SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 20V - 1W (TA)
IRFIBC40GLCPBF Vishay Siliconix irfibc40glcpbf 2.3946
RFQ
ECAD 3626 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc40glcpbf 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRF730STRRPBF Vishay Siliconix irf730strrpbf 1.4130
RFQ
ECAD 4329 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRF3314STRL Vishay Siliconix IRF3314STRL -
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF3314 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v - 10V - - ± 20V - -
SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7411DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5353 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7411 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.5A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 11.4a, 4.5v 1V @ 300µA 41 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5v 1V @ 250µA 65 NC @ 8 v ± 8V 2010 pf @ 6 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIHP23N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP23N60E-GE3 3.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP23 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 30V 2418 pf @ 100 v - 227W (TC)
IRFBF30STRL Vishay Siliconix irfbf30strl -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFR9210TRL Vishay Siliconix irfr9210trl -
RFQ
ECAD 9672 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1024X-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 132 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1024 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 485MA 700mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF710PBF Vishay Siliconix IRF710PBF 1.1100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF710 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF710PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 36W (TC)
SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AEF-GE3 2.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP17N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRFBC30PBF Vishay Siliconix IRFBC30PBF 1.7300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC30PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIE810DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3 3.4500
RFQ
ECAD 9670 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE810 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 1.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SQS401ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS401ENW-T1_GE3 -
RFQ
ECAD 7211 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS401 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 21.2 NC @ 4.5 v ± 20V 1875 pf @ 20 v - 62.5W (TC)
IRF830ASPBF Vishay Siliconix IRF830ASPBF 2.2000
RFQ
ECAD 776 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI4340CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4340CDY-T1-E3 1.3500
RFQ
ECAD 612 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4340 MOSFET (금속 (() 3W, 5.4W 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 14.1a, 20a 9.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V 1300pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRFL210TRPBF Vishay Siliconix irfl210trpbf 0.8800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL210 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 960MA (TC) 10V 1.5ohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRF9540L Vishay Siliconix IRF9540L -
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9540 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9540L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - -
IRFBE30STRL Vishay Siliconix irfbe30strl -
RFQ
ECAD 6929 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix SUM36N20-54P-E3 -
RFQ
ECAD 3120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum36 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 36A (TC) 10V, 15V 53mohm @ 20a, 15V 4.5V @ 250µA 127 NC @ 15 v ± 25V 3100 pf @ 25 v - 3.12W (TA), 166W (TC)
SQJ474EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ474EP-T1_BE3 0.9800
RFQ
ECAD 3488 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj474ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 45W (TC)
SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8406DB-T2-E1 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8406 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 16A (TC) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 1a, 4.5v 850MV @ 250µA 20 nc @ 8 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
IRFI744GPBF Vishay Siliconix IRFI744GPBF -
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI744 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI744GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 4.9A (TC) 10V 630mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFIB5N65A Vishay Siliconix irfib5n65a -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfib5 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfib5n65a 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 5.1A (TC) 10V 930mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1417 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFIBC20G Vishay Siliconix irfibc20g -
RFQ
ECAD 2867 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibc20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
IRF9Z24STRR Vishay Siliconix IRF9Z24STRR -
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB068N60EF-GE3 5.5500
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB068 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB068N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 41A (TC) 10V 68mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 30V 2628 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHG11N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHG11N80E-GE3 2.5692
RFQ
ECAD 2599 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG11 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRF730A Vishay Siliconix IRF730A -
RFQ
ECAD 9673 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF730A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고