SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5449DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5449DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9950 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5449 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 3.1a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA4263DJ-T1-GE3 0.6000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sia4263dj-t1-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.5A (TA), 12A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 52.2 NC @ 8 v ± 8V 1825 pf @ 10 v - 3.29W (TA), 15.6W (TC)
SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH472DN-T1-GE3 0.6500
RFQ
ECAD 437 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH472 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 997 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5468DC-T1-GE3 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5468 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 6.8a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 5.7W (TC)
SIHP17N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AE-GE3 2.8100
RFQ
ECAD 963 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP17N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 1260 pf @ 100 v - 179W (TC)
SUM60020E-GE3 Vishay Siliconix SUM60020E-GE3 3.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60020 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 150A (TC) 7.5V, 10V 2.1MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 20V 10680 pf @ 40 v - 375W (TC)
SQJ461EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj461ep-t2_ge3 2.0400
RFQ
ECAD 5466 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj461ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 14.4A, 10V 16mohm 2.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 4710 pf @ 30 v - 83W (TC)
SI7601DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7601DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7601 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 16A (TC) 2.5V, 4.5V 19.2mohm @ 11a, 4.5v 1.6V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 12V 1870 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI3456CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3456CDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6050 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.7A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 15 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3 2.4000
RFQ
ECAD 6795 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7461 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 14.4a, 10V 3V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIRA84BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira84bdp-t1-ge3 0.5000
RFQ
ECAD 1284 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira84 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 32 NC @ 10 v +20V, -16V 1050 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 36W (TC)
IRFI710G Vishay Siliconix irfi710g -
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI710 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) *irfi710g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 1.6A (TA) - 4V @ 250µA - -
SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 3.1987
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP35 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFP350LCPBF Vishay Siliconix IRFP350LCPBF 6.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP350LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 400 v 16A (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFBE20STRR Vishay Siliconix irfbe20strr -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
IRFP450LC Vishay Siliconix IRFP450LC -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP450LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4491edy-T1-GE3 0.9700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4491 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 17.3A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 25V 4620 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 6.9W (TC)
IRL640STRL Vishay Siliconix irl640strl -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3 2.8386
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP105 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 102mohm @ 13a, 10v 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1804 pf @ 100 v - 208W (TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP6N40DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir882ADP-T1-GE3 2.5100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir882 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1975 PF @ 50 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS448DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS448 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88bdp-t1-ge3 0.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira88 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
IRF644S Vishay Siliconix IRF644S -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQJ848EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj848ep-t1_ge3 1.6600
RFQ
ECAD 3110 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ848 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 47A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 20 v - 68W (TC)
IRLI530GPBF Vishay Siliconix IRLI530GPBF 1.9300
RFQ
ECAD 968 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLI530GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.7A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 5.8a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 42W (TC)
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-6m8p-e3 -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 6.8mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 4620 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 272W (TC)
IRFBE30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBE30PBF-BE3 2.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbe30pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8808 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 1.5V, 4.5V 95mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 8 v ± 8V 330 pf @ 15 v - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고