SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF520SPBF Vishay Siliconix IRF520SPBF 1.3600
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF520 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SIS888 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 20.2A (TC) 7.5V, 10V 58mohm @ 10a, 10V 4.2V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 75 v - 52W (TC)
SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix SQM50034E_GE3 2.4700
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1021R-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1021 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 190ma (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1.7 NC @ 15 v ± 20V 23 pf @ 25 v - 250MW (TA)
SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5944DU-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5944 MOSFET (금속 (() 10W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 112mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 6.6NC @ 10V 210pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 40A (TC) 1.8V, 4.5V 2.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 84 NC @ 4.5 v ± 8V 5760 pf @ 6 v - 5W (TA), 48W (TC)
IRF840ASTRLPBF Vishay Siliconix IRF840ASTLPBF 2.5500
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1018 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRLR014TRPBF Vishay Siliconix irlr014trpbf 1.0500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7431DP-T1-E3 4.0900
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7431 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 2.2A (TA) 6V, 10V 174mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SUM110N05-06L-E3 Vishay Siliconix SUM110N05-06L-E3 -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 110A (TC) 6MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v 3300 pf @ 25 v -
SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50ADP-T1-RE3 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira50 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 54.8A (TA), 219A (TC) 4.5V, 10V 1.04mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 150 nc @ 10 v +20V, -16V 7300 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 100W (TC)
SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6.9A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.3 NC @ 4.5 v ± 20V 990 pf @ 20 v - 5W (TC)
SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB406 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 3.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 350 pf @ 10 v - 1.95W (TA), 10W (TC)
SI3951DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3951DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3951 MOSFET (금속 (() 2W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 115mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.1NC @ 5V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4835DDY-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4835 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1960 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.6W (TC)
SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA24DN-T1-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA24 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v +20V, -16V 2650 pf @ 10 v - 52W (TC)
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4431CDY-T1-GE3 0.7300
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1006 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.2W (TC)
SI1330EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1330EDL-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1330 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-si1330edl-t1-be3tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 240MA (TA) 2.5ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V - 280MW (TA)
SIR516DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir516dp-t1-Re3 1.8200
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.8A (TA), 63.7A (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 50 v - 5W (TA), 71.4W (TC)
SI7224DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7224DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7224 MOSFET (금속 (() 17.8W, 23W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 35mohm @ 6.5a, 10V 2.2V @ 250µA 14.5NC @ 10V 570pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI2328DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2328DS-T1-BE3 0.8600
RFQ
 ECAD 7496 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2328DS-T1-BE3DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 1.15A (TA) 10V 250mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V - 730MW (TA)
SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir4602LDP-T1-RE3 0.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15.2A (TA), 52.1A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1185 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 43W (TC)
SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir788dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir788 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2873 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 5W (TA), 48W (TC)
SIRA22DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA22DP-T1-RE3 0.5977
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira22 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 0.76mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 155 NC @ 10 v +16V, -12V 7570 pf @ 10 v - 83.3W (TC)
SI1967DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-GE3 0.4100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1967 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.3a 490mohm @ 910ma, 4.5v 1V @ 250µA 4NC @ 8V 110pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI2316BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-BE3 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2316BDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.9A (TA), 4.5A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.66W (TC)
SI7892BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-E3 1.9000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7892 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 3775 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
IRFD9014PBF Vishay Siliconix IRFD9014PBF 1.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9014PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.1A (TA) 10V 500mohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SQP50N06-09L_GE3 Vishay Siliconix SQP50N06-09L_GE3 -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP50 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 3065 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI7322ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7322ADN-T1-GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 6488 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7322 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 15.1A (TC) 10V 57mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 50 v - 26W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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