SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ960EL-T1_GE3 2.4400
RFQ
ECAD 5774 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ960 MOSFET (금속 (() 71W PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 60V 63A (TC) 9mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1950pf @ 25v -
SQ3410EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_BE3 0.7600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3410ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1005 pf @ 15 v - 5W (TC)
SUD50N03-09P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N03-09P-GE3 -
RFQ
ECAD 9942 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 63A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 7.5W (TA), 65.2W (TC)
SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 1.1400
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 153A (TC) 4.5V, 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4051 pf @ 25 v - 119W (TC)
SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7414CENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8.7a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 30 v - 62W (TC)
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4563DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4563 MOSFET (금속 (() 3.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8a 16mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 85NC @ 10V 2390pf @ 20V -
SIHLU024-GE3 Vishay Siliconix SIHLU024-GE3 0.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix IRLIZ24GPBF 0.4772
RFQ
ECAD 8689 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irliz24 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 37W (TC)
SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn-t1-ge3 0.8800
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS50 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 1 (무제한) 742-siss50dn-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 29.7A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SISS46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS46 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12.5A (TA), 45.3A (TC) 7.5V, 10V 12.8mohm @ 10a, 10V 3.4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 2140 pf @ 50 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRFI740GPBF Vishay Siliconix IRFI740GPBF 2.9300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI740 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI740GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.4A (TC) 10V 550mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1370 pf @ 25 v - 40W (TC)
SUP90N08-7M7P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-7m7p-e3 -
RFQ
ECAD 9675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 208.3W (TC)
IRFPE40PBF Vishay Siliconix irfpe40pbf 4.3900
RFQ
ECAD 7904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPE40 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfpe40pbf 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 5.4A (TC) 10V 2ohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7149ADP-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7149 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 25V 5125 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
IRF634NPBF Vishay Siliconix IRF634NPBF -
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF634 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF634NPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8A (TC) 10V 435mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 88W (TC)
IRFR110PBF Vishay Siliconix IRFR110PBF 1.0000
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-BE3 0.5500
RFQ
ECAD 438 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.9A (TA), 2.3A (TC) 4.5V, 10V 156mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 30 v - 1.09W (TA), 1.66W (TC)
SQM100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3 2.4700
RFQ
ECAD 7284 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 150W (TC)
SQ2398ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2398ES-T1_BE3 0.6300
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2398 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 1 (무제한) 742-SQ2398ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TC) 10V 300mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 250µA 3.4 NC @ 10 v ± 20V 152 pf @ 50 v - 2W (TC)
SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 1.8000
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD12 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 550 v 10.5A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 886 pf @ 100 v - 114W (TC)
IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix irfibc20gpbf 2.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc20gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3 2.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 20A (TA) 2.5V, 4.5V 2.6mohm @ 29a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 8V 5700 pf @ 6 v - 1.9W (TA)
SIHP12N60E-BE3 Vishay Siliconix SIHP12N60E-BE3 2.6900
RFQ
ECAD 475 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-SIHP12N60E-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 147W (TC)
SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja00ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
ECAD 2003 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 13mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFR210TRPBF Vishay Siliconix irfr210trpbf 1.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF9510S Vishay Siliconix IRF9510S -
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9510S 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SIHP180N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP180N60E-GE3 3.2500
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP180 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1085 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRLU110PBF Vishay Siliconix irlu110pbf 1.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu110 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irlu110pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고