SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3 11.9600
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG80 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 80A (TC) 10V 30mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 443 NC @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 100 v - 520W (TC)
SI7860ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7860ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9634 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7860 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7540DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9589 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7540 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 7.6a, 5.7a 17mohm @ 11.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUD40N10-25-E3 Vishay Siliconix SUD40N10-25-E3 3.1200
RFQ
ECAD 3256 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 25mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8451DB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-UFBGA SI8451 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10.8A (TC) 1.5V, 4.5V 80mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 750 pf @ 10 v - 2.77W (TA), 13W (TC)
IRLIZ14GPBF Vishay Siliconix IRLIZ14GPBF 1.9400
RFQ
ECAD 1407 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz14 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLIZ14GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 8A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.8a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 27W (TC)
SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4434DY-T1-E3 3.0000
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4434 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 2.1A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
IRFR010TR Vishay Siliconix irfr010tr -
RFQ
ECAD 3899 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRF840LCSPBF Vishay Siliconix IRF840LCSPBF 1.5567
RFQ
ECAD 8924 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SUP90N15-18P-E3 Vishay Siliconix SUP90N15-18P-E3 -
RFQ
ECAD 4416 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4180 pf @ 75 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
IRFPE50PBF Vishay Siliconix irfpe50pbf 4.8500
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPE50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfpe50pbf 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 7.8A (TC) 10V 1.2ohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 190W (TC)
SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106dp-t1-re3 1.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir106 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.1A (TA), 65.8A (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 3.4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3610 pf @ 50 v - 3.2W (TA), 83.3W (TC)
SQP120N06-3M5L_GE3 Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3 -
RFQ
ECAD 1739 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP120 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 14700 pf @ 25 v - 250W (TC)
SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 1.7000
RFQ
ECAD 952 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 50 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 45a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2106 pf @ 25 v - 75W (TC)
SIHJ690N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ690N60E-T1-GE3 1.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIHJ690 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 5.6A (TC) 10V 700mohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 347 pf @ 100 v - 48W (TC)
SIR172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir172DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4019 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir172 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 16.1a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 997 pf @ 15 v - 29.8W (TC)
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3 1.4700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 SISF00 MOSFET (금속 (() 69.4W (TC) PowerPak® 1212-8SCD 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 30V 60A (TC) 5MOHM @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 53NC @ 10V 2700pf @ 15V -
IRFRC20TRLPBF Vishay Siliconix irfrc20trlpbf 1.8000
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 9362 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2389 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 4.1A (TC) 4.5V, 10V 94mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 20 v - 3W (TC)
SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA24N65EF-GE3 5.9100
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 156mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2774 pf @ 100 v - 39W (TC)
SIRS700DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS700DP-T1-GE3 3.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 30A (TA), 127A (TC) 7.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5950 pf @ 50 v - 7.4W (TA), 132W (TC)
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS890DN-T1-GE3 1.4000
RFQ
ECAD 622 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS890 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 23.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 802 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIHP17N60D-E3 Vishay Siliconix SIHP17N60D-E3 1.7493
RFQ
ECAD 4844 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP17N60DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 340mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 1780 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
IRFZ48RSPBF Vishay Siliconix IRFZ48RSPBF 3.6100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ48RSPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7703 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 6.3a, 4.5v 1V @ 800µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA)
SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 3.1400
RFQ
ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7434 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.3A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SIDR578EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR578EP-T1-RE3 2.9500
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR578 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 17.4A (TA), 78A (TC) 7.5V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 75 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
IRL3302L Vishay Siliconix irl3302L -
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3302 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3302L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 31 NC @ 4.5 v ± 10V 1300 pf @ 15 v - 57W (TC)
SIHB30N60E-E3 Vishay Siliconix SIHB30N60E-E3 -
RFQ
ECAD 2292 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 125mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 100 v - 250W (TC)
SUD25N04-25-E3 Vishay Siliconix SUD25N04-25-E3 -
RFQ
ECAD 2043 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 25A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 3W (TA), 33W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고