SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRLR110 Vishay Siliconix IRLR110 -
RFQ
ECAD 2708 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRLR110 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5v 1V @ 250µA 65 NC @ 8 v ± 8V 2010 pf @ 6 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB414DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB414 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 9A (TC) 1.2V, 4.5V 26mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 14.03 NC @ 5 v ± 5V 732 pf @ 4 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI593333DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6428 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
IRFBE30STRL Vishay Siliconix irfbe30strl -
RFQ
ECAD 6929 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFBE30LPBF Vishay Siliconix IRFBE30LPBF 2.8500
RFQ
ECAD 1665 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBE30 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3 0.4600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2305 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 5.8A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 30 nc @ 8 v ± 8V 960 pf @ 4 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
SI3588DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3588DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6467 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3588 MOSFET (금속 (() 830MW, 83MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.5a, 570ma 80mohm @ 3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI2314EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3 0.3197
RFQ
ECAD 6452 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2314 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.77A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5a, 4.5v 950MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 750MW (TA)
SI3467DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3467DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3502 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3467 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SI4390DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4390DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4390 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12.5a, 10V 2.8V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.4W (TA)
IRF840LCSTRL Vishay Siliconix IRF840LCSTRL -
RFQ
ECAD 5066 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1031R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1031 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 140MA (TA) 1.5V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
SIRA00DP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA00DP-T1-RE3 0.7903
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira00 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 220 NC @ 10 v +20V, -16V 11700 pf @ 15 v - 104W (TC)
IRF9510L Vishay Siliconix IRF9510L -
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9510 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9510L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - -
SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH26N60E-T1-GE3 5.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH26 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 135mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 30V 2815 pf @ 100 v - 202W (TC)
SIA777EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8542 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA777 MOSFET (금속 (() 5W, 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V, 12V 1.5A, 4.5A 225mohm @ 1.6a, 4.5v 1V @ 250µA 2.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SQS401ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS401ENW-T1_GE3 -
RFQ
ECAD 7211 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS401 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 21.2 NC @ 4.5 v ± 20V 1875 pf @ 20 v - 62.5W (TC)
SIRA66DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira66dp-t1-ge3 0.3959
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira66 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 66 NC @ 10 v +20V, -16V - 62.5W (TC)
SQD10N30-330H_4GE3 Vishay Siliconix SQD10N30-330H_4GE3 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 300 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 14a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 2190 pf @ 25 v - 107W (TC)
SI4451DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4451DY-T1-E3 1.3041
RFQ
ECAD 8046 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4451 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 8.25mohm @ 14a, 4.5v 800MV @ 850µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
IRFBC30ASTRL Vishay Siliconix irfbc30astrl -
RFQ
ECAD 2602 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
SUP40N25-60-E3 Vishay Siliconix SUP40N25-60-E3 5.0400
RFQ
ECAD 6962 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 40A (TC) 6V, 10V 60mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 5000 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 300W (TC)
IRF830ASPBF Vishay Siliconix IRF830ASPBF 2.2000
RFQ
ECAD 776 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFR110TRPBF Vishay Siliconix irfr110trpbf 1.0000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB04ELP-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 11mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 1055pf @ 25v -
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3 1.4700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 SISF00 MOSFET (금속 (() 69.4W (TC) PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 30V 60A (TC) 5MOHM @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 53NC @ 10V 2700pf @ 15V -
SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA411 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 5.9a, 4.5v 1V @ 250µA 38 NC @ 8 v ± 8V 1200 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SI3410DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3410DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3410 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1295 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.1W (TC)
IRFR210TRPBF Vishay Siliconix irfr210trpbf 1.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고