SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFZ30 Vishay Siliconix IRFZ30 -
RFQ
ECAD 3175 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ30 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 50 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 74W (TC)
SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa470eej-t1_ge3 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA470 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.25A (TC) 2.5V, 4.5V 56mohm @ 2a, 4.5v 1.6V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 453 pf @ 20 v - 13.6W (TC)
SIHP100N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP100N60E-GE3 4.9900
RFQ
ECAD 9474 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP100 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 100mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1851 PF @ 100 v - 208W (TC)
IRL520LPBF Vishay Siliconix IRL520LPBF 0.6856
RFQ
ECAD 6297 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRL520 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL520LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFR214TRLPBF Vishay Siliconix irfr214trlpbf 0.6159
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI1450DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1450DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1280 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1450 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 4.53A (TA), 6.04A (TC) 1.5V, 4.5V 47mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.05 nc @ 5 v ± 5V 535 pf @ 4 v - 1.56W (TA), 2.78W (TC)
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7613DN-T1-GE3 1.0700
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7613 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 16V 2620 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52.1W (TC)
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 1.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6913 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.9A 21mohm @ 5.8a, 4.5v 900MV @ 400µA 28NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF3205ZSTRR Vishay Siliconix IRF3205ZSTRR -
RFQ
ECAD 6474 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF3205 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 170W (TC)
SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix SUM110P04-04L-E3 4.7600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 350 NC @ 10 v ± 20V 11200 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU2 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU210 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIHB120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB120N60E-GE3 5.2400
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB120 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix irfibc20gpbf 2.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibc20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfibc20gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 4.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 30W (TC)
SQM40N10-30_GE3 Vishay Siliconix SQM40N10-30_GE3 2.2500
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 40A (TC) 6V, 10V 30mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 3345 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRFD014PBF Vishay Siliconix IRFD014PBF 1.3900
RFQ
ECAD 248 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD014PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.7A (TA) 10V 200mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 310 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7530 MOSFET (금속 (() 1.4W, 1.5W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 60V 3A, 3.2A 75mohm @ 4.6a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz720DT-T1-GE3 0.6395
RFQ
ECAD 1017 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-PowerPair ™ Siz720 MOSFET (금속 (() 27W, 48W 6-PowerPair ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 20V 16A 8.7mohm @ 16.8a, 10V 2V @ 250µA 23NC @ 10V 825pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI7810DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7810DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7810 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.4A (TA) 6V, 10V 62mohm @ 5.4a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHP17N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHP17N80E-GE3 4.8400
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2408 pf @ 100 v - 208W (TC)
SISS32LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS32LDN-T1-GE3 1.2200
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISS32 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 17.4A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2550 pf @ 40 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI4630DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4630DY-T1-E3 2.0000
RFQ
ECAD 8741 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4630 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 40A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 161 NC @ 10 v ± 16V 6670 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ7414CENW-T1_GE3 0.9600
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQ7414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8.7a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 30 v - 62W (TC)
IRFZ14PBF Vishay Siliconix IRFZ14PBF 1.2900
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
SIA914DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA914 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 53mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 11.5NC @ 8V 400pf @ 10V 논리 논리 게이트
SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS12DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS12 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 37.5A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 1.98mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 89 NC @ 10 v +20V, -16V 4270 pf @ 20 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI3441BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3441BDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4470 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3441 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.45A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.3a, 4.5v 850MV @ 250µA 8 NC @ 4.5 v ± 8V - 860MW (TA)
SQD40052EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40052EL_GE3 1.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4162DY-T1-GE3 0.9400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4162 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 19.3A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1155 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7121ADN-T1-GE3 0.6200
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7121 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 25V 1870 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 27.8W (TC)
IRFP32N50K Vishay Siliconix IRFP32N50K -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP32 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP32N50K 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 32A (TC) 10V 160mohm @ 32a, 10V 5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 30V 5280 pf @ 25 v - 460W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고