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![]() | SIHB180N60E-GE3 | 1.7861 | ![]() | 2921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB180 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1085 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||
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![]() | SI4340CDY-T1-E3 | 1.3500 | ![]() | 612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4340 | MOSFET (금속 (() | 3W, 5.4W | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 14.1a, 20a | 9.4mohm @ 11.5a, 10V | 3V @ 250µA | 32NC @ 10V | 1300pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | irfr020tr | - | ![]() | 2637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | sqja04ep-t1_be3 | 1.1900 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqja04ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 75A (TC) | 10V | 6.2MOHM @ 10A, 10V | 3.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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