SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF840LC Vishay Siliconix IRF840LC -
RFQ
ECAD 3579 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF840LC 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4630DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4630DY-T1-E3 2.0000
RFQ
ECAD 8741 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4630 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 16V 6670 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 3.1400
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7434 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.3A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS32LDN-T1-GE3 1.2200
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS32 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17.4A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2550 pf @ 40 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIHP17N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80E-GE3 4.8400
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2408 pf @ 100 v - 208W (TC)
SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N60AE-GE3 7.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 43A (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 182 NC @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 100 v - 313W (TC)
IRF820AL Vishay Siliconix IRF820AL -
RFQ
ECAD 5546 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF820 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820AL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFR1N60APBF Vishay Siliconix irfr1n60apbf 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
V50383-E3 Vishay Siliconix V50383-E3 -
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v50383 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-v50383-e3tr 쓸모없는 500 -
SUP90N08-7M7P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-7m7p-e3 -
RFQ
ECAD 9675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 208.3W (TC)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
SIHP25N60EFL-GE3 Vishay Siliconix SIHP25N60EFL-GE3 4.7300
RFQ
ECAD 1625 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 146mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 2274 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRLR120TRL Vishay Siliconix IRLR120TRL -
RFQ
ECAD 5658 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUD45P04-16P-GE3 Vishay Siliconix SUD45P04-16P-GE3 -
RFQ
ECAD 2221 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16.2mohm @ 14a, 20V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 2765 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 41.7W (TC)
SIHB180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3 1.7861
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB180 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8809 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.94 (TA) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V - 500MW (TA)
IRF9640STRR Vishay Siliconix IRF9640STRR -
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
IRFR110PBF Vishay Siliconix IRFR110PBF 1.0000
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7143DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 173 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7143 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 16.1a, 10V 2.8V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 2230 pf @ 15 v - 4.2W (TA), 35.7W (TC)
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5903DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8859 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5903 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFR110TRPBF Vishay Siliconix irfr110trpbf 1.0000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz300DT-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz300 MOSFET (금속 (() 16.7W, 31W 8-PowerPair® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 11a, 28a 24mohm @ 9.8a, 10V 2.4V @ 250µA 12NC @ 10V 400pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI4480DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4480DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4480 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 6A (TA) 6V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nc @ 10 v ± 20V - 2.5W (TA)
IRFP254 Vishay Siliconix IRFP254 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP254 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP254 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRLD014PBF Vishay Siliconix irld014pbf 1.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irld014pbf 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 60 v 1.7A (TA) 4V, 5V 200mohm @ 1a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIRA62DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA62DP-T1-RE3 1.4000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira62 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 51.4A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 1.2mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 93 NC @ 10 v +16V, -12V 4460 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SI4340CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4340CDY-T1-E3 1.3500
RFQ
ECAD 612 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4340 MOSFET (금속 (() 3W, 5.4W 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 14.1a, 20a 9.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V 1300pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRFR020TR Vishay Siliconix irfr020tr -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja04ep-t1_be3 1.1900
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja04ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 6.2MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB488DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB488 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 250µA 20 nc @ 8 v ± 8V 725 pf @ 6 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고