SIC
close

트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI4534DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4534DY-T1-GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4534 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 3.6W (TC) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SI4534DY-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 6.2A (TA), 8A (TC), 3A (TA), 4.1A (TC) 29mohm @ 5a, 10v, 120mohm @ 3.1a, 10v 3V @ 250µA 11nc @ 10V, 22NC @ 10V 420pf @ 30v, 650pf @ 30v -
SI5447DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5447DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4374 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5447 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 1.8V, 4.5V 76mohm @ 3.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 10 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SUD25N04-25-E3 Vishay Siliconix SUD25N04-25-E3 -
RFQ
 ECAD 2043 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 25A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 3W (TA), 33W (TC)
SI4048DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4048DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4048 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 19.3A (TC) 10V 85mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2060 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHD4N80E-GE3 1.7600
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD4 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR608EP-T1-RE3 2.6400
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIDR608EP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 56A (TA), 228A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 NC @ 10 v +20V, -16V 8900 pf @ 20 v - 7.5W (TA), 125W (TC)
2N4856JTXL02 Vishay Siliconix 2N4856JTXL02 -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4856 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
2N4858JTXL02 Vishay Siliconix 2N4858JTXL02 -
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4858 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz720DT-T1-GE3 0.6395
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz720 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 16A 8.7mohm @ 16.8a, 10V 2V @ 250µA 23NC @ 10V 825pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4431BDY-T1-E3 1.0000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4431 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHF7N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF7N60E-GE3 2.1400
RFQ
 ECAD 1853 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF7 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 31W (TC)
SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3 1.0600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS52 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS52DN-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 47.1A (TA), 162a (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 65 nc @ 10 v +16V, -12V 2950 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.3A (TC) 4.5V, 10V 185mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 130 pf @ 50 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI2333DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333DS-T1-BE3 0.8600
RFQ
 ECAD 1239 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI23DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 4.1A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.3a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 6 v - 750MW (TA)
SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH250N60EF-T1GE3 4.3200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 915 pf @ 100 v - 89W (TC)
SIHA17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHA17N80AE-GE3 2.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA17 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHA17N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 1260 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRFBE20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBE20PBF-BE3 1.5700
RFQ
 ECAD 985 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbe20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.8A (TC) 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 54W (TC)
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ340DT-T1-GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix PowerPair®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz340 MOSFET (금속 (() 16.7W, 31W 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 30A, 40A 9.5mohm @ 15.6a, 10V 2.4V @ 250µA 19NC @ 10V 760pf @ 15V -
SIDR402DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR402DP-T1-RE3 2.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 64.6a (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.88mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 165 NC @ 10 v +20V, -16V 9100 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4848BDY-T1-GE3 0.7200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4848 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 3.7A (TA), 5A (TC) 6V, 10V 157mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 30V 400 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 4.5W (TC)
SIHA22N60AE-GE3 Vishay Siliconix SiHA22n60AE-ge3 3.6200
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1451 pf @ 100 v - 33W (TC)
SI7682DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7682DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7682 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1595 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
IRC740PBF Vishay Siliconix IRC740PBF -
RFQ
 ECAD 2473 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC740 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC740pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v 현재 현재 125W (TC)
SI4340CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4340CDY-T1-E3 1.3500
RFQ
 ECAD 612 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4340 MOSFET (금속 (() 3W, 5.4W 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 14.1a, 20a 9.4mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V 1300pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI3481DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3481DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3481 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
IRFZ44RSTRR Vishay Siliconix IRFZ44RSTRR -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFP460NPBF Vishay Siliconix IRFP460NPBF -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP460NPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 30V 3540 pf @ 25 v - 280W (TC)
SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 siRA12 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v +20V, -16V 2070 pf @ 15 v - 4.5W (TA), 31W (TC)
SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB11N80E-GE3 3.8100
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIRC18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC18DP-T1-GE3 1.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIRC18 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 111 NC @ 10 v +20V, -16V 5060 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 54.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다