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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | irfr210trpbf | 1.1700 |  | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 2.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRFZ24STRL | - | | 2509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SI7850DP-T1-E3 | 2.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 6.2A (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 10.3a, 10V | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
| irfbf30strl | - | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBF30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
| irlz14strl | - | | 6846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI7308DN-T1-E3 | 1.1800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7308 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 6A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 5.4a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 665 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
 | Siz320DT-T1-GE3 | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | PowerPair®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz320 | MOSFET (금속 (() | 16.7W, 31W | 8-power33 (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 25V | 30A (TC), 40A (TC) | 8.3mohm @ 8a, 10v, 4.24mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250µA | 8.9nc @ 4.5v, 11.9nc @ 4.5v | 660pf @ 12.5v, 1370pf @ 12.5v | - | |||||||
 | SIA810DJ-T1-GE3 | - | | 9576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA810 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 53mohm @ 3.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11.5 nc @ 8 v | ± 8V | 400 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | |||||
| IRFR014TRPBF | 1.0000 | | 424 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | irfibc30g | - | | 9790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFIBC30 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfibc30g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 2.5A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
 | IRFPC40 | - | | 8904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC40 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPC40 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 6.8A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
| SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7116 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 10.5A (TA) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 16.4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| IRFI840GLCPBF | 2.9600 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI840 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI840GLCPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 850mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||
 | SUM33N20-60P-E3 | - | | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum33 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 33A (TC) | 10V, 15V | 59mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250µA | 113 NC @ 15 v | ± 25V | 2735 pf @ 25 v | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
| SIHD5N50D-GE3 | 1.0500 | | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD5 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 5.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||
 | IRFBF30STRLPBF | 3.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBF30 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 3.6A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
 | sq3481ev-t1_ge3 | 0.6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3481 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7.5A (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 5.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23.5 nc @ 10 v | ± 20V | 870 pf @ 15 v | - | 4W (TC) | ||||||
 | IRFUC20 | - | | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFUC20 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFUC20 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SQ4532AEY-T1_BE3 | 0.8700 | | 629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4532 | MOSFET (금속 (() | 3.3W (TC) | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 7.3A (TC), 5.3A (TC) | 31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250µA | 7.8nc @ 10v, 10.2nc @ 10v | 535pf @ 15v, 528pf @ 15v | - | ||||||||
| SI4480DY-T1-E3 | - | | 5504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4480 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 6A (TA) | 6V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 50 nc @ 10 v | ± 20V | - | 2.5W (TA) | |||||
| IRF644S | - | | 2188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF644S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
| irfi610g | - | | 4436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI610 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irfi610g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 2.6A (TA) | - | - | - | - | ||||||||
| irfibg20g | - | | 1680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfibg20 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irfibg20g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1000 v | - | - | - | - | - | ||||||||
 | IRF9630 | - | | 5324 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9630 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9630 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 6.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||
| IRFP340 | - | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP340 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP340 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 400 v | 11A (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
| irfr9214trpbf | 1.5500 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||
 | SIHP22N60AE-GE3 | 1.9830 | | 8658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP22 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 v | ± 30V | 1451 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||
 | SIHF22N60S-E3 | - | | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF22 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 190mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | 2810 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||
| IRF644STRR | - | | 6443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI5517DU-T1-E3 | - | | 7282 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 | SI5517 | MOSFET (금속 (() | 8.3W | PowerPak® Chipfet Dual | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 6A | 39mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 16nc @ 8v | 520pf @ 10V | 논리 논리 게이트 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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