SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 3.1987
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP35 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
IRFP350LCPBF Vishay Siliconix IRFP350LCPBF 6.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP350LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 400 v 16A (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFBE20STRR Vishay Siliconix irfbe20strr -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
IRFP450LC Vishay Siliconix IRFP450LC -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP450LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
SIHFR9310TRR-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9310TRR-GE3 0.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4491edy-T1-GE3 0.9700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4491 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 17.3A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 153 NC @ 10 v ± 25V 4620 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 6.9W (TC)
IRL640STRL Vishay Siliconix irl640strl -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3 2.8386
RFQ
ECAD 7227 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP105 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 102mohm @ 13a, 10v 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1804 pf @ 100 v - 208W (TC)
SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix SIHP6N40D-E3 1.6000
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP6N40DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 311 PF @ 100 v - 104W (TC)
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir882ADP-T1-GE3 2.5100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir882 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1975 PF @ 50 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIS448DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS448DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS448 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 15 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88bdp-t1-ge3 0.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira88 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
IRF644S Vishay Siliconix IRF644S -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SQJ848EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj848ep-t1_ge3 1.6600
RFQ
ECAD 3110 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ848 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 47A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 20 v - 68W (TC)
IRLI530GPBF Vishay Siliconix IRLI530GPBF 1.9300
RFQ
ECAD 968 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irli530 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLI530GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.7A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 5.8a, 5V 2V @ 250µA 28 NC @ 5 v ± 10V 930 pf @ 25 v - 42W (TC)
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix sup90n08-6m8p-e3 -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 6.8mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 4620 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 272W (TC)
IRFBE30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBE30PBF-BE3 2.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBE30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbe30pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8808 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 1.5V, 4.5V 95mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 8 v ± 8V 330 pf @ 15 v - 500MW (TA)
SI6966EDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI696EDQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9542 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6966 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V - 30mohm @ 5.2a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 25NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4940AEY-T1_GE3 1.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4940 MOSFET (금속 (() 4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 8a 24mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 43NC @ 10V 741pf @ 20V 논리 논리 게이트
SIA915DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3323 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA915 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.5A 87mohm @ 2.9a, 10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRL510PBF Vishay Siliconix irl510pbf 1.3500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl510pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 43W (TC)
SI4920DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4920DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3157 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4920 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V - 25mohm @ 6.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 23NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SI7850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7850DP-T1-GE3 2.0000
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 10.3a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
SIR774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir774dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 sir774 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 32A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V ± 20V
IRFIBC40GLCPBF Vishay Siliconix irfibc40glcpbf 2.3946
RFQ
ECAD 3626 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc40glcpbf 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-GE3 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5v 1V @ 250µA 65 NC @ 8 v ± 8V 2010 pf @ 6 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ980AEP-T1_GE3 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ980 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 75V 17A (TC) 50mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 35v -
SQD100N02-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3 1.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD100 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 83W (TC)
SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3 1.0700
RFQ
ECAD 3211 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 16.1mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 4825 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고