RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SQJ912AEP-T1_GE3	-	RFQ	5227	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ912	MOSFET (금속 (()	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A		9.3mohm @ 9.7a, 10V	2.5V @ 250µA	38NC @ 10V		1835pf @ 20V	-
sir846dp-t1-ge3	2.5100	RFQ	8527	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir846	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	60A (TC)	7.5V, 10V	7.8mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	72 NC @ 10 v	± 20V	2870 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SQJ170ELP-T1_GE3	1.0800	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	63A (TC)	4.5V, 10V	16.3mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	1165 pf @ 25 v	-	136W (TC)
SI5935CDC-T1-GE3	0.5500	RFQ	4202	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5935	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4a		100mohm @ 3.1a, 4.5v	1V @ 250µA	11nc @ 5v		455pf @ 10V	-
SQS840CENW-T1_GE3	0.7200	RFQ	7302	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8W	SQS840	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SQS840CENW-T1_GE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	12A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 7.5a, 10V	2.5V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	1031 pf @ 20 v	-	33W (TC)
Siz926DT-T1-GE3	1.3000	RFQ	221	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz926	MOSFET (금속 (()	20.2W, 40W	8-PowerPair® (6x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		25V	40A (TC), 60A (TC)		4.8mohm @ 5a, 10v, 2.2mohm @ 8a, 10v	2.2V @ 250µA	19NC @ 10V, 41NC @ 10V		925pf @ 10v, 2150pf @ 10v	-
irfr1n60atr	-	RFQ	6599	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR1	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	1.4A (TC)	10V	7ohm @ 840ma, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 30V	229 pf @ 25 v	-	36W (TC)
sqj868ep-t1_ge3	0.9800	RFQ	8598	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ868	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	58A (TC)	10V	7.35mohm @ 14a, 10V	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 v	± 20V	2450 pf @ 20 v	-	48W (TC)
IRF634STRR	-	RFQ	4361	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF634	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	250 v	8.1A (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	770 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SQD19P06-60L_GE3	1.6000	RFQ	9867	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD19	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	60 v	20A (TC)	4.5V, 10V	55mohm @ 19a, 10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1490 pf @ 25 v	-	46W (TC)
IRFP23N50L	-	RFQ	9469	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP23	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP23N50L	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	500 v	23A (TC)	10V	235mohm @ 14a, 10V	5V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 30V	3600 pf @ 25 v	-	370W (TC)
SISA14DN-T1-GE3	0.6700	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SISA14	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	20A (TC)	4.5V, 10V	5.1MOHM @ 10A, 10V	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 v	+20V, -16V	1450 pf @ 15 v	-	3.57W (TA), 26.5W (TC)
IRFS9N60A	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS9	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFS9N60A	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	9.2A (TC)	10V	750mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 v	± 30V	1400 pf @ 25 v	-	170W (TC)
SI2309CDS-T1-GE3	0.5500	RFQ	83	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2309	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	1.6A (TC)	4.5V, 10V	345mohm @ 1.25a, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 v	± 20V	210 pf @ 30 v	-	1W (TA), 1.7W (TC)
irlz14strl	-	RFQ	6846	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRLZ14	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	10A (TC)	4V, 5V	200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 v	± 10V	400 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
3N163-2	-	RFQ	5994	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔	3N163	MOSFET (금속 (()		To-72	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	20		p 채널	40 v	50MA (TA)	20V	250ohm @ 100µa, 20V	5V @ 10µA		± 30V	3.5 pf @ 15 v	-	375MW (TA)
SIDR608EP-T1-RE3	2.6400	RFQ	3406	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIDR608EP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	45 v	56A (TA), 228A (TC)	4.5V, 10V	1.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	167 NC @ 10 v	+20V, -16V	8900 pf @ 20 v	-	7.5W (TA), 125W (TC)
SIE832DF-T1-GE3	-	RFQ	5622	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (S)	SIE832	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (S)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 14a, 10V	3V @ 250µA	77 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 20 v	-	5.2W (TA), 104W (TC)
SQJ504EP-T1_GE3	1.6100	RFQ	9961	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ504	MOSFET (금속 (()	34W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		40V	30A (TC)		7.5mohm @ 8a, 10v, 17mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250µA	30NC @ 10V, 85NC @ 10V		1900pf @ 25v, 4600pf @ 25v	-
IRFI744G	-	RFQ	3309	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI744	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFI744G	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	450 v	4.9A (TC)	10V	630mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 25 v	-	40W (TC)
SI7840BDP-T1-E3	-	RFQ	4615	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7840	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	11A (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 16.5a, 10V	3V @ 250µA	21 NC @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
SI7356ADP-T1-GE3	-	RFQ	6539	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7356	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	6215 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
irfrc20trpbf	1.2900	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFRC20	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	600 v	2A (TC)	10V	4.4ohm @ 1.2a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI9435BDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9435	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	4.1A (TA)	10V	42mohm @ 5.7a, 10V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V		-	1.3W (TA)
SIHF12N60E-E3	2.8200	RFQ	8175	Vishay Siliconix	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHF12	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		SIHF12N60EE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	12A (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 30V	937 pf @ 100 v	-	33W (TC)
SI4442DY-T1-GE3	1.5780	RFQ	6018	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4442	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TA)	2.5V, 10V	4.5mohm @ 22a, 10V	1.5V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.6W (TA)
irfr224trr	-	RFQ	4535	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR224	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	250 v	3.8A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.3a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI3477DV-T1-GE3	0.7500	RFQ	9052	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3477	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8A (TC)	1.8V, 4.5V	17.5mohm @ 9a, 4.5v	1V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 10V	2600 pf @ 6 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SI6993DQ-T1-GE3	-	RFQ	8483	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6993	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	3.6a		31mohm @ 4.7a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
sir120dp-t1-Re3	1.7100	RFQ	579	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir120	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	24.7A (TA), 106A (TC)	7.5V, 10V	3.55mohm @ 15a, 10V	3.5V @ 250µA	94 NC @ 10 v	± 20V	4150 pf @ 40 v	-	5.4W (TA), 100W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²