SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SUP90N06-5M0P-E3 Vishay Siliconix SUP90N06-5M0P-E3 -
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 조각 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 5MOHM @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6190 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 300W (TC)
IRFBE20L Vishay Siliconix irfbe20l -
RFQ
 ECAD 1628 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBE20 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *irfbe20l 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
SIR888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir888dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.25mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 16V 5065 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
2N6661JTXV02 Vishay Siliconix 2N6661JTXV02 -
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
IRFP460NPBF Vishay Siliconix IRFP460NPBF -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP460NPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 30V 3540 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0.7900
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4554 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8a 24mohm @ 6.8a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 690pf @ 20V 논리 논리 게이트
SIHP30N60E-E3 Vishay Siliconix SIHP30N60E-E3 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP30N60EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI9433BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9433BDY-T1-E3 0.8900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9433 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.7V, 4.5V 40mohm @ 6.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8429dB-T1-E1 1.0400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8429 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 11.7A (TC) 1.2V, 4.5V 35mohm @ 1a, 4.5v 800MV @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 5V 1640 pf @ 4 v - 2.77W (TA), 6.25W (TC)
IRFR214PBF Vishay Siliconix IRFR214PBF 0.6159
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR214PBF 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFI840GPBF Vishay Siliconix IRFI840GPBF 3.0000
RFQ
 ECAD 729 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI840 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI840GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.6A (TC) 10V 850mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE810DF-T1-E3 1.7317
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE810 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 1.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI2392ADS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-BE3 0.5400
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2392ADS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.2A (TA), 3.1A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
IRFU420PBF Vishay Siliconix IRFU420PBF 1.3400
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU420 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu420pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix SUM36N20-54P-E3 -
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum36 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 36A (TC) 10V, 15V 53mohm @ 20a, 15V 4.5V @ 250µA 127 NC @ 15 v ± 25V 3100 pf @ 25 v - 3.12W (TA), 166W (TC)
SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH5800E-T1-GE3 6.5400
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 30A (TA), 302A (TC) 7.5V, 10V 1.35mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 7730 pf @ 40 v - 3.3W (TA), 333W (TC)
SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4774DY-T1-GE3 0.3900
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4774 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.3v @ 1ma 14.3 NC @ 4.5 v ± 20V 1025 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 5W (TC)
SQJA70EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja70ep-t1_be3 0.7500
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja70ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 14.7A (TC) 10V 95mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 27W (TC)
SIHF9540PBF Vishay Siliconix SIHF9540pbf -
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 활동적인 SIHF9540 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50
SI2314EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3 0.3197
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2314 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.77A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5a, 4.5v 950MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 750MW (TA)
SUD50N025-06P-E3 Vishay Siliconix SUD50N025-06P-E3 -
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 25 v 78A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2490 pf @ 12 v - 10.7W (TA), 65W (TC)
SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3 4.1200
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB22N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65E-GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFPE30PBF Vishay Siliconix irfpe30pbf 5.5600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPE30 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFI644GPBF Vishay Siliconix IRFI644GPBF 2.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI644 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI644GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 7.9A (TC) 10V 280mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ131EL-T1_GE3 3.3300
RFQ
 ECAD 3247 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqjq131el-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 280A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 731 NC @ 10 v ± 20V 33050 pf @ 15 v - 600W (TC)
SI7860ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7860ADP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7860 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SUP85N10-10P-GE3 Vishay Siliconix sup85n10-10p-ge3 -
RFQ
 ECAD 6079 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 85A (TC) 10V 10MOHM @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4660 pf @ 50 v - 3.75W (TA), 227W (TC)
SQJ446EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ446EP-T1_GE3 0.6209
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ446 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4220 pf @ 20 v - 46W (TC)
IRFBE30STRL Vishay Siliconix irfbe30strl -
RFQ
 ECAD 6929 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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