SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4892DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4892DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4892 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.8A (TA) 4.5V, 10V 12.4A, 10V 800mv @ 250µa (최소) 10.5 nc @ 5 v ± 20V - 1.6W (TA)
IRF644STRR Vishay Siliconix IRF644STRR -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3474DV-T1-GE3 0.4400
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3474 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.8A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 3.6W (TC)
V30391-T1-E3 Vishay Siliconix V30391-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay Siliconix * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 v30391 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
SIHU7N60E-E3 Vishay Siliconix sihu7n60e-e3 0.9441
RFQ
ECAD 1371 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu7 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFR9214TRPBF Vishay Siliconix irfr9214trpbf 1.5500
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRL3102L Vishay Siliconix irl3102L -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3102 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3102L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 61A (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 58 NC @ 4.5 v ± 10V 2500 pf @ 15 v - 89W (TC)
IRF634STRR Vishay Siliconix IRF634STRR -
RFQ
ECAD 4361 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFR9310TRRPBF Vishay Siliconix irfr9310trrpbf -
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3 1.4000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4386 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
IRL510PBF Vishay Siliconix irl510pbf 1.3500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl510pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8821EDB-T2-E1 0.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8821 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.6A (TA) 2.5V, 4.5V 135mohm @ 1a, 4.5v 1.3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 12V 440 pf @ 15 v - 500MW (TA)
IRFP340 Vishay Siliconix IRFP340 -
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP340 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP340 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 400 v 11A (TC) 10V 550mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SUP90N08-7M7P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-7m7p-e3 -
RFQ
ECAD 9675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 7.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 208.3W (TC)
IRFR110PBF Vishay Siliconix IRFR110PBF 1.0000
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQM100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3 2.4700
RFQ
ECAD 7284 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 150W (TC)
SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-BE3 0.5500
RFQ
ECAD 438 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.9A (TA), 2.3A (TC) 4.5V, 10V 156mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 30 v - 1.09W (TA), 1.66W (TC)
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix IRLIZ24GPBF 0.4772
RFQ
ECAD 8689 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irliz24 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 37W (TC)
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7149ADP-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7149 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 25V 5125 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
SQ2398ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2398ES-T1_BE3 0.6300
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2398 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 1 (무제한) 742-SQ2398ES-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 1.6A (TC) 10V 300mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 250µA 3.4 NC @ 10 v ± 20V 152 pf @ 50 v - 2W (TC)
SI7390DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7390DP-T1-E3 2.6600
RFQ
ECAD 5413 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7390 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
IRF510PBF Vishay Siliconix IRF510PBF 1.1200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF510PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V - 105mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.2NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj409ep-t1_ge3 1.4900
RFQ
ECAD 1197 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ409 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 1.7000
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 25 v - 62W (TC)
SQA700CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa700cejw-t1_ge3 0.5600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9A (TC) 4.5V, 10V 79mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE862DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1481 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (U) SIE862 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (U) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3 0.4000
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2365 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V - 1W (TA), 1.7W (TC)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
IRFI614G Vishay Siliconix IRFI614G -
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI614 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI614G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 2.1A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 23W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고