SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF640L Vishay Siliconix IRF640L -
RFQ
ECAD 7480 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF640 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7382DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7382 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI6463BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3319 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6463 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.2A (TA) 15mohm @ 7.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 60 nc @ 5 v -
IRFI744GPBF Vishay Siliconix IRFI744GPBF -
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI744 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI744GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 4.9A (TC) 10V 630mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFBE20STRL Vishay Siliconix irfbe20strl -
RFQ
ECAD 8004 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1910 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2305 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.4A (TC) 1.8V, 4.5V 4.1A, 4.5V 40mohm 800MV @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 740 pf @ 4 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SISA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA04DN-T1-GE3 1.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA04 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.15mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRF840ASTRR Vishay Siliconix IRF840AST -
RFQ
ECAD 5202 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1109 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 7.4A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 1065 pf @ 20 v - 5W (TC)
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS890DN-T1-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 622 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS890 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 23.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 802 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRF830LPBF Vishay Siliconix IRF830LPBF 1.1708
RFQ
ECAD 1636 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SQM30010EL_GE3 Vishay Siliconix SQM30010EL_GE3 2.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM30010 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 1.35mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 28000 pf @ 15 v - 375W (TC)
IRFR420TRPBF Vishay Siliconix irfr420trpbf 1.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF9530L Vishay Siliconix IRF9530L -
RFQ
ECAD 7169 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9530 MOSFET (금속 (() i2pak - rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9530L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - -
SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira06dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
ECAD 710 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira06 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRFR014TRL Vishay Siliconix irfr014trl -
RFQ
ECAD 6170 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR420TRR Vishay Siliconix irfr420trr -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHA22N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHA22n60e-ge3 3.9000
RFQ
ECAD 997 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRFI510G Vishay Siliconix irfi510g -
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI510 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI510G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 4.5A (TC) 10V 540mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 27W (TC)
SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2331DS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2331 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 3.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 780 pf @ 6 v - 710MW (TA)
IRFPC50LCPBF Vishay Siliconix IRFPC50LCPBF 4.0688
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC50LCPBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 600mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 2300 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4038DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4038 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 42.5A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 4070 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz902DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 6870 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz902 MOSFET (금속 (() 29W, 66W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16A 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRL540 Vishay Siliconix IRL540 -
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL540 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIHP33N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP33N60EF-GE3 6.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP33 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 98mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 30V 3454 pf @ 100 v - 278W (TC)
SUM70060E-GE3 Vishay Siliconix SUM70060E-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum70060 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 131A (TC) 7.5V, 10V 5.6MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 3330 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRFD214PBF Vishay Siliconix IRFD214PBF 0.5880
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD214 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD214PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 450MA (TA) 10V 2ohm @ 270ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
IRFP354 Vishay Siliconix IRFP354 -
RFQ
ECAD 6022 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP354 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFP354 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 450 v 14A (TC) 10V 350mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix SQD10950E_GE3 1.4500
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD10950 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 11.5A (TC) 7.5V, 10V 162mohm @ 12a, 10V 3.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRFP9140PBF Vishay Siliconix IRFP9140PBF 2.9600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP9140 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP9140PBF 귀 99 8541.29.0095 25 p 채널 100 v 21A (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 180W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고