SIC
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트랜지스터 (5716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ958EP-T1_GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ958 MOSFET (금속 (() 35W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 20A (TC) 34.9mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 23NC @ 10V 1075pf @ 30v -
SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix SUD20N10-66L-GE3 0.8500
RFQ
 ECAD 1072 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD20 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 16.9A (TC) 4.5V, 10V 66MOHM @ 6.6A, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 860 pf @ 50 v - 2.1W (TA), 41.7W (TC)
SQJ946EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ946EP-T1_GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ946 MOSFET (금속 (() 27W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 15A (TC) 33mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 20NC @ 10V 600pf @ 25V -
SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4896DY-T1-GE3 1.9500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4896 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 6.7A (TA) 6V, 10V 16.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA (Min) 41 NC @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
SISA18BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18BDN-T1-GE3 0.7000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SISA18 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8pt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 36.8W (TC)
SUD15N15-95-E3 Vishay Siliconix SUD15N15-95-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD15 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 15A (TC) 6V, 10V 95mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 62W (TC)
SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1034X-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1034 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 180ma 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI1404BDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1404BDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1404 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.9A (TA), 2.37A (TC) 2.5V, 4.5V 238mohm @ 1.9a, 4.5v 1.3V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v ± 12V 100 pf @ 15 v - 1.32W (TA), 2.28W (TC)
SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir644dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir644 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SQJQ410EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ410EL-T1_GE3 3.0300
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SQJQ410 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 135A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 7350 pf @ 25 v - 136W (TC)
SUD40N02-08-E3 Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3 -
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 40A (TC) 2.5V, 4.5V 8.5mohm @ 20a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2660 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 71W (TC)
SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80AEF-GE3 2.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 742-SIHP17N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 305mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQM25N15-52_GE3 Vishay Siliconix SQM25N15-52_GE3 1.4674
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM25 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 52mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 25 v - 107W (TC)
SISS5623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3 1.7500
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS5623 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 10.5A (TA), 36.3A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 30 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SQD35N05-26L-GE3 Vishay Siliconix SQD35N05-26L-GE3 -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD35N MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1175 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQJQ936EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ936EL-T1_GE3 2.7800
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ936 MOSFET (금속 (() 75W (TC) PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 40V 100A (TC) 2.3mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 45NC @ 10V 7300pf @ 25v 기준
SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA432DJ-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA432 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 1.1400
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8SLW MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SLW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 153A (TC) 4.5V, 10V 2.53mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4051 pf @ 25 v - 119W (TC)
SIJ400DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ400DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ400 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 32A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 7765 pf @ 15 v - 5W (TA), 69.4W (TC)
SQJA76EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja76ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA76 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2.4mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 5250 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRF730AL Vishay Siliconix IRF730AL -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF730 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF730AL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH14N60EF-T1-GE3 4.7300
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH14 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 266MOHM @ 7A, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 30V 1449 pf @ 100 v - 147W (TC)
IRFI630GPBF Vishay Siliconix IRFI630GPBF 2.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI630 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI630GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.9A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 35W (TC)
SI7214DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7214DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2696 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7214 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.6a 40mohm @ 6.4a, 10V 3V @ 250µA 6.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFZ44STRRPBF Vishay Siliconix IRFZ44STRRPBF -
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SI7940DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7940DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7940 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 12V 7.6a 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3 1.4800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4946 MOSFET (금속 (() 3.7W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6.5A 41mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 840pf @ 30V 논리 논리 게이트
SUD50P04-15-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-15-E3 -
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 1V @ 250µA (Min) 130 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 3W (TA), 100W (TC)
SQJA94EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja94ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA94 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 46A (TC) 10V 13.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 55W (TC)
SI6955ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6955ADQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6955 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.5A 80mohm @ 2.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 8NC @ 5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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