7.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 50 v - 125W (TC)
SQJA20EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja20ep-t1_be3 1.4700
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja20ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 22.5A (TC) 7.5V, 10V 50mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIRA80DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA80DP-T1-RE3 1.5900
RFQ
 ECAD 546 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira80 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.62MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 188 NC @ 10 v +20V, -16V 9530 pf @ 15 v - 104W (TC)
SI5473DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5473DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5473 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.9a, 4.5v 1V @ 250µA 32 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SI1054X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1054X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1054 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 12 v 1.32A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 1.32a, 4.5v 1V @ 250µA 8.57 NC @ 5 v ± 8V 480 pf @ 6 v - 236MW (TA)
SI1917EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1917EDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1917 MOSFET (금속 (() 570MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1A 370mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 100µa (최소) 2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
V30433-T1-GE3 Vishay Siliconix V30433-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30433 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA401 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.75A (TC) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir158DP-T1-GE3 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir158 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 4980 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3 1.8574
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE802 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 23.6a, 10V 2.7V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IRFZ24SPBF Vishay Siliconix IRFZ24SPBF 2.4800
RFQ
 ECAD 741 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ24 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
2N6660-E3 Vishay Siliconix 2N6660-E3 -
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SIR4409DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir4409dp-t1-re3 1.3100
RFQ
 ECAD 4098 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 17.2A (TA), 60.6A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 5670 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 59.5W (TC)
SIR826ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir826ADP-T1-GE3 2.5400
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir826 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 40 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SQJ401EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ401EP-T2_GE3 0.9356
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ401 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj401ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 32A (TC) 2.5V, 4.5V 6MOHM @ 15A, 4.5V 1.5V @ 250µA 164 NC @ 4.5 v ± 8V 10015 pf @ 6 v - 83W (TC)
SI7358ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7358ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7358 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 4650 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5855CDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5855 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TC) 1.8V, 4.5V 144mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8 NC @ 5 v ± 8V 276 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA), 2.8W (TC)
SI4823DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4823DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4823 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 108mohm @ 3.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 660 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.7W (TA), 2.8W (TC)
SQS482EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS482EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqs482en-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1865 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI8469DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8469dB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8469 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 4.6A (TA) 4.5V 64mohm @ 1.5a, 4.5v 800MV @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 5V 900 pf @ 4 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7820DN-T1-E3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7820 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.7A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK055N60EF-T1GE3 9.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn SIHK055 MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 58mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 3667 pf @ 100 v - 236W (TC)
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix IRLIZ34GPBF 2.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz34 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irliz34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 20A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 12a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 42W (TC)
SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja34ep-t1_ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA34 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 68W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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