SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFI634G Vishay Siliconix IRFI634G -
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI634 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI634G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 5.6A (TC) 10V 450mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 35W (TC)
SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1031R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1031 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 140MA (TA) 1.5V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 20V - 1W (TA)
SI3588DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3588DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6467 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3588 MOSFET (금속 (() 830MW, 83MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.5a, 570ma 80mohm @ 3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFPF50PBF Vishay Siliconix IRFPF50PBF 6.9100
RFQ
ECAD 485 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPF50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPF50PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 900 v 6.7A (TC) 10V 1.6ohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 190W (TC)
SIS4634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS4634LDN-T1-GE3 0.7200
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS4634 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 60 v 7.8A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SIR106ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106adp-t1-Re3 1.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir106 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR106ADP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.1A (TA), 65.8 (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 50 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP6N40DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
IRFBE30STRR Vishay Siliconix irfbe30strr -
RFQ
ECAD 9364 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403DDY-T1-GE3 0.4800
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4403 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 15.4A (TC) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 9a, 4.5v 1V @ 250µA 99 NC @ 8 v ± 8V 3250 pf @ 10 v - 5W (TC)
IRFZ14SPBF Vishay Siliconix IRFZ14SPBF 1.5200
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRLR110TR Vishay Siliconix irlr110tr -
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF634SPBF Vishay Siliconix IRF634SPBF -
RFQ
ECAD 3817 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF634SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRF740STRR Vishay Siliconix IRF740STRR -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ960EL-T1_GE3 2.4400
RFQ
ECAD 5774 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ960 MOSFET (금속 (() 71W PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 60V 63A (TC) 9mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1950pf @ 25v -
SQ3410EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_BE3 0.7600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3410ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1005 pf @ 15 v - 5W (TC)
SIS626DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS626DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6642 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS626 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 16A (TC) 2.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 1.4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 12V 1925 pf @ 15 v - 52W (TC)
SUD50N03-09P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N03-09P-GE3 -
RFQ
ECAD 9942 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 63A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 7.5W (TA), 65.2W (TC)
SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 1.1400
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 153A (TC) 4.5V, 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4051 pf @ 25 v - 119W (TC)
SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-E3 1.3200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 8a 18mohm @ 8.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33NC @ 10V 1200pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7414CENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8.7a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 30 v - 62W (TC)
IRLR120PBF Vishay Siliconix IRLR120PBF 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4563DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4563 MOSFET (금속 (() 3.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8a 16mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 85NC @ 10V 2390pf @ 20V -
SIHLU024-GE3 Vishay Siliconix SIHLU024-GE3 0.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix IRLIZ24GPBF 0.4772
RFQ
ECAD 8689 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irliz24 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 37W (TC)
SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn-t1-ge3 0.8800
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS50 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 742-siss50dn-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 29.7A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SISS46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS46 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.5A (TA), 45.3A (TC) 7.5V, 10V 12.8mohm @ 10a, 10V 3.4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2140 pf @ 50 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고