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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFPC50PBF | 6.4000 |  | 6698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPC50PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 600mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | ||||
 | sqja42ep-t1_ge3 | 1.4600 | | 6987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA42 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 6a, 10V | 2.3V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 27W (TC) | |||||
 | irfib5n50lpbf | - | | 6961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfib5 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfib5n50lpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 4.7A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.4a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1000 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||
 | SQ3461EV-T1_BE3 | 0.8000 | | 4473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sq3461ev-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 7.9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2000 pf @ 6 v | - | 5W (TC) | ||||||
 | SIHP17N80AE-GE3 | 2.8100 | | 963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP17 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHP17N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 30V | 1260 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | ||||
 | SI4963BDY-T1-GE3 | 0.7796 | | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4963 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.9A | 32mohm @ 6.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 21NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SI2365EDS-T1-GE3 | 0.4000 | | 7679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2365 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 36 nc @ 8 v | ± 8V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | |||||
 | SISA04DN-T1-GE3 | 1.2500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISA04 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.15mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3595 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIA907EDJ-T4-GE3 | - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | SIA907 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
 | IRLZ14STRRPBF | 0.9357 | | 8075 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRLZ14 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | irfr210trpbf | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 2.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRFB17N50LPBF | 6.0100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB17 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFB17N50LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 16A (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 30V | 2760 pf @ 25 v | - | 220W (TC) | ||||
 | SIA975DJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SIA975 | MOSFET (금속 (() | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 4.5A | 41mohm @ 4.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 26NC @ 8V | 1500pf @ 6v | 논리 논리 게이트 | |||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | - | | 4349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4102 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 3.8A (TC) | 6V, 10V | 158mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 50 v | - | 2.4W (TA), 4.8W (TC) | |||||
| irf830astrl | - | | 6793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF830 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SI4565ADY-T1-GE3 | - | | 8321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4565 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 6.6a, 5.6a | 39mohm @ 5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22NC @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
| SI4563DY-T1-GE3 | - | | 2431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4563 | MOSFET (금속 (() | 3.25W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250µA | 85NC @ 10V | 2390pf @ 20V | - | ||||||
| SI4542DY-T1-GE3 | - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4542 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 50NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| IRLR120TRPBF | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250µA | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 490 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFSL11N50A | - | | 8049 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFSL11 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFSL11N50A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 11A (TC) | 10V | 550mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 1426 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |||
 | SIDR608EP-T1-RE3 | 2.6400 | | 3406 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIDR608EP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 45 v | 56A (TA), 228A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 167 NC @ 10 v | +20V, -16V | 8900 pf @ 20 v | - | 7.5W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRF9Z34S | - | | 6734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9Z34S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
| IRFZ40 | - | | 5889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFZ40 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
| IRFBC30LPBF | - | | 7674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC30LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| irl3303d1strr | - | | 9378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl3303 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 38A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 16V | 870 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||
| IRF737LCS | - | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF737 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF737LCS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 6.1A (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 430 pf @ 25 v | - | - | |||
| IRF9530L | - | | 7169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9530 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF9530L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | - | ||||
 | SIHH070N60EF-T1GE3 | 7.9200 | | 4041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH070 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 36A (TC) | 10V | 71mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 30V | 2647 pf @ 100 v | - | 202W (TC) | |||||
 | SQJQ936EL-T1_GE3 | 2.7800 | | 4134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | SQJQ936 | MOSFET (금속 (() | 75W (TC) | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 | 40V | 100A (TC) | 2.3mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45NC @ 10V | 7300pf @ 25v | 기준 | ||||||||
 | SQS840CENW-T1_GE3 | 0.7200 | | 7302 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8W | SQS840 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SQS840CENW-T1_GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1031 pf @ 20 v | - | 33W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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