SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir624dp-t1-Re3 1.2000
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir624 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.7A (TA), 18.6A (TC) 7.5V, 10V 60mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 100 v - 5W (TA), 52W (TC)
SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-BE3 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.3A (TA), 3.1A (TC) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 860MW (TA), 1.6W (TC)
SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_GE3 1.0100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1855 pf @ 25 v - 62W (TC)
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2361EES-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.5A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 545 pf @ 30 v - 2W (TC)
SI4621DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4621DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4621 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 6.2A (TC) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA), 3.1W (TC)
IRLI540G Vishay Siliconix IRLI540G -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli540 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRLI540G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 48W (TC)
SI4965DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4965DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4965 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 8V - 21mohm @ 8a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 55NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI5475DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5475DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5475 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 31mohm @ 5.5a, 4.5v 450mv @ 1ma (min) 29 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-E3 0.9100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3458 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.1A (TC) 4.5V, 10V 100mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
V50383-E3 Vishay Siliconix V50383-E3 -
RFQ
ECAD 8432 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v50383 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-v50383-e3tr 쓸모없는 500 -
SIHP6N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-GE3 1.1400
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHP8N50D-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 280 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8.7A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 527 pf @ 100 v - 156W (TC)
SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3 4.1200
RFQ
ECAD 1632 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB22N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
IRFZ48SPBF Vishay Siliconix IRFZ48SPBF 4.4200
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 190W (TC)
SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ980DT-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz980 MOSFET (금속 (() 20W, 66W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 20A (TC), 60A (TC) 6.7mohm @ 15a, 10v, 1.6mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 8.1nc @ 4.5v, 35nc @ 4.5v 930pf @ 15v, 4600pf @ 15v -
SIA465EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA465EDJ-T1-GE3 0.1583
RFQ
ECAD 2520 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA465 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 16.5mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 12V 2130 pf @ 10 v - 19W (TC)
IRF9Z14 Vishay Siliconix IRF9Z14 -
RFQ
ECAD 3487 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z14 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4143DY-T1-GE3 0.7800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4143 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 25.3A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 167 NC @ 10 v ± 25V 6630 pf @ 15 v - 6W (TC)
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 0.5600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8472 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.3A (TA) 1.5V, 4.5V 44mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 18 nc @ 8 v ± 8V 630 pf @ 10 v - 780MW (TA)
SIHG14N50D-GE3 Vishay Siliconix SIHG14N50D-GE3 3.2800
RFQ
ECAD 495 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG14 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 7a, 10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 1144 pf @ 100 v - 208W (TC)
SQJQ936E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ936E-T1_GE3 3.0100
RFQ
ECAD 8828 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ936 MOSFET (금속 (() 75W (TC) PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 40V 100A (TC) 2.3mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 113NC @ 10V 6600pf @ 25V -
SIHFPS43N50K-GE3 Vishay Siliconix SIHFPS43N50K-GE3 -
RFQ
ECAD 8460 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHFPS43N50K-GE3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 47A (TC) 10V 90mohm @ 28a, 10V 5V @ 250µA 350 NC @ 10 v ± 30V 8310 pf @ 25 v - 540W (TC)
SST204-E3 Vishay Siliconix SST204-E3 -
RFQ
ECAD 3203 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST204 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 4.5pf @ 15V 40 v 200 µa @ 15 v 300 MV @ 10 NA
IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ14PBF-BE3 1.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFZ14PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH472DN-T1-GE3 0.6500
RFQ
ECAD 437 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH472 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 997 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7476DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6317 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7476 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 15A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 177 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI7446BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7446BDP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7446 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 19a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 20V 3076 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7456DP-T1-E3 2.1000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5.7A (TA) 6V, 10V 25mohm @ 9.3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1012CR-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1012 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 630MA (TA) 1.5V, 4.5V 396mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 8 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 240MW (TA)
SI2356DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2356DS-T1-BE3 0.4000
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 3.2A (TA), 4.3A (TC) 2.5V, 10V 51mohm @ 3.2a, 10V 1.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 12V 370 pf @ 20 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고