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트랜지스터 (5716)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3467DV-T1-E3 | - |  | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3467 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.8A (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | SQD10N30-330H_GE3 | 1.6500 | | 7747 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD10 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 300 v | 10A (TC) | 10V | 330mohm @ 14a, 10V | 4.4V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 2190 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||
 | irliz24g | - | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irliz24 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irliz24g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 870 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||||
 | SIHFL110TR-BE3 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SIHFL110 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHFL110TR-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1.5A (TC) | 540mohm @ 900ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | SIHS20N50C-E3 | 5.1592 | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | SIHS20 | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 480 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 30V | 2942 pf @ 25 v | - | 250MW (TC) | |||||
| irfibf30gpbf | 1.9110 | | 5659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfibf30 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfibf30gpbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 1.9A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||
 | SI6467BDQ-T1-E3 | - | | 4235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6467 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 6.8A (TA) | 12.5mohm @ 8a, 4.5v | 850MV @ 450µA | 70 NC @ 4.5 v | - | |||||||||
 | IRC740PBF | - | | 2473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 | IRC740 | MOSFET (금속 (() | TO-220-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRC740pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 10A (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | 현재 현재 | 125W (TC) | |||
 | SI9410BDY-T1-GE3 | - | | 8970 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI9410 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 6.2A (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 8.1a, 10V | 3V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SI4486EY-T1-GE3 | - | | 9236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4486 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 5.4A (TA) | 6V, 10V | 25mohm @ 7.9a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 44 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
 | SUP40N25-60-E3 | 5.0400 | | 6962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup40 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 60mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 30V | 5000 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | |||||
 | SIHB28N60EF-GE3 | 6.2000 | | 7757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB28 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 28A (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 2714 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||
 | irfr014trl | - | | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR014 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 7.7A (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SI1034CX-T1-GE3 | 0.3700 | | 129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | MOSFET (금속 (() | 220MW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 610MA (TA) | 396mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2NC @ 8V | 43pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | IRFU9020PBF | 1.8900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU9020 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irfu9020pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 50 v | 9.9A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||
 | IRFPC48 | - | | 6967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC48 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 8.9A (TC) | 10V | 820mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||
 | SQ1563AEH-T1_GE3 | 0.5300 | | 841 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | SQ1563 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 850MA (TC) | 280mohm @ 850ma, 4.5v, 575mohm @ 800ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.25nc @ 4.5v, 1.33nc @ 4.5v | 89pf @ 10v, 84pf @ 10v | - | ||||||||
| SI4965DY-T1-E3 | - | | 4814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4965 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 8V | - | 21mohm @ 8a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 55NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
| irfr224trr | - | | 4535 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 250 v | 3.8A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SUD19P06-60L-E3 | 1.3200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD19 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 19A (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 25 v | - | 2.7W (TA), 46W (TC) | |||||
 | sir120dp-t1-Re3 | 1.7100 | | 579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir120 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 24.7A (TA), 106A (TC) | 7.5V, 10V | 3.55mohm @ 15a, 10V | 3.5V @ 250µA | 94 NC @ 10 v | ± 20V | 4150 pf @ 40 v | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
| irfr310trlpbf | 1.5300 | | 6733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR310 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 400 v | 1.7A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SI7356ADP-T1-GE3 | - | | 6539 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 6215 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
| IRFI744G | - | | 3309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI744 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI744G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 4.9A (TC) | 10V | 630mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||
 | 3N163-2 | - | | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | 3N163 | MOSFET (금속 (() | To-72 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 20 | p 채널 | 40 v | 50MA (TA) | 20V | 250ohm @ 100µa, 20V | 5V @ 10µA | ± 30V | 3.5 pf @ 15 v | - | 375MW (TA) | |||||
 | SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ570 | MOSFET (금속 (() | 27W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 100V | 15A (TC), 9.5A (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V, 15NC @ 10V | 650pf @ 25V, 600pf @ 25V | - | |||||||
| SI3477DV-T1-GE3 | 0.7500 | | 9052 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3477 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 17.5mohm @ 9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 10V | 2600 pf @ 6 v | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
| SI4500BDY-T1-E3 | - | | 7254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4500 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 20V | 6.6a, 3.8a | 20mohm @ 9.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SQM40022EM_GE3 | 2.2300 | | 5202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM40022 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 150A (TC) | 10V | 1.63mohm @ 35a, 10V | 3.5V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 9200 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | SQJ504EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 9961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ504 | MOSFET (금속 (() | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 40V | 30A (TC) | 7.5mohm @ 8a, 10v, 17mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250µA | 30NC @ 10V, 85NC @ 10V | 1900pf @ 25v, 4600pf @ 25v | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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