전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR110 | - | ![]() | 2708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRLR110 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | SI3473CDV-T1-GE3 | 0.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 8.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | 65 NC @ 8 v | ± 8V | 2010 pf @ 6 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
![]() | SIB414DK-T1-GE3 | - | ![]() | 2983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | SIB414 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 8 v | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 26mohm @ 7.9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14.03 NC @ 5 v | ± 5V | 732 pf @ 4 v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
![]() | SI593333DC-T1-E3 | - | ![]() | 6428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5933 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2.7a | 110mohm @ 2.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | irfbe30strl | - | ![]() | 6929 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBE30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 800 v | 4.1A (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | IRFBE30LPBF | 2.8500 | ![]() | 1665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBE30 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 4.1A (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||
![]() | SI2305CDS-T1-GE3 | 0.4600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2305 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 5.8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 4.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 30 nc @ 8 v | ± 8V | 960 pf @ 4 v | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||
![]() | SI3588DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3588 | MOSFET (금속 (() | 830MW, 83MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 2.5a, 570ma | 80mohm @ 3a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 7.5NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI2314EDS-T1-GE3 | 0.3197 | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2314 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.77A (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 750MW (TA) | |||||
![]() | SI3467DV-T1-E3 | - | ![]() | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.8A (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
![]() | SI4390DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4390 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 12.5a, 10V | 2.8V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
![]() | IRF840LCSTRL | - | ![]() | 5066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | SI1031R-T1-E3 | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
![]() | siRA00DP-T1-RE3 | 0.7903 | ![]() | 2197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira00 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | +20V, -16V | 11700 pf @ 15 v | - | 104W (TC) | ||||||
![]() | IRF9510L | - | ![]() | 9119 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9510 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF9510L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | - | ||||
![]() | SIHH26N60E-T1-GE3 | 5.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH26 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 135mohm @ 13a, 10V | 4V @ 250µA | 116 NC @ 10 v | ± 30V | 2815 pf @ 100 v | - | 202W (TC) | |||||
![]() | SIA777EDJ-T1-GE3 | - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA777 | MOSFET (금속 (() | 5W, 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V, 12V | 1.5A, 4.5A | 225mohm @ 1.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.2NC @ 5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | SQS401ENW-T1_GE3 | - | ![]() | 7211 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8W | SQS401 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8W | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1875 pf @ 20 v | - | 62.5W (TC) | ||||||
![]() | sira66dp-t1-ge3 | 0.3959 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira66 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 15a, 10V | 2.2v @ 1ma | 66 NC @ 10 v | +20V, -16V | - | 62.5W (TC) | ||||||
![]() | SQD10N30-330H_4GE3 | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 300 v | 10A (TC) | 10V | 330mohm @ 14a, 10V | 4.4V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 2190 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||||
![]() | SI4451DY-T1-E3 | 1.3041 | ![]() | 8046 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4451 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 12 v | 10A (TA) | 1.8V, 4.5V | 8.25mohm @ 14a, 4.5v | 800MV @ 850µA | 120 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | irfbc30astrl | - | ![]() | 2602 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
SUP40N25-60-E3 | 5.0400 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 60mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 30V | 5000 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | ||||||
![]() | IRF830ASPBF | 2.2000 | ![]() | 776 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF830 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF830ASPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
![]() | irfr110trpbf | 1.0000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0.9700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB04 | MOSFET (금속 (() | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 30A (TC) | 11mohm @ 5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1055pf @ 25v | - | ||||||||
![]() | SISF00DN-T1-GE3 | 1.4700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 | SISF00 | MOSFET (금속 (() | 69.4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | 60A (TC) | 5MOHM @ 10A, 10V | 2.1V @ 250µA | 53NC @ 10V | 2700pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SIA411DJ-T1-E3 | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA411 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5.9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 38 NC @ 8 v | ± 8V | 1200 pf @ 10 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
![]() | SI3410DV-T1-E3 | - | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3410 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1295 pf @ 15 v | - | 2W (TA), 4.1W (TC) | ||||
![]() | irfr210trpbf | 1.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 2.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고