SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR1N60ATRRPBF Vishay Siliconix irfr1n60atrrpbf -
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
2N4856JTXV02 Vishay Siliconix 2N4856JTXV02 -
RFQ
ECAD 8798 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4856 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - -
SIHA22N60E-E3 Vishay Siliconix SiHA22n60E-E3 3.9000
RFQ
ECAD 4436 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRFP22N50A Vishay Siliconix IRFP22N50A -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP22N50A 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3450 pf @ 25 v - 277W (TC)
SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb40ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB40 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 8mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 1900pf @ 25v -
SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj459ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ459 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 52A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 4586 pf @ 30 v - 83W (TC)
IRF540PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF540PBF-BE3 2.1500
RFQ
ECAD 199 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF540 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1 (무제한) 742-IRF540PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4447DY-T1-GE3 0.8300
RFQ
ECAD 440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4447 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 3.3A (TA) 15V, 10V 72mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 16V 805 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
IRFBC40LCPBF Vishay Siliconix IRFBC40LCPBF 4.3900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40LCPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1499DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TA), 1.6A (TC) 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
SI3909DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3909DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3909 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V - 200mohm @ 1.8a, 4.5v 500MV @ 250µA (최소) 4NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA60DP-T1-GE3 1.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira60 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.94mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v +20V, -16V 7650 pf @ 15 v - 57W (TC)
SQ4410EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4410EY-T1_BE3 1.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4410 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-sq4410ey-t1_be3ct 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2385 pf @ 25 v - 5W (TC)
SI5449DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5449DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5449 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 3.1a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SI7620DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7620DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7620 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 13A (TC) 10V 126mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 5.2W (TC)
IRL530 Vishay Siliconix IRL530 -
RFQ
ECAD 9746 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL530 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL530 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 88W (TC)
SI7790DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7790DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7790 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SQJ459EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj459ep-t2_ge3 1.2800
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj459ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 52A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 4586 pf @ 30 v - 83W (TC)
IRFR9120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr9120trlpbf-be3 1.6400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr9120trlpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7655DN-T1-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SI7655 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 40A (TC) 2.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 1.1V @ 250µA 225 NC @ 10 v ± 12V 6600 pf @ 10 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_GE3 1.6900
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 74A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4660 pf @ 20 v - 83W (TC)
IRFR9024TR Vishay Siliconix irfr9024tr -
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI7485DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7485DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6840 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7485 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12.5A (TA) 7.3mohm @ 20a, 4.5v 900mv @ 1ma 150 nc @ 5 v -
IRF9Z14PBF Vishay Siliconix IRF9Z14PBF 1.2900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9Z14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
2N4860JTX02 Vishay Siliconix 2N4860JTX02 -
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SQ3469EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3469ev-t1_ge3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3469 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 6.7a, 10V 2.5V @ 25µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 10 v - 5W (TC)
SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1965DH-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 8643 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1965 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 1.3a 390mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 4.2NC @ 8V 120pf @ 6v 논리 논리 게이트
SI7224DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7224DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7224 MOSFET (금속 (() 17.8W, 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 35mohm @ 6.5a, 10V 2.2V @ 250µA 14.5NC @ 10V 570pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRFR014TR Vishay Siliconix irfr014tr -
RFQ
ECAD 6550 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFB9N30A Vishay Siliconix IRFB9N30A -
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB9N30A 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 9.3A (TC) 10V 450mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 96W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고