SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI7668ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7668ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7275 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 12V 8820 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA975DJ-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 179 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA975 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.5A 41mohm @ 4.3a, 4.5v 1V @ 250µA 26NC @ 8V 1500pf @ 6v 논리 논리 게이트
SI3909DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3909DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2906 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3909 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V - 200mohm @ 1.8a, 4.5v 500MV @ 250µA (최소) 4NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFR9210PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9210PBF-BE3 0.7655
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr9210pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF820STRRPBF Vishay Siliconix IRF820STPBF 1.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4448DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4448 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 12 v 50A (TC) 1.8V, 4.5V 1.7mohm @ 20a, 4.5v 1V @ 250µA 150 nc @ 4.5 v ± 8V 12350 pf @ 6 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI4890BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6520 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 25V 1535 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
SI7366DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7366DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9746 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7366 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.7W (TA)
IRFR9024TRLPBF Vishay Siliconix irfr9024trlpbf 1.9400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFR9020PBF Vishay Siliconix IRFR9020PBF 1.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2305 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.8A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 8V 960 pf @ 4 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SI4390DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4390 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12.5a, 10V 2.8V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.4W (TA)
SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI593333DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6428 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI3467DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3467DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3502 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3467 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SIR888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir888dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6224 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.25mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 16V 5065 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
SUM90140E-GE3 Vishay Siliconix SUM90140E-GE3 3.0600
RFQ
ECAD 9684 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90140 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 90A (TC) 7.5V, 10V 17mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 20V 4132 pf @ 100 v - 375W (TC)
SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n62e-ge3 1.6500
RFQ
ECAD 5294 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 620 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 578 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFR9014TR Vishay Siliconix irfr9014tr -
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 5.1A (TC) 10V 500mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss67dn-t1-ge3 1.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS67 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 v ± 25V 4380 pf @ 15 v - 65.8W (TC)
SI1450DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1450DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1450 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 4.53A (TA), 6.04A (TC) 1.5V, 4.5V 47mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.05 nc @ 5 v ± 5V 535 pf @ 4 v - 1.56W (TA), 2.78W (TC)
SIRS4302DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS4302DP-T1-GE3 2.9600
RFQ
ECAD 2620 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs4302 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 87A (TA), 478A (TC) 4.5V, 10V 0.57mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 230 nc @ 10 v +20V, -16V 10150 pf @ 15 v - 6.9W (TA), 208W (TC)
IRFR9010TRPBF Vishay Siliconix irfr9010trpbf 1.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 50 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRFR214 Vishay Siliconix IRFR214 -
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR214 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFIBG20G Vishay Siliconix irfibg20g -
RFQ
ECAD 1680 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibg20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfibg20g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v - - - - -
SI5447DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5447DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5447 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 1.8V, 4.5V 76mohm @ 3.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 10 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
IRFI610G Vishay Siliconix irfi610g -
RFQ
ECAD 4436 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI610 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfi610g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 2.6A (TA) - - - -
IRF830LPBF Vishay Siliconix IRF830LPBF 1.1708
RFQ
ECAD 1636 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir186DP-T1-RE3 1.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir186 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 23A (TA), 60A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 3.6V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 30 v - 5W (TA), 57W (TC)
IRFP9240PBF Vishay Siliconix IRFP9240PBF 3.2300
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP9240 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP9240PBF 귀 99 8541.29.0095 25 p 채널 200 v 12A (TC) 10V 500mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF9Z14LPBF Vishay Siliconix IRF9Z14LPBF 0.8663
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9Z14 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9Z14LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고