SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFBC30AS Vishay Siliconix IRFBC30AS -
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC30AS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRF740LCL Vishay Siliconix IRF740LCL -
RFQ
ECAD 7398 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF740 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF740LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA432DJ-T1-GE3 1.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA432 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SI7940DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7940DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9697 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7940 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 7.6a 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir888dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6224 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3.25mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 16V 5065 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3 2.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
IRFL9014TRPBF Vishay Siliconix irfl9014trpbf 0.9300
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFI630GPBF Vishay Siliconix IRFI630GPBF 2.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI630 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI630GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.9A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 35W (TC)
SUM70060E-GE3 Vishay Siliconix SUM70060E-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum70060 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 131A (TC) 7.5V, 10V 5.6MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 3330 pf @ 50 v - 375W (TC)
SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3 1.0500
RFQ
ECAD 2950 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ912 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj912dep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 7.3mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 36NC @ 10V - -
SQ4961EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4961ey-t1_ge3 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4961 MOSFET (금속 (() 3.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 4.4A (TC) 85mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1140pf @ 25V -
SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 1.1400
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 153A (TC) 4.5V, 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4051 pf @ 25 v - 119W (TC)
SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AEF-GE3 2.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP17N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI5441BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-E3 1.1800
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5441 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.4a, 4.5v 1.4V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SUD40N02-08-E3 Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3 -
RFQ
ECAD 6021 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 40A (TC) 2.5V, 4.5V 8.5mohm @ 20a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2660 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 71W (TC)
SQM25N15-52_GE3 Vishay Siliconix SQM25N15-52_GE3 1.4674
RFQ
ECAD 2819 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM25 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 52mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 107W (TC)
SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5418DU-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 659 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5418 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 7.7a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SI7868ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7868ADP-T1-GE3 2.2623
RFQ
ECAD 4724 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7868 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.25mohm @ 20a, 10V 1.6V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 16V 6110 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
IRF9Z10PBF-BE3 Vishay Siliconix irf9z10pbf-be3 1.6300
RFQ
ECAD 862 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9z10pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH101DN-T1-GE3 0.7700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH101 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 16.9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 25V 3595 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
IRFR110TRLPBF Vishay Siliconix irfr110trlpbf 1.3900
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 25W (TC)
SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir112DP-T1-RE3 1.3800
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 37.6A (TA), 133A (TC) 4.5V, 10V 1.96MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 89 NC @ 10 v +20V, -16V 4270 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SIHP28N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP28N60EF-GE3 3.2340
RFQ
ECAD 2860 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP28 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 123mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2714 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFR9020PBF Vishay Siliconix IRFR9020PBF 1.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_BE3 1.6400
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj431aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 9.4A (TC) 6V, 10V 305mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1155 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5515 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4.4a, 3a 40mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQS850EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS850EN-T1_BE3 1.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21.5mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2021 pf @ 30 v - 33W (TC)
IRFU310PBF Vishay Siliconix IRFU310PBF 1.4900
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU310 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu310pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고