SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
2N6661-2 Vishay Siliconix 2N6661-2 -
RFQ
ECAD 2184 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SI7392ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7392ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
SI5485DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5485DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4626 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5485 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TC) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 5.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 42 NC @ 8 v ± 12V 1100 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira90dp-t1-Re3 1.5500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira90 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.8mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 153 NC @ 10 v +20V, -16V 10180 pf @ 15 v - 104W (TC)
IRFR9214TRLPBF Vishay Siliconix irfr9214trlpbf 1.5500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 3ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 220 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp-t1-RE3 1.8800
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 35.4A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 104W (TC)
SIHFB20N50K-E3 Vishay Siliconix SIHFB20N50K-E3 3.2369
RFQ
ECAD 2601 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHFB20 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2870 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7111EDN-T1-GE3 0.6300
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7111 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 60A (TC) 2.5V, 4.5V 8.55mohm @ 15a, 4.5v 1.6V @ 250µA 46 NC @ 2.5 v ± 12V 5860 pf @ 15 v - 52W (TC)
SQD10N30-330H_4GE3 Vishay Siliconix SQD10N30-330H_4GE3 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 300 v 10A (TC) 10V 330mohm @ 14a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 2190 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIRA66DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira66dp-t1-ge3 0.3959
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira66 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 66 NC @ 10 v +20V, -16V - 62.5W (TC)
SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8429dB-T1-E1 1.0400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8429 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 11.7A (TC) 1.2V, 4.5V 35mohm @ 1a, 4.5v 800MV @ 250µA 26 NC @ 5 v ± 5V 1640 pf @ 4 v - 2.77W (TA), 6.25W (TC)
IRFBE30LPBF Vishay Siliconix IRFBE30LPBF 2.8500
RFQ
ECAD 1665 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBE30 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHB17N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB17N80E-GE3 5.1200
RFQ
ECAD 8111 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB17 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2408 pf @ 100 v - 208W (TC)
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB488DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8407 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB488 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 250µA 20 nc @ 8 v ± 8V 725 pf @ 6 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SQD100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3 1.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD100 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 83W (TC)
SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3 0.3900
RFQ
ECAD 4771 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA), 6A (TC) 1.8V, 4.5V 31.8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
2N5546JTXL01 Vishay Siliconix 2N5546JTXL01 -
RFQ
ECAD 2172 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 To-71-6 2N5546 To-71 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8808 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 1.5V, 4.5V 95mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 8 v ± 8V 330 pf @ 15 v - 500MW (TA)
IRFR9020TRLPBF Vishay Siliconix irfr9020trlpbf 0.8803
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI5473DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5473DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8297 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5473 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.9a, 4.5v 1V @ 250µA 32 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH26N60E-T1-GE3 5.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH26 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 135mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 30V 2815 pf @ 100 v - 202W (TC)
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3 0.3900
RFQ
ECAD 339 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2301 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.1A (TC) 2.5V, 4.5V 112mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v - 860MW (TA), 1.6W (TC)
SIHF640S-GE3 Vishay Siliconix SIHF640S-GE3 2.0800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
SIZF928DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF928DT-T1-GE3 1.6500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Sizf928 MOSFET (금속 (() 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 33A (TA), 88A (TC), 61A (TA), 248A (TC) 2.45mohm @ 10a, 10v, 750µohm @ 15a, 10v 2V @ 250µA - - -
SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7114DN-T1-E3 1.7500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7114 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11.7A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 18.3a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB04ELP-T1_GE3 0.9700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB04 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 11mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 1055pf @ 25v -
SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir608dp-t1-Re3 1.6400
RFQ
ECAD 6679 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 51A (TA), 208A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 NC @ 10 v +20V, -16V 8900 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRF720SPBF Vishay Siliconix IRF720SPBF 1.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF720 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF720SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA18 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38.3A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI7392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7392DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 9.75mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고