SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA SI8809 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.94 (TA) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V - 500MW (TA)
IRF9640STRR Vishay Siliconix IRF9640STRR -
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz300DT-T1-GE3 1.1200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz300 MOSFET (금속 (() 16.7W, 31W 8-PowerPair® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 11a, 28a 24mohm @ 9.8a, 10V 2.4V @ 250µA 12NC @ 10V 400pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI3467DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3467DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3502 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3467 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 54mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH101DN-T1-GE3 0.7700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH101 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 16.9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 25V 3595 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp-t1-ge3 1.1800
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1155 pf @ 15 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
SQS850EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS850EN-T1_BE3 1.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21.5mohm @ 6.1a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2021 pf @ 30 v - 33W (TC)
SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir178DP-T1-RE3 1.7200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir178 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR178DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 100A (TA), 430A (TC) 2.5V, 10V 0.4mohm @ 30a, 10V 1.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v +12V, -8V 12430 pf @ 10 v - 6.3W (TA), 104W (TC)
IRFP440PBF Vishay Siliconix IRFP440PBF 3.3700
RFQ
ECAD 356 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP440 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP440PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 8.8A (TC) 10V 850mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz710DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz710 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 16a, 35a 6.8mohm @ 19a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 820pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIHP15N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP15N65E-GE3 3.3700
RFQ
ECAD 4396 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP15 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRF9Z10PBF-BE3 Vishay Siliconix irf9z10pbf-be3 1.6300
RFQ
ECAD 862 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9z10pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 6.7A (TC) 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFR110TRLPBF Vishay Siliconix irfr110trlpbf 1.3900
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 25W (TC)
SIHP28N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP28N60EF-GE3 3.2340
RFQ
ECAD 2860 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP28 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 123mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2714 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8255 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5515 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4.4a, 3a 40mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir112DP-T1-RE3 1.3800
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir112 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 37.6A (TA), 133A (TC) 4.5V, 10V 1.96MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 89 NC @ 10 v +20V, -16V 4270 pf @ 20 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI7868ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7868ADP-T1-GE3 2.2623
RFQ
ECAD 4724 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7868 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.25mohm @ 20a, 10V 1.6V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 16V 6110 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7.1A (TC) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V 1225 pf @ 6 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3421DV-T1-GE3 0.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3421 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 19.2mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2580 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_BE3 1.6400
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj431aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 9.4A (TC) 6V, 10V 305mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI7682DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7682DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1336 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7682 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1595 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4235 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6467 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6.8A (TA) 12.5mohm @ 8a, 4.5v 850MV @ 450µA 70 NC @ 4.5 v -
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB488DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB488 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 250µA 20 nc @ 8 v ± 8V 725 pf @ 6 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.3A (TC) 4.5V, 10V 185mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 130 pf @ 50 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja04ep-t1_be3 1.1900
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja04ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 6.2MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHLU024-GE3 Vishay Siliconix SIHLU024-GE3 0.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3 1.6500
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD10 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 300 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 14a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 2190 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRLIZ24G Vishay Siliconix irliz24g -
RFQ
ECAD 9071 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *irliz24g 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 37W (TC)
IRFR020TR Vishay Siliconix irfr020tr -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3 0.5900
RFQ
ECAD 133 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS412 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.8a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 15.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고