SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz910DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2736 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz910 MOSFET (금속 (() 48W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 40a 5.8mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 40NC @ 10V 1500pf @ 15V 논리 논리 게이트
V961-0007-E3 Vishay Siliconix V961-0007-E3 -
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 Vishay Siliconix * 튜브 쓸모없는 v961 - 1 (무제한) 742-V961-0007-E3 쓸모없는 25 -
SI7440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7440DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2964 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7440 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 21a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFBE20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBE20PBF-BE3 1.5700
RFQ
ECAD 985 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbe20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.8A (TC) 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 54W (TC)
IRF620STRRPBF Vishay Siliconix IRF620Stpbf 2.0400
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
IRF840S Vishay Siliconix IRF840S -
RFQ
ECAD 4727 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF840S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFPF50 Vishay Siliconix IRFPF50 -
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPF50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFPF50 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 6.7A (TC) 10V 1.6ohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1046R-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1046 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 606MA (TA) 1.8V, 4.5V 420mohm @ 606ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.49 NC @ 5 v ± 8V 66 pf @ 10 v - 250MW (TA)
SIR412DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir412DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir412 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 20A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 10 v - 3.9W (TA), 15.6W (TC)
SIHG120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG120N60E-GE3 3.4093
RFQ
ECAD 6192 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG120 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8406DB-T2-E1 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8406 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 16A (TC) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 1a, 4.5v 850MV @ 250µA 20 nc @ 8 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
SIHB12N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB12N60E-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 1481 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB12 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHB12N60EGE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 147W (TC)
IRFBC40ASPBF Vishay Siliconix IRFBC40ASPBF 4.4500
RFQ
ECAD 464 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF820APBF Vishay Siliconix IRF820APBF 1.7300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF820 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF820APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb80ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 3706 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB80 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 80V 30A (TC) 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1400pf @ 25V -
IRFR9210TRR Vishay Siliconix irfr9210trr -
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF730L Vishay Siliconix IRF730L -
RFQ
ECAD 9249 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF730 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF730L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - -
SQ3989EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3989EV-T1_GE3 0.6000
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3989 MOSFET (금속 (() 1.67W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.5A (TC) 155mohm @ 400ma, 10V 1.5V @ 250µA 11.1NC @ 10V - -
SQD40031EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3 1.6500
RFQ
ECAD 3668 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40031 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRFR9120PBF Vishay Siliconix IRFR9120PBF 1.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHU7N60E-E3 Vishay Siliconix sihu7n60e-e3 0.9441
RFQ
ECAD 1371 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu7 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRF730STRLPBF Vishay Siliconix irf730strlpbf 2.3800
RFQ
ECAD 2880 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SI1032R-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1032R-T1-GE3 0.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1032 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 140MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
IRF9640 Vishay Siliconix IRF9640 -
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9640 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9640 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4466DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4466DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4466 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 9.5A (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 13.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI3493DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3493DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7447 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3493 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.3A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 32 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
IRFIZ24G Vishay Siliconix irfiz24g -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz24 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz24g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 37W (TC)
SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHR080N60E-T1-GE3 6.1300
RFQ
ECAD 3222 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 51A (TC) 10V 84mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2557 pf @ 100 v - 500W (TC)
SUD50P04-40P-T4-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-40P-T4-E3 -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 6A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 5a, 10V 2.7V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1555 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 24W (TC)
IRF9540STRLPBF Vishay Siliconix IRF9540STRLPBF 2.9500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고