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트랜지스터 (5716)
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| SI7958DP-T1-GE3 | - | | 4831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7958 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 7.2A | 16.5mohm @ 11.3a, 10V | 3V @ 250µA | 75NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| SISH114ADN-T1-GE3 | 0.7700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH114 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1230 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 39W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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