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트랜지스터 (5716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SIRS4600dp-T1-RE3	3.7500	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	58A (TA), 334A (TC)	7.5V, 10V	1.2MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	162 NC @ 10 v	± 20V	7655 pf @ 30 v	-	7.4W (TA), 240W (TC)
sqja62ep-t1_ge3	1.3300	RFQ	5	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJA62	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 v	± 20V	5100 pf @ 25 v	-	68W (TC)
IRFI9520GPBF	2.5000	RFQ	7933	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI9520	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFI9520GPBF	귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	100 v	5.2A (TC)	10V	600mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	390 pf @ 25 v	-	37W (TC)
SIHB10N40D-GE3	1.7100	RFQ	7918	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB10	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	600mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	526 pf @ 100 v	-	147W (TC)
IRFI9610G	-	RFQ	3023	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI9610	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFI9610G	귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	200 v	2A (TC)	10V	3ohm @ 1.2a, 10V	4V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	180 pf @ 25 v	-	27W (TC)
SISH434DN-T1-GE3	1.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH	SISH434	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	17.6A (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7.6mohm @ 16.2a, 10V	2.2V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 20V	1530 pf @ 20 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SI2366DS-T1-BE3	0.4600	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		742-SI236DS-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	4.5A (TA), 5.8A (TC)	4.5V, 10V	36mohm @ 4.5a, 10V	2.5V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	335 pf @ 15 v	-	1.25W (TA), 2.1W (TC)
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IRFS11N50A	-	RFQ	2267	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS11	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFS11N50A	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	500 v	11A (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 30V	1423 pf @ 25 v	-	170W (TC)
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IRFS11N50ATRL	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS11	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	11A (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 30V	1423 pf @ 25 v	-	170W (TC)
SI7425DN-T1-E3	-	RFQ	5366	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7425	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	8.3A (TA)	1.8V, 4.5V	16mohm @ 12.6a, 4.5v	1V @ 300µA	39 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
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SQS180ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	50	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	PowerPak® 1212-8SLW		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SLW	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	80 v	82A (TC)	4.5V, 10V	7.1MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	3689 pf @ 25 v	-	119W (TC)
sir406dp-t1-ge3	-	RFQ	5288	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir406	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2083 pf @ 10 v	-	5W (TA), 48W (TC)
SIHU2N80AE-GE3	1.0000	RFQ	7765	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	sihu2	MOSFET (금속 (()		TO-251AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHU2N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	800 v	2.9A (TC)	10V	2.9ohm @ 500ma, 10V	4V @ 250µA	10.5 nc @ 10 v	± 30V	180 pf @ 100 v	-	62.5W (TC)
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sqj138ep-t1_ge3	1.6400	RFQ	1233	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ138	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqj138ep-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	330A (TC)	10V	1.8mohm @ 15a, 10V	3.5V @ 250µA	81 NC @ 10 v	± 20V	4715 pf @ 25 v	-	312W (TC)
SIHB15N80AE-GE3	2.7300	RFQ	990	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB15	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIHB15N80AE-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	800 v	13A (TC)	10V	350mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 30V	1093 pf @ 100 v	-	156W (TC)
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SIHB23N60E-GE3	3.9300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB23	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	23A (TC)	10V	158mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 30V	2418 pf @ 100 v	-	227W (TC)
SI7454CDP-T1-GE3	-	RFQ	2262	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7454	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	22A (TC)	4.5V, 10V	30.5mohm @ 10a, 10V	2.8V @ 250µA	19.5 nc @ 10 v	± 20V	580 pf @ 50 v	-	4.1W (TA), 29.7W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²