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트랜지스터 (5716)
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| SI7476DP-T1-GE3 | - | | 6317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 177 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
| SI7446BDP-T1-E3 | - | | 1257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7446 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 19a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 20V | 3076 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA) | |||||||
| SI7456DP-T1-E3 | 2.1000 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5.7A (TA) | 6V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
 | SI1012CR-T1-GE3 | 0.4700 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 630MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 396mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2 nc @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 240MW (TA) | |||||||
| SI2356DS-T1-BE3 | 0.4000 | | 8251 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 3.2A (TA), 4.3A (TC) | 2.5V, 10V | 51mohm @ 3.2a, 10V | 1.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 12V | 370 pf @ 20 v | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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