SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep-t1_ge3 1.3900
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ992 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 15a 56.2mohm @ 3.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 446pf @ 30v -
SIHG16N50C-E3 Vishay Siliconix SIHG16N50C-E3 4.5900
RFQ
ECAD 5230 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG16 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 380mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 250W (TC)
SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1046R-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1046 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 606MA (TA) 1.8V, 4.5V 420mohm @ 606ma, ​​4.5v 950MV @ 250µA 1.49 NC @ 5 v ± 8V 66 pf @ 10 v - 250MW (TA)
SI4914BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4914 MOSFET (금속 (() 2.7W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 8.4a, 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.7V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v - -
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7137DP-T1-GE3 3.3800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7137 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 1.95mohm @ 25a, 10V 1.4V @ 250µA 585 NC @ 10 v ± 12V 20000 PF @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI7186DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7186DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7186 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 32A (TC) 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 64W (TC)
IRF9Z24STRRPBF Vishay Siliconix irf9z24strrpbf 1.3028
RFQ
ECAD 7821 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4160DY-T1-GE3 1.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4160 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 25.4A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2071 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
IRLZ24 Vishay Siliconix IRLZ24 -
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ24 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ24 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 17A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 60W (TC)
SIHG22N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG22N65E-GE3 3.2943
RFQ
ECAD 8283 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG22 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 227W (TC)
IRFU9214 Vishay Siliconix IRFU9214 -
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9214 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4599DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4599 MOSFET (금속 (() 3W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 6.8A, 5.8A 35.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 640pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7817 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4500 MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 20V 6.6a, 3.8a 20mohm @ 9.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQD23N06-31L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD23N06-31L_T4GE3 0.4269
RFQ
ECAD 4967 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQD23N06-31L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 23A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 845 pf @ 25 v - 37W (TC)
IRFRC20TRRPBF Vishay Siliconix irfrc20trrpbf 0.8236
RFQ
ECAD 6797 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
2N6660JTXL02 Vishay Siliconix 2N6660JTXL02 -
RFQ
ECAD 2234 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
IRLL1503TR Vishay Siliconix irll1503tr -
RFQ
ECAD 3031 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll1503 MOSFET (금속 (() SOT-223 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v - - - - -
SI3481DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3481DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6926 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3481 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
IRFR214PBF Vishay Siliconix IRFR214PBF 0.6159
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR214PBF 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFL9110TR Vishay Siliconix irfl9110tr -
RFQ
ECAD 7383 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFU120PBF Vishay Siliconix IRFU120PBF 1.0600
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU120PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4190DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4190DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5429 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4190 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 20A (TC) 8.8mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 250µA 58 NC @ 10 v 2000 pf @ 50 v -
2N6661JTX02 Vishay Siliconix 2N6661JTX02 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7469DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3 2.6600
RFQ
ECAD 74 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7469 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 28A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10.2a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 83.3W (TC)
SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir770DP-T1-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 7601 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 sir770 MOSFET (금속 (() 17.8W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 8a 21mohm @ 8a, 10V 2.8V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRC740PBF Vishay Siliconix IRC740PBF -
RFQ
ECAD 2473 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC740 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC740pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v 현재 현재 125W (TC)
SIA915DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3323 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA915 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.5A 87mohm @ 2.9a, 10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRLL014TR Vishay Siliconix irll014tr -
RFQ
ECAD 2957 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 1.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFP254PBF Vishay Siliconix IRFP254PBF 4.2200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP254 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP254PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고