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![]() | SIDR578EP-T1-RE3 | 2.9500 | ![]() | 1337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SIDR578 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8DC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 17.4A (TA), 78A (TC) | 7.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2540 pf @ 75 v | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
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