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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Siz910DT-T1-GE3 | - | ![]() | 2736 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz910 | MOSFET (금속 (() | 48W, 100W | 8-PowerPair® (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 40a | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 40NC @ 10V | 1500pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||
![]() | V961-0007-E3 | - | ![]() | 7506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | 튜브 | 쓸모없는 | v961 | - | 1 (무제한) | 742-V961-0007-E3 | 쓸모없는 | 25 | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SI7440DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7440 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 21a, 10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
![]() | IRFBE20PBF-BE3 | 1.5700 | ![]() | 985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFBE20 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-irfbe20pbf-be3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 1.8A (TC) | 6.5ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 54W (TC) | ||||||
![]() | IRF620Stpbf | 2.0400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF620 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||
![]() | IRF840S | - | ![]() | 4727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF840S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
![]() | IRFPF50 | - | ![]() | 7259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPF50 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFPF50 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 900 v | 6.7A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||
![]() | SI1046R-T1-GE3 | - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1046 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 606MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 420mohm @ 606ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.49 NC @ 5 v | ± 8V | 66 pf @ 10 v | - | 250MW (TA) | ||||
![]() | Sir412DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir412 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 10 v | - | 3.9W (TA), 15.6W (TC) | |||||
![]() | SIHG120N60E-GE3 | 3.4093 | ![]() | 6192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG120 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 120mohm @ 12a, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1562 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | |||||
![]() | SI8406DB-T2-E1 | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA | SI8406 | MOSFET (금속 (() | 6 (™ ™ (1.5x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 16A (TC) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 1a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 20 nc @ 8 v | ± 8V | 830 pf @ 10 v | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
![]() | SIHB12N60E-GE3 | 2.0800 | ![]() | 1481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB12 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHB12N60EGE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 937 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | ||||
![]() | IRFBC40ASPBF | 4.4500 | ![]() | 464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC40 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC40ASPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 1036 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
IRF820APBF | 1.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF820APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||
sqjb80ep-t1_ge3 | 1.3100 | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJB80 | MOSFET (금속 (() | 48W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 80V | 30A (TC) | 19mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32NC @ 10V | 1400pf @ 25V | - | ||||||||
![]() | irfr9210trr | - | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 1.9A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 8.9 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | IRF730L | - | ![]() | 9249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF730 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF730L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | - | |||
![]() | SQ3989EV-T1_GE3 | 0.6000 | ![]() | 2652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (금속 (() | 1.67W | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 2.5A (TC) | 155mohm @ 400ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 11.1NC @ 10V | - | - | |||||||
![]() | SQD40031EL_GE3 | 1.6500 | ![]() | 3668 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD40031 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 280 nc @ 10 v | ± 20V | 15000 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||
![]() | IRFR9120PBF | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | sihu7n60e-e3 | 0.9441 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | sihu7 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | |||||
![]() | irf730strlpbf | 2.3800 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
![]() | SI1032R-T1-GE3 | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1032 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 0.75 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
IRF9640 | - | ![]() | 3506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF9640 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF9640 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 11A (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
![]() | SI4466DY-T1-GE3 | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4466 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 9.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 9mohm @ 13.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | SI3493DV-T1-E3 | - | ![]() | 7447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | irfiz24g | - | ![]() | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfiz24 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfiz24g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | |||
![]() | SIHR080N60E-T1-GE3 | 6.1300 | ![]() | 3222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 51A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2557 pf @ 100 v | - | 500W (TC) | ||||||
![]() | SUD50P04-40P-T4-E3 | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 6A (TA), 8A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5a, 10V | 2.7V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1555 pf @ 20 v | - | 2.4W (TA), 24W (TC) | ||||
![]() | IRF9540STRLPBF | 2.9500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9540 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 100 v | 19A (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 150W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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