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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SIA907EDJ-T4-GE3	-	RFQ	8775	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-	SIA907	-	-	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	-		-	-		-	-	-		-	-
SI4838DY-T1-E3	3.1200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4838	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	12 v	17A (TA)	2.5V, 4.5V	3MOHM @ 25A, 4.5V	600MV @ 250µa (최소)	60 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.6W (TA)
SIS776DN-T1-GE3	-	RFQ	9894	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS776	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6.2MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 20V	1360 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3.8W (TA), 52W (TC)
SIHB125N60EF-GE3	4.4000	RFQ	2	Vishay Siliconix	ef	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB125	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		742-SIHB125N60EF-GE3	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	25A (TC)	10V	125mohm @ 12a, 10V	5V @ 250µA	47 NC @ 10 v	± 30V	1533 pf @ 100 v	-	179W (TC)
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SI1307DL-T1-E3	-	RFQ	8792	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1307	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	12 v	850MA (TA)	1.8V, 4.5V	290mohm @ 1a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	5 nc @ 4.5 v	± 8V		-	290MW (TA)
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SIHB28N60EF-GE3	6.2000	RFQ	7757	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB28	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	28A (TC)	10V	123mohm @ 14a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 30V	2714 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SI1034CX-T1-GE3	0.3700	RFQ	129	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1034	MOSFET (금속 (()	220MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	610MA (TA)		396mohm @ 500ma, 4.5v	1V @ 250µA	2NC @ 8V		43pf @ 10V	논리 논리 게이트
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SUP40N25-60-E3	5.0400	RFQ	6962	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup40	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	250 v	40A (TC)	6V, 10V	60mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 30V	5000 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 300W (TC)
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irfr310trlpbf	1.5300	RFQ	6733	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	400 v	1.7A (TC)	10V	3.6ohm @ 1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
irfibf20g	-	RFQ	3824	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	irfibf20	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irfibf20g	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	900 v	1.2A (TC)	10V	8ohm @ 720ma, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	490 pf @ 25 v	-	30W (TC)
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sqa470eej-t1_ge3	0.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SQA470	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	2.25A (TC)	2.5V, 4.5V	56mohm @ 2a, 4.5v	1.6V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 v	± 12V	453 pf @ 20 v	-	13.6W (TC)
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IRL520LPBF	0.6856	RFQ	6297	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRL520	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRL520LPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	9.2A (TC)	4V, 5V	270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 v	± 10V	490 pf @ 25 v	-	60W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²