SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFRC20TRL Vishay Siliconix irfrc20trl -
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF740LC Vishay Siliconix IRF740LC -
RFQ
ECAD 8505 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF740LC 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6463 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.2A (TA) 15mohm @ 7.4a, 4.5v 800MV @ 250µA 60 nc @ 5 v -
SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ112ER-T1_GE3 3.8600
RFQ
ECAD 3163 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqjq112er-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 296A (TC) 10V 2.53MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 272 NC @ 10 v ± 20V 15945 pf @ 25 v - 600W (TC)
SIR106ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106adp-t1-Re3 1.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir106 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR106ADP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.1A (TA), 65.8 (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 50 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
SIS4634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS4634LDN-T1-GE3 0.7200
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS4634 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 60 v 7.8A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4992 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 75V 3.6a 48mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHG33N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65EF-GE3 6.9500
RFQ
ECAD 3945 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 31.6A (TC) 10V 109mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 171 NC @ 10 v ± 30V 4026 pf @ 100 v - 313W (TC)
IRF740ASPBF Vishay Siliconix IRF740ASPBF 2.6000
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF740ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQ3410EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_BE3 0.7600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3410ev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1005 pf @ 15 v - 5W (TC)
IRFZ14SPBF Vishay Siliconix IRFZ14SPBF 1.5200
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRF740STRR Vishay Siliconix IRF740STRR -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRLR110TR Vishay Siliconix irlr110tr -
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJQ960EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ960EL-T1_GE3 2.4400
RFQ
ECAD 5774 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ960 MOSFET (금속 (() 71W PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 60V 63A (TC) 9mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1950pf @ 25v -
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4563DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4563 MOSFET (금속 (() 3.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8a 16mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 85NC @ 10V 2390pf @ 20V -
IRF634SPBF Vishay Siliconix IRF634SPBF -
RFQ
ECAD 3817 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF634SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI6966DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6966DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9688 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4a 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7414CENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8.7a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 30 v - 62W (TC)
SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQSA82CENW-T1_GE3 0.6700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 12A (TC) 4.5V, 10V 46MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 27W (TC)
IRLZ44 Vishay Siliconix IRLZ44 -
RFQ
ECAD 8627 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ44 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ44 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI7230DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7230DN-T1-E3 0.6174
RFQ
ECAD 7373 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7230 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 14A, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2392BDS-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2392 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2A (TA), 2.3A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 7.1 NC @ 10 v ± 20V 290 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 1.7W (TC)
IRL540SPBF Vishay Siliconix IRL540SPBF 2.7000
RFQ
ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL540SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj860ep-t1_ge3 0.9600
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ860 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFP23N50LPBF Vishay Siliconix IRFP23N50LPBF 7.5100
RFQ
ECAD 164 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP23 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP23N50LPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 23A (TC) 10V 235mohm @ 14a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 370W (TC)
SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE806DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE806 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 12V 13000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SIHU7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihu7n60e-ge3 1.8300
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu7 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFR020TR Vishay Siliconix irfr020tr -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI2307BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-BE3 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRFI9520G Vishay Siliconix IRFI9520G -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI9520G 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 5.2A (TC) 10V 600mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 37W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고