전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4500BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 7817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4500 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 20V | 6.6a, 3.8a | 20mohm @ 9.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SI1417EDH-T1-GE3 | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1417 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 8 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||
![]() | SIDR622DP-T1-RE3 | 2.5200 | ![]() | 8110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIDR622DP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 64.6A (TA), 56.7A (TC) | 7.5V, 10V | 17.7mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1516 pf @ 75 v | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||
![]() | IRF9640STRR | - | ![]() | 2802 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | SIHP23N60E-GE3 | 3.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP23 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 23A (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 30V | 2418 pf @ 100 v | - | 227W (TC) | |||||
![]() | SI1555DL-T1-E3 | - | ![]() | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1555 | MOSFET (금속 (() | 270MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V, 8V | 660ma, 570ma | 385mohm @ 660ma, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 1.2NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | sqj868ep-t1_ge3 | 0.9800 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ868 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 58A (TC) | 10V | 7.35mohm @ 14a, 10V | 3.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 2450 pf @ 20 v | - | 48W (TC) | |||||
IRFB16N60LPBF | - | ![]() | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB16 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB16N60LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 460mohm @ 9a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 30V | 2720 pf @ 25 v | - | 310W (TC) | ||||
![]() | IRFU9110PBF | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9110 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfu9110pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | irf620strlpbf | 2.0400 | ![]() | 960 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF620 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||
![]() | IRFP31N50LPBF | 7.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP31 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP31N50LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 31A (TC) | 10V | 180mohm @ 19a, 10V | 5V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 30V | 5000 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||
![]() | SQM100P10-19L_GE3 | 3.4300 | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM100 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 93A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 350 NC @ 10 v | ± 20V | 14100 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||
![]() | IRF9540L | - | ![]() | 5581 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9540 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF9540L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | - | ||||
![]() | irfiz48gpbf | 3.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfiz48 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfiz48gpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 37A (TC) | 10V | 18mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||
![]() | SMM2348ES-T1-GE3 | - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SMM2348 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 20V | 540 pf @ 15 v | - | 3W (TC) | ||||||
![]() | SI7434DP-T1-GE3 | 3.1400 | ![]() | 472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7434 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 2.3A (TA) | 6V, 10V | 155mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | SUM90N06-4M4P-E3 | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM90 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 4.5V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 6190 pf @ 30 v | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | ||||
![]() | IRLR120TRPBF | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | 2N6660-2 | - | ![]() | 3199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N6660 | MOSFET (금속 (() | TO-205AD (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | n 채널 | 60 v | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
![]() | SI7625DN-T1-GE3 | 1.1200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7625 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 20V | 4427 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SI7114ADN-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7114 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 1230 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
![]() | SQJ444EP-T1_GE3 | 1.3300 | ![]() | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ444 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5000 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||
IRFB18N50K | - | ![]() | 2953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB18 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFB18N50K | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 2830 pf @ 25 v | - | 220W (TC) | |||||
IRF730A | - | ![]() | 9673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF730 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF730A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 600 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
![]() | irfr9120trpbf | 1.4000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | SQ4282EY-T1_GE3 | 1.5100 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4282 | MOSFET (금속 (() | 3.9W | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 8A (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 47NC @ 10V | 2367pf @ 15V | - | ||||||||
![]() | SQJ140ELP-T1_GE3 | 1.3800 | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SQJ140ELP-T1_GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 253A (TC) | 4.5V, 10V | 2.14mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 4665 pf @ 25 v | - | 255W (TC) | ||||||
![]() | IRFI630GPBF | 2.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI630 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFI630GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.9A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||
![]() | SI6913DQ-T1-E3 | 2.1400 | ![]() | 3095 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6913 | MOSFET (금속 (() | 830MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 4.9A | 21mohm @ 5.8a, 4.5v | 900MV @ 400µA | 28NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | IRFP254 | - | ![]() | 8500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP254 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP254 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 23A (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 190W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고