전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFI634G | - | ![]() | 4419 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI634 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI634G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 250 v | 5.6A (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 770 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | SI1031R-T1-E3 | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
![]() | SI1426DH-T1-GE3 | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.8A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 3 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1W (TA) | |||||
![]() | SI3588DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3588 | MOSFET (금속 (() | 830MW, 83MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 2.5a, 570ma | 80mohm @ 3a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 7.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | IRFPF50PBF | 6.9100 | ![]() | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPF50 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPF50PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 900 v | 6.7A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||
![]() | SIS4634LDN-T1-GE3 | 0.7200 | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS4634 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | n 채널 | 60 v | 7.8A (TA), 8A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 420 pf @ 30 v | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||||
![]() | sir106adp-t1-Re3 | 1.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir106 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIR106ADP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 16.1A (TA), 65.8 (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2440 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 83.3W (TC) | ||||
SIHP6N40D-E3 | 1.6000 | ![]() | 8974 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP6 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHP6N40DE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 6A (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 311 PF @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||
![]() | irfbe30strr | - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBE30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 800 v | 4.1A (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SI4403DDY-T1-GE3 | 0.4800 | ![]() | 1630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4403 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 15.4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 99 NC @ 8 v | ± 8V | 3250 pf @ 10 v | - | 5W (TC) | |||||
![]() | IRFZ14SPBF | 1.5200 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
![]() | SI6966DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 4a | 30mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | irlr110tr | - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | IRF634SPBF | - | ![]() | 3817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF634 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF634SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 770 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
![]() | IRF740STRR | - | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF740 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | SQJQ960EL-T1_GE3 | 2.4400 | ![]() | 5774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | SQJQ960 | MOSFET (금속 (() | 71W | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 63A (TC) | 9mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1950pf @ 25v | - | |||||||
![]() | SQ3410EV-T1_BE3 | 0.7600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sq3410ev-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1005 pf @ 15 v | - | 5W (TC) | ||||||
![]() | SIS626DN-T1-GE3 | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS626 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 16A (TC) | 2.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10V | 1.4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 12V | 1925 pf @ 15 v | - | 52W (TC) | ||||||
![]() | SUD50N03-09P-GE3 | - | ![]() | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 63A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 7.5W (TA), 65.2W (TC) | |||||
![]() | SQS140ELNW-T1_GE3 | 1.1400 | ![]() | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SLW | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | n 채널 | 40 v | 153A (TC) | 4.5V, 10V | 2.53mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 4051 pf @ 25 v | - | 119W (TC) | ||||||||
![]() | SI9926CDY-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9926 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 8a | 18mohm @ 8.3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 33NC @ 10V | 1200pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SQ7414CENW-T1_GE3 | 0.9600 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8W | SQ7414 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 18A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 8.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1590 pf @ 30 v | - | 62W (TC) | |||||
![]() | IRLR120PBF | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | SI4563DY-T1-E3 | - | ![]() | 6498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4563 | MOSFET (금속 (() | 3.25W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250µA | 85NC @ 10V | 2390pf @ 20V | - | ||||||
![]() | SIHLU024-GE3 | 0.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 870 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
![]() | IRLIZ24GPBF | 0.4772 | ![]() | 8689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | irliz24 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 870 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||||||
![]() | siss50dn-t1-ge3 | 0.8800 | ![]() | 6639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS50 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-siss50dn-t1-ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 45 v | 29.7A (TA), 108A (TC) | 4.5V, 10V | 2.83mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | +20V, -16V | 4000 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
![]() | SI3948DV-T1-E3 | - | ![]() | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (금속 (() | 1.15W | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | - | 105mohm @ 2.5a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 3.2NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SISS46DN-T1-GE3 | 1.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS46 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 12.5A (TA), 45.3A (TC) | 7.5V, 10V | 12.8mohm @ 10a, 10V | 3.4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2140 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
![]() | SI4431BDY-T1-E3 | 1.0000 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4431 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5.7A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.5a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고