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트랜지스터 (5716)
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 | IRC740PBF | - | | 2473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRC740 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRC740pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | 현재 현재 | 125W (TC) | |||
 | SIA915DJ-T1-GE3 | - | | 3323 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA915 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 87mohm @ 2.9a, 10V | 2.2V @ 250µA | 9NC @ 10V | 275pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
| irll014tr | - | | 2957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRLL014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 2.7A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1.6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | IRFP254PBF | 4.2200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP254 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP254PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 250 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 190W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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