SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIZF360DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF360DT-T1-GE3 1.6100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Sizf360 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 52W (TC), 4.3W (TA), 78W (TC) 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF360DT-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23A (TA), 83A (TC), 34A (TA), 143A (TC) 4.5mohm @ 10a, 10v, 1.9mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V, 62NC @ 10V 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V -
IRFZ14PBF Vishay Siliconix IRFZ14PBF 1.2900
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFD420 Vishay Siliconix IRFD420 -
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD420 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD420 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 370MA (TA) 10V 3ohm @ 220ma, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI7601DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7601DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7601 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 19.2mohm @ 11a, 4.5v 1.6V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 12V 1870 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 3.1400
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7434 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.3A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7114ADN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7114 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 39W (TC)
SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ444EP-T1_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ444 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQJA94EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja94ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
ECAD 3505 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA94 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 46A (TC) 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 55W (TC)
SI1058X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1058X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1058 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.5V, 4.5V 91mohm @ 1.3a, 4.5v 1.55V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 12V 380 pf @ 10 v - 236MW (TA)
IRF730PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF730PBF-BE3 1.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf730pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS890DN-T1-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 622 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS890 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 23.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 802 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1016 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 485ma, 370ma 700mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI5441BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-E3 1.1800
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5441 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.4a, 4.5v 1.4V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SIR167DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir167dp-t1-ge3 1.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir167 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 v ± 25V 4380 pf @ 15 v - 65.8W (TC)
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890DY-T1-E3 1.3466
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 20 nc @ 5 v ± 25V - 2.5W (TA)
SI2307BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-BE3 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRLR120TRPBF Vishay Siliconix IRLR120TRPBF 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUM90N06-4M4P-E3 Vishay Siliconix SUM90N06-4M4P-E3 -
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 4.4mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6190 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 300W (TC)
2N6660-2 Vishay Siliconix 2N6660-2 -
RFQ
ECAD 3199 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7625DN-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7625 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 4427 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t1_ge3 1.4900
RFQ
ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ409 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 1.7000
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 25 v - 62W (TC)
SQA700CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa700cejw-t1_ge3 0.5600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9A (TC) 4.5V, 10V 79mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE862DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1481 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (U) SIE862 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (U) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3 0.4000
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2365 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRF730STRLPBF Vishay Siliconix irf730strlpbf 2.3800
RFQ
ECAD 2880 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SIRS5800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS5800DP-T1-GE3 3.1900
RFQ
ECAD 7790 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs5800 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 80 v 46A (TA), 265A (TC) 7.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 6190 pf @ 40 v - 7.4W (TA), 240W (TC)
IRFD214PBF Vishay Siliconix IRFD214PBF 0.5880
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD214 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD214PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 450MA (TA) 10V 2ohm @ 270ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFR024TR Vishay Siliconix irfr024tr -
RFQ
ECAD 4852 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고