전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP8N50D-GE3 | 1.4000 | ![]() | 280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP8 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8.7A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 527 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||||||
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![]() | SQJQ936E-T1_GE3 | 3.0100 | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | SQJQ936 | MOSFET (금속 (() | 75W (TC) | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 100A (TC) | 2.3mohm @ 5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 113NC @ 10V | 6600pf @ 25V | - | ||||||||||
![]() | SIHFPS43N50K-GE3 | - | ![]() | 8460 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHFPS43N50K-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 47A (TC) | 10V | 90mohm @ 28a, 10V | 5V @ 250µA | 350 NC @ 10 v | ± 30V | 8310 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | ||||||||
![]() | SST204-E3 | - | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 4.5pf @ 15V | 40 v | 200 µa @ 15 v | 300 MV @ 10 NA | |||||||||||||
![]() | IRFZ14PBF-BE3 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ14 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRFZ14PBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 10A (TC) | 200mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | |||||||||
![]() | SISH472DN-T1-GE3 | 0.6500 | ![]() | 437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISH472 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 997 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||
![]() | SI7476DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 177 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||||
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![]() | SI7446BDP-T1-E3 | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7446 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 19a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 20V | 3076 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA) | |||||||
![]() | SI7456DP-T1-E3 | 2.1000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5.7A (TA) | 6V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
![]() | SI4963BDY-T1-GE3 | 0.7796 | ![]() | 4291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4963 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.9A | 32mohm @ 6.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 21NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||
![]() | SI1012CR-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1012 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 630MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 396mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2 nc @ 8 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 240MW (TA) | |||||||
![]() | SI2356DS-T1-BE3 | 0.4000 | ![]() | 8251 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 3.2A (TA), 4.3A (TC) | 2.5V, 10V | 51mohm @ 3.2a, 10V | 1.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 12V | 370 pf @ 20 v | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||||||||
![]() | SI5481DU-T1-E3 | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5481 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 12A (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 50 nc @ 8 v | ± 8V | 1610 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | |||||||
![]() | SQJ414EP-T1_BE3 | 0.9400 | ![]() | 1352 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj414ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1110 pf @ 15 v | - | 45W (TC) | |||||||||
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![]() | SIS447DN-T1-GE3 | 0.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS447 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 18A (TC) | 2.5V, 10V | 7.1MOHM @ 20A, 10V | 1.2V @ 250µA | 181 NC @ 10 v | ± 12V | 5590 pf @ 10 v | - | 52W (TC) | |||||||||
![]() | IRFZ44RPBF-BE3 | 2.7800 | ![]() | 856 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-IRFZ44RPBF-BE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 28mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||
![]() | IRFU024 | - | ![]() | 3201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU024 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
![]() | IRFR9020PBF | 1.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 9.9A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||
![]() | SIZ998BDT-T1-GE3 | 0.9400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz998 | MOSFET (금속 (() | 3.8W (TA), 20W (TC), 4.8W (TA), 32.9W (TC) | 8-PowerPair® (6x5) | - | 1 (무제한) | 742-SIZ998BDT-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널), Schottky | 30V | 23.7A (TA), 54.8A (TC), 36.2A (TA), 94.6A (TC) | 4.39mohm @ 15a, 10v, 2.4mohm @ 19a, 10v | 2.2V @ 250µA | 18NC @ 10V, 46.7NC @ 10V | 790pf @ 15v, 2130pf @ 15v | - |
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