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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHD11N80AE-T4-GE3 | 1.8000 |  | 9661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHD11N80AE-T4-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 804 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||||
 | SQM50P03-07_GE3 | 2.6100 | | 3270 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM50 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | IRLR120PBF | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFD310 | - | | 7524 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD310 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD310 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 350MA (TA) | 10V | 3.6ohm @ 210ma, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||
 | SI4660DY-T1-GE3 | - | | 7935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4660 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 23.1A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 16V | 2410 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 5.6W (TC) | ||||
 | IRFP044PBF | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP044 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP044PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 28mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | |||
 | SI1062X-T1-GE3 | 0.4500 | | 4926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1062 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 530MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 420mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.7 NC @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 220MW (TA) | ||||
 | IRF620PBF-BE3 | 1.1700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF620 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irf620pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||
 | SISS08DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS08 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 53.9A (TA), 195.5A (TC) | 4.5V, 10V | 1.23mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 82 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3670 pf @ 12.5 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | SI8406DB-T2-E1 | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8406 | MOSFET (금속 (() | 6 (™ ™ (1.5x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 16A (TC) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 1a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 20 nc @ 8 v | ± 8V | 830 pf @ 10 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIA913DJ-T1-GE3 | - | | 2829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA913 | MOSFET (금속 (() | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 4.5A | 70mohm @ 3.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12nc @ 8v | 400pf @ 6v | - | ||||||
 | SIHS90N65E-GE3 | 20.6200 | | 233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 742-SIHS90N65E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 87A (TC) | 10V | 29mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250µA | 591 NC @ 10 v | ± 30V | 11826 PF @ 100 v | - | 625W (TC) | |||||
| IRFP9240PBF | 3.2300 | | 8947 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP9240 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP9240PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | p 채널 | 200 v | 12A (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
| SI4833ADY-T1-E3 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4833 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 4.6A (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 750 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.93W (TA), 2.75W (TC) | ||||
 | SI2316DS-T1-E3 | 0.8200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2316 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.9A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.4a, 10V | 800mv @ 250µa (최소) | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 215 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | ||||
 | SI1317DL-T1-BE3 | 0.4600 | | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI1317 | MOSFET (금속 (() | SC-70-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 742-si1317dl-t1-be3tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.4A (TA), 1.4A (TC) | 150mohm @ 1.4a, 4.5v | 800MV @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 272 pf @ 10 v | - | 400MW (TA), 500MW (TC) | |||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4542 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 50NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI5463EDC-T1-GE3 | - | | 7492 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5463 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 62mohm @ 4a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 15 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.25W (TA) | |||||
| SUM50010E-GE3 | 3.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 조각 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM50010 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 1.75mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 212 NC @ 10 v | ± 20V | 10895 pf @ 30 v | - | 375W (TC) | |||||
| SIHG16N50C-E3 | 4.5900 | | 5230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG16 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 16A (TC) | 10V | 380mohm @ 8a, 10V | 5V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 30V | 1900 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||
| SIB900EDK-T1-GE3 | - | | 2706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | SIB900 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.5A | 225mohm @ 1.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 1.7nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SIE832DF-T1-GE3 | - | | 5622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (S) | SIE832 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (S) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 14a, 10V | 3V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 3800 pf @ 20 v | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI7430DP-T1-GE3 | 2.9200 | | 6268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7430 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 26A (TC) | 8V, 10V | 45mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1735 pf @ 50 v | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | |||||
 | SIHP17N80E-GE3 | 4.8400 | | 5002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP17 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2408 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||||||
 | SIHD2N80AE-GE3 | 0.5174 | | 1677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD2 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2266-SIHD2N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 800 v | 2.9A (TC) | 10V | 2.9ohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 30V | 180 pf @ 100 v | - | 62.5W (TC) | ||||
 | SISS4402DN-T1-GE3 | 1.6800 | | 7879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS4402 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 35.5A (TA), 128A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | +20V, -16V | 3850 pf @ 20 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
| SI7840BDP-T1-GE3 | - | | 8726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7840 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16.5a, 10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
| sqj858ep-t1_ge3 | 0.5821 | | 5999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ858 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 11a, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 20 v | - | 68W (TC) | ||||||
 | SI696EDQ-T1-E3 | - | | 9542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | - | 30mohm @ 5.2a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SI7382DP-T1-GE3 | - | | 1071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7382 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 24a, 10V | 3V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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