전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | sir624dp-t1-Re3 | 1.2000 | ![]() | 2242 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir624 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 5.7A (TA), 18.6A (TC) | 7.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1110 pf @ 100 v | - | 5W (TA), 52W (TC) | ||||||||
![]() | SI2301CDS-T1-BE3 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.3A (TA), 3.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 112mohm @ 2.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | - | 860MW (TA), 1.6W (TC) | ||||||||||
![]() | SQS484EN-T1_GE3 | 1.0100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SQS484 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16.4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1855 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | ||||||||
![]() | SQ2361EES-T1-GE3 | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.5A (TC) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 545 pf @ 30 v | - | 2W (TC) | |||||||
![]() | SI4621DY-T1-E3 | - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4621 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 6.2A (TC) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||||
![]() | IRLI540G | - | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irli540 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRLI540G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 64 NC @ 5 v | ± 10V | 2200 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||||
![]() | SI4965DY-T1-E3 | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4965 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 8V | - | 21mohm @ 8a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 55NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||
![]() | SI5475DC-T1-E3 | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5475 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 5.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 31mohm @ 5.5a, 4.5v | 450mv @ 1ma (min) | 29 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.3W (TA) | ||||||||
![]() | SI3458BDV-T1-E3 | 0.9100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3458 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 4.1A (TC) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 3.2a, 10V | 3V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 30 v | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | ||||||||
![]() | V50383-E3 | - | ![]() | 8432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | v50383 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-v50383-e3tr | 쓸모없는 | 500 | - | |||||||||||||||||||||||
SIHP6N40D-GE3 | 1.1400 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP6 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 6A (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 311 PF @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||||||
SIHP8N50D-GE3 | 1.4000 | ![]() | 280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP8 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8.7A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 527 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||||||
![]() | SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | ![]() | 1632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB22 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHB22N60EGE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 30V | 1920 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | |||||||
![]() | IRFZ48SPBF | 4.4200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||||||
![]() | SIZ980DT-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz980 | MOSFET (금속 (() | 20W, 66W | 8-PowerPair® (6x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널), Schottky | 30V | 20A (TC), 60A (TC) | 6.7mohm @ 15a, 10v, 1.6mohm @ 19a, 10v | 2.2V @ 250µA | 8.1nc @ 4.5v, 35nc @ 4.5v | 930pf @ 15v, 4600pf @ 15v | - | |||||||||||
![]() | SIA465EDJ-T1-GE3 | 0.1583 | ![]() | 2520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA465 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 2.5V, 4.5V | 16.5mohm @ 7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 12V | 2130 pf @ 10 v | - | 19W (TC) | |||||||||
IRF9Z14 | - | ![]() | 3487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9Z14 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 6.7A (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | |||||||
![]() | SI4143DY-T1-GE3 | 0.7800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4143 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 25.3A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 167 NC @ 10 v | ± 25V | 6630 pf @ 15 v | - | 6W (TC) | ||||||||
![]() | SI8472DB-T2-E1 | 0.5600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA | SI8472 | MOSFET (금속 (() | 4 (® ® (1x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.3A (TA) | 1.5V, 4.5V | 44mohm @ 1.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 18 nc @ 8 v | ± 8V | 630 pf @ 10 v | - | 780MW (TA) | |||||||
![]() | SIHG14N50D-GE3 | 3.2800 | ![]() | 495 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG14 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 7a, 10V | 5V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 1144 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||||
![]() | SQJQ936E-T1_GE3 | 3.0100 | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | SQJQ936 | MOSFET (금속 (() | 75W (TC) | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 100A (TC) | 2.3mohm @ 5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 113NC @ 10V | 6600pf @ 25V | - | ||||||||||
![]() | SIHFPS43N50K-GE3 | - | ![]() | 8460 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHFPS43N50K-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 47A (TC) | 10V | 90mohm @ 28a, 10V | 5V @ 250µA | 350 NC @ 10 v | ± 30V | 8310 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | ||||||||
![]() | SST204-E3 | - | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 4.5pf @ 15V | 40 v | 200 µa @ 15 v | 300 MV @ 10 NA | |||||||||||||
![]() | IRFZ14PBF-BE3 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ14 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRFZ14PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 200mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | |||||||||
![]() | SISH472DN-T1-GE3 | 0.6500 | ![]() | 437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH472 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 997 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||
![]() | SI7476DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 177 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
![]() | SI7446BDP-T1-E3 | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7446 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 19a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 20V | 3076 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA) | |||||||
![]() | SI7456DP-T1-E3 | 2.1000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5.7A (TA) | 6V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
![]() | SI1012CR-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 630MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 396mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2 nc @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 240MW (TA) | |||||||
![]() | SI2356DS-T1-BE3 | 0.4000 | ![]() | 8251 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 3.2A (TA), 4.3A (TC) | 2.5V, 10V | 51mohm @ 3.2a, 10V | 1.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 12V | 370 pf @ 20 v | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고