SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7817 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4500 MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 20V 6.6a, 3.8a 20mohm @ 9.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1417EDH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1417 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 2.7A (TA) 1.8V, 4.5V 85mohm @ 3.3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 8 NC @ 4.5 v ± 12V - 1W (TA)
SIDR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-RE3 2.5200
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR622DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 64.6A (TA), 56.7A (TC) 7.5V, 10V 17.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1516 pf @ 75 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
IRF9640STRR Vishay Siliconix IRF9640STRR -
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
SIHP23N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP23N60E-GE3 3.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP23 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 30V 2418 pf @ 100 v - 227W (TC)
SI1555DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1555DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4248 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1555 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V, 8V 660ma, 570ma 385mohm @ 660ma, 4.5v 1.4V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQJ868EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj868ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ868 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 58A (TC) 10V 7.35mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2450 pf @ 20 v - 48W (TC)
IRFB16N60LPBF Vishay Siliconix IRFB16N60LPBF -
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB16 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB16N60LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 460mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 2720 ​​pf @ 25 v - 310W (TC)
IRFU9110PBF Vishay Siliconix IRFU9110PBF 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9110 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9110pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF620STRLPBF Vishay Siliconix irf620strlpbf 2.0400
RFQ
ECAD 960 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
IRFP31N50LPBF Vishay Siliconix IRFP31N50LPBF 7.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP31 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP31N50LPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 31A (TC) 10V 180mohm @ 19a, 10V 5V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 30V 5000 pf @ 25 v - 460W (TC)
SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix SQM100P10-19L_GE3 3.4300
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 93A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 350 NC @ 10 v ± 20V 14100 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRF9540L Vishay Siliconix IRF9540L -
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9540 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9540L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - -
IRFIZ48GPBF Vishay Siliconix irfiz48gpbf 3.0500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz48 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfiz48gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 37A (TC) 10V 18mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 50W (TC)
SMM2348ES-T1-GE3 Vishay Siliconix SMM2348ES-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9464 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMM2348 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 15 v - 3W (TC)
SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 3.1400
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7434 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.3A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SUM90N06-4M4P-E3 Vishay Siliconix SUM90N06-4M4P-E3 -
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 4.4mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6190 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 300W (TC)
IRLR120TRPBF Vishay Siliconix IRLR120TRPBF 1.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
2N6660-2 Vishay Siliconix 2N6660-2 -
RFQ
ECAD 3199 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET (금속 (() TO-205AD (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 60 v 990MA (TC) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7625DN-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7625 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 4427 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7114ADN-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7114 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 39W (TC)
SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ444EP-T1_GE3 1.3300
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ444 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRFB18N50K Vishay Siliconix IRFB18N50K -
RFQ
ECAD 2953 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFB18N50K 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2830 pf @ 25 v - 220W (TC)
IRF730A Vishay Siliconix IRF730A -
RFQ
ECAD 9673 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF730A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFR9120TRPBF Vishay Siliconix irfr9120trpbf 1.4000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ4282EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_GE3 1.5100
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4282 MOSFET (금속 (() 3.9W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 12.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 47NC @ 10V 2367pf @ 15V -
SQJ140ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ140ELP-T1_GE3 1.3800
RFQ
ECAD 7822 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SQJ140ELP-T1_GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 253A (TC) 4.5V, 10V 2.14mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 4665 pf @ 25 v - 255W (TC)
IRFI630GPBF Vishay Siliconix IRFI630GPBF 2.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI630 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI630GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.9A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 35W (TC)
SI6913DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-E3 2.1400
RFQ
ECAD 3095 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6913 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.9A 21mohm @ 5.8a, 4.5v 900MV @ 400µA 28NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFP254 Vishay Siliconix IRFP254 -
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP254 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP254 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고