SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3 0.3900
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2301 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.1A (TC) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 860MW (TA), 1.6W (TC)
SIHF640S-GE3 Vishay Siliconix SIHF640S-GE3 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SIZF928DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF928DT-T1-GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Sizf928 MOSFET (금속 (() 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 33A (TA), 88A (TC), 61A (TA), 248A (TC) 2.45mohm @ 10a, 10v, 750µohm @ 15a, 10v 2V @ 250µA - - -
SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7114DN-T1-E3 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7114 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11.7A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18.3a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB04ELP-T1_GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 11mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 1055pf @ 25v -
SQ2309CES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2309CES-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.7A (TC) 4.5V, 10V 370mohm @ 1.25a, ​​10V 2.5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 265 pf @ 25 v - 2W (TC)
SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp-t1-Re3 1.6400
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 51A (TA), 208A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 NC @ 10 v +20V, -16V 8900 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRF720SPBF Vishay Siliconix IRF720SPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF720SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA18 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38.3A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
IRL540SPBF Vishay Siliconix IRL540SPBF 2.7000
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL540SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SI6973DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6973DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6973 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.1a 30mohm @ 4.8a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4752 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 2.2v @ 1ma 43 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 3W (TA), 6.25W (TC)
SI7392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7392DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.75mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1926DL-T1-E3 0.4100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1926 MOSFET (금속 (() 510MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 370ma 1.4ohm @ 340ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 18.5pf @ 30V 논리 논리 게이트
IRFR120TRLPBF Vishay Siliconix irfr120trlpbf 1.5900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFU320 Vishay Siliconix IRFU320 -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU3 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU320 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI1402DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1402DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1402 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.7A (TA) 2.5V, 4.5V 77mohm @ 3a, 4.5v 1.6V @ 250µA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 950MW (TA)
SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-E3 1.7700
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6423 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 9.5a, 4.5v 800MV @ 400µA 110 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB068N60EF-GE3 5.5500
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB068 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB068N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 41A (TC) 10V 68mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 30V 2628 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir112DP-T1-RE3 1.3800
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 37.6A (TA), 133A (TC) 4.5V, 10V 1.96MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 89 NC @ 10 v +20V, -16V 4270 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626LDP-T1-RE3 3.0400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR626 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 45.6A (TA), 2.4A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI8417DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8417dB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6 c ® ®csp SI8417 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 14.5A (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 57 NC @ 5 v ± 8V 2220 pf @ 6 v - 2.9W (TA), 6.57W (TC)
SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA527DJ-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA527 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 4.5A 29mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 15nc @ 8v 500pf @ 6v 논리 논리 게이트
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4840 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 19A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.4a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 6W (TC)
SIR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir638dp-t1-ge3 1.6600
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir638 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.88mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 204 NC @ 10 v +20V, -16V 10500 pf @ 20 v - 104W (TC)
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ940EP-T1_GE3 1.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ940 MOSFET (금속 (() 48W, 43W PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 15A (TA), 18A (TC) 16mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 20NC @ 20V 896pf @ 20V 논리 논리 게이트
SQW33N65EF-GE3 Vishay Siliconix SQW33N65EF-GE3 6.1900
RFQ
 ECAD 519 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, e 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQW33N65EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 650 v 34A (TC) 10V 109mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 30V 3972 pf @ 100 v - 375W (TC)
IRL630S Vishay Siliconix IRL630S -
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL630S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SQD50P06-15L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD50P06-15L_T4GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SQD50P06-15L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5910 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI9934BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9934BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9934 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 4.8a 35mohm @ 6.4a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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